|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2001 |
| 1. |
А. П. Мельников, Ю. А. Гурвич, Л. Н. Шестаков, Е. М. Гершензон, “Влияние магнитного поля на неомическую проводимость по примесям некомпенсированного кристаллического кремния”, Письма в ЖЭТФ, 73:1 (2001), 50–53  ; A. P. Mel'nikov, Yu. A. Gurvich, L. N. Shestakov, E. M. Gershenzon, “Magnetic field effects on the nonohmic impurity conduction of uncompensated crystalline silicon”, JETP Letters, 73:1 (2001), 44–47  |
9
|
|
1991 |
| 2. |
Е. М. Гершензон, С. А. Грачев, Л. Б. Литвак-Горская, “Механизм преобразования частоты в $n$-InSb-смесителе”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1986–1998 |
| 3. |
Е. М. Гершензон, И. Г. Гогидзе, Г. Н. Гольцман, А. Д. Семенов, А. В. Сергеев, “Пикосекундный отклик на излучение оптического диапазона в тонких
пленках YBaCuO”, Письма в ЖТФ, 17:22 (1991), 6–10  |
|
1990 |
| 4. |
В. Ф. Банная, Л. И. Веселова, Е. М. Гершензон, Э. Н. Гусинский, Л. Б. Литвак-Горская, “Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей
из измерений постоянной Холла”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2145–2150 |
| 5. |
Е. И. Воеводин, Е. М. Гершензон, Г. Н. Гольцман, Н. Г. Птицина, “Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими
примесями в Ge”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1881–1883 |
| 6. |
Ю. М. Гальперин, Е. М. Гершензон, И. Л. Дричко, Л. Б. Литвак-Горская, “Кинетические явления в компенсированном $n$-InSb при низких
температурах (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 3–24 |
|
1989 |
| 7. |
Е. М. Гершензон, М. Е. Гершензон, Г. Н. Гольцман, А. М. Люлькин, А. Д. Семенов, А. В. Сергеев, “О предельных характеристиках быстродействующих сверхпроводниковых
болометров”, ЖТФ, 59:2 (1989), 111–120 |
| 8. |
Е. И. Воеводин, Е. М. Гершензон, Г. Н. Гольцман, Н. Г. Птицина, “Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно
деформированном Ge”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1356–1361 |
| 9. |
В. Ф. Банная, Л. И. Веселова, Е. М. Гершензон, “Особенности температурной зависимости холловской подвижности
в легированных и некомпенсированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 338–345 |
| 10. |
Э. Е. Аксаев, Е. М. Гершензон, М. Е. Гершензон, Г. Н. Гольцман, А. Д. Семенов, А. В. Сергеев, “Перспективы применения высокотемпературных сверхпроводников для
создания электронных болометров”, Письма в ЖТФ, 15:14 (1989), 88–93 |
| 11. |
Е. М. Гершензон, М. Е. Гершензон, Г. Н. Гольцман, Б. С. Карасик, А. М. Люлькин, А. Д. Семенов, “Быстродействующий сверхпроводниковый электронный болометр”, Письма в ЖТФ, 15:3 (1989), 88–92 |
|
1988 |
| 12. |
Е. И. Воеводин, Е. М. Гершензон, Г. Н. Гольцман, Н. Г. Птицина, Г. М. Чулкова, “Захват свободных дырок заряженными акцепторами в одноосно
деформированном Ge”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 540–543 |
|
1986 |
| 13. |
Е. М. Гершензон, Л. Б. Литвак-Горская, Г. Я. Луговая, Е. З. Шапиро, “Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае
проводимости по верхней зоне Хаббарда в $n$-Ge$\langle$Sb$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 99–103 |
|
1985 |
| 14. |
Е. М. Гершензон, И. Т. Семенов, М. С. Фогельсон, “Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии
при одноосной деформации образца”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1696–1698 |
|
1984 |
| 15. |
Е. М. Гершензон, И. Т. Семенов, М. С. Фогельсон, “О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора
в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 421–425 |
|
1983 |
| 16. |
В. Ф. Банная, Л. И. Веселова, Е. М. Гершензон, “Об одном способе определения концентрации глубоких примесей
в германии”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1896–1898 |
| 17. |
Е. М. Гершензон, Л. Б. Литвак-Горская, Р. И. Рабинович, “Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости
по верхней зоне Хаббарда”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1873–1876 |
| 18. |
Е. М. Гершензон, Г. Н. Гольцман, А. И. Елантьев, М. Л. Кагане, В. В. Мултановский, Н. Г. Птицина, “Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии
для определения
химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1430–1437 |
| 19. |
Е. М. Гершензон, А. П. Мельников, Р. И. Рабинович, В. Б. Смирнова, “О возможности создания инверсной функции распределения свободных
носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 499–501 |
|
1980 |
| 20. |
Е. М. Гершензон, А. П. Мельников, Р. И. Рабинович, Н. А. Серебрякова, “Примесные H$^-$-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках”, УФН, 132:2 (1980), 353–378 ; E. M. Gershenzon, A. P. Mel'nikov, R. I. Rabinovich, N. A. Serebryakova, “H$^-$-like impurity centers and molecular complexes created by them in semiconductors”, Phys. Usp., 23:10 (1980), 684–698 |
37
|
|
1977 |
| 21. |
Е. М. Гершензон, “Спектральные и радиоспектроскопические исследования полупроводников на субмиллиметровых волнах”, УФН, 122:1 (1977), 164–174 ; E. M. Gershenzon, “Spectral and radiospectroscopic studies of semiconductors at submillimeter wavelengths”, Phys. Usp., 20:5 (1977), 456–462 |
5
|
|
|
|
1975 |
| 22. |
Е. М. Гершензон, Р. И. Рабинович, “Новая книга по теории твердого тела”, УФН, 115:2 (1975), 339–340 |
|
Обратная связь: