|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2001, том 73, выпуск 9, страницы 536–541
(Mi jetpl4387)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Сегрегация бора, имплантированного в кремний, на угловых конфигурациях границы окисления кремний/двуокись кремния
Г. А. Тарнавскийa, С. И. Шпакa, М. С. Обрехтb a Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, г. Новосибирск
b Siborg System Inc., University of Waterloo
Аннотация:
На основе компьютерного моделирования физико-химического процесса сегрегации легирующих примесей, имплантированных в базовый материал (кремний), изучаются особенности инжекции бора B на 4 типах угловых конфигурациях границы окисления «кремний/двуокись кремния» (прямой и обратный уступы, каверны типа «траншея» и «квадрат»), получены и проанализированы в главных чертах сложные картины распределения концентраций B в областях Si, SiO$_2$ и фронте SiO$_2$/Si.
Поступила в редакцию: 23.03.2001
Образец цитирования:
Г. А. Тарнавский, С. И. Шпак, М. С. Обрехт, “Сегрегация бора, имплантированного в кремний, на угловых конфигурациях границы окисления кремний/двуокись кремния”, Письма в ЖЭТФ, 73:9 (2001), 536–541; JETP Letters, 73:9 (2001), 474–478
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4387 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v73/i9/p536
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 148 | PDF полного текста: | 53 | Список литературы: | 1 |
|