|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2001 |
| 1. |
Г. А. Тарнавский, С. И. Шпак, М. С. Обрехт, “Сегрегация бора, имплантированного в кремний, на угловых конфигурациях границы окисления кремний/двуокись кремния”, Письма в ЖЭТФ, 73:9 (2001), 536–541  ; G. A. Tarnavskii, S. I. Shpak, M. S. Obrecht, “Boron implanted in silicon: Segregation at angular configurations of the silicon/silicon dioxide oxidation boundary”, JETP Letters, 73:9 (2001), 474–478  |
2
|
| 2. |
А. Л. Александров, Г. А. Тарнавский, С. И. Шпак, А. И. Гулидов, М. С. Обрехт, “Численное моделирование задачи динамики роста пленки окисла в
полупроводниковых подложках на основе геометрического подхода и
метода Дила-Гроува”, Выч. мет. программирование, 2:1 (2001), 92–111 |
1
|
| 3. |
Г. А. Тарнавский, С. И. Шпак, М. С. Обрехт, “Численное моделирование и компьютерный алгоритм процесса сегрегации
легирующих примесей на границе волны окисления в полупроводниковых подложках”, Выч. мет. программирование, 2:1 (2001), 12–26 |
1
|
|
1983 |
| 4. |
Г. В. Гадияк, Ю. Е. Лозовик, М. С. Обрехт, “Биэкситон в сильном магнитном поле”, Физика твердого тела, 25:4 (1983), 1063–1067 |
|
1981 |
| 5. |
Г. В. Гадияк, М. С. Обрехт, “Уравнение состояния холодного вещества в сверхсильном магнитном поле”, ТВТ, 19:1 (1981), 206–208 |
|
Обратная связь: