Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 5, страница 521 (Mi phts5847)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Nanostructure Technology

Nanoparticle formation in Zn$^{+}$ and O$^{+}$ ion sequentially implanted SiO$_{2}$ film

V. V. Privezentseva, A. V. Makuninb, A. A. Batrakovc, S. V. Ksenichd, A. V. Goryacheve

a Institute of Physics & Technology, Russian Academy of Sciences, 117218 Moscow, Russia
b Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, Lomonosov Moscow State University, 119991 Moscow, Russia
c National Research University "MPEI", 111250 Moscow, Russia
d National Research University "MISiS", 119049 Moscow, Russia
e National Research University "MIET", 124420 Zelenograd, Moscow, Russia
Аннотация: The $^{64}$Zn$^+$ and $^{16}$O$^+$ ions were implanted in SiO$_2$ film on Si substrate with next parameters: the implant dose was 5.0 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$, for Zn$^+$ ions the energy was 50 keV and for O$^+$ ions the energy was 16 keV. Than the samples were subjected to isochronally during 1h annealing in N$_2$ atmosphere in temperature range 400–600$^\circ$C and than in Ar atmosphere in temperature range from 700 up to 1000$^\circ$C with a step of 100$^\circ$C. After annealing the samples surface is structured and its roughness increases due to nanoparticle formation in subsurface layer. In as implanted and in annealed samples on its surface and in its body the Zn-contained nanoparticles with a size about 100 nm were formed. These nanoparticles consist presumably from Zn phase after implantation and from ZnO phase after annealing.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 5, Pages 645–650
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261805024X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: V. V. Privezentsev, A. V. Makunin, A. A. Batrakov, S. V. Ksenich, A. V. Goryachev, “Nanoparticle formation in Zn$^{+}$ and O$^{+}$ ion sequentially implanted SiO$_{2}$ film”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 521; Semiconductors, 52:5 (2018), 645–650
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PriMakBat18}
\by V.~V.~Privezentsev, A.~V.~Makunin, A.~A.~Batrakov, S.~V.~Ksenich, A.~V.~Goryachev
\paper Nanoparticle formation in Zn$^{+}$ and O$^{+}$ ion sequentially implanted SiO$_{2}$ film
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 521
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5847}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740385}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 645--650
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261805024X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5847
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i5/p521
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024