|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2003 |
| 1. |
И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский, “Накопление заряда в квантовых точках Ge в транзисторной структуре GaAs/ZnSe/KT–Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором”, Письма в ЖЭТФ, 78:12 (2003), 1289–1292  ; I. A. Litvinova, I. G. Neizvestnyi, A. V. Prozorov, S. P. Suprun, V. N. Sherstyakova, V. N. Shumskii, “Charge accumulation in Ge quantum dots in a GaAs/ZnSe/QD-Ge/ZnSe/Ge floating gate transistor structure”, JETP Letters, 78:12 (2003), 768–771  |
| 2. |
И. Ю. Бородин, И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, А. Б. Талочкин, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский, “Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge”, Письма в ЖЭТФ, 78:3 (2003), 184–187 ; I. Yu. Borodin, I. A. Litvinova, I. G. Neizvestnyi, A. V. Prozorov, S. P. Suprun, A. B. Talochkin, V. N. Sherstyakova, V. N. Shumskii, “Electric and photoelectric properties of GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al structures with Ge quantum dots”, JETP Letters, 78:3 (2003), 152–155 |
1
|
|
Обратная связь: