Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Petrovskii, A V

Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 6
Scientific articles: 5

Number of views:
This page:67
Abstract pages:1497
Full texts:688
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person85186
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2009
1. E. I. Davydova, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “High-power single-mode laser diodes based on carbon-doped quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 39:1 (2009),  18–20  mathnet  elib [Quantum Electron., 39:1 (2009), 18–20  isi] 3
2008
2. V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, D. R. Sabitov, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Influence of the InGaAs/(Al)GaAs quantum-well heterostructure growth features on the spectral characteristics of laser diodes”, Kvantovaya Elektronika, 38:2 (2008),  97–102  mathnet  elib [Quantum Electron., 38:2 (2008), 97–102  isi  scopus] 2
2005
3. V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Effect of GaAsP barrier layers on the parameters of InGaAs/AlGaAs laser diodes emitting in the 1050–1100-nm spectral range”, Kvantovaya Elektronika, 35:10 (2005),  909–911  mathnet [Quantum Electron., 35:10 (2005), 909–911  isi] 2
2002
4. P. V. Bulaev, O. I. Govorkov, I. D. Zalevskii, V. G. Krigel, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, “Influence of features of QW InGaAs/(Al)GaAs heterostructures grown by MOCVD on the emission spectrum of single-mode laser diodes”, Kvantovaya Elektronika, 32:3 (2002),  216–218  mathnet [Quantum Electron., 32:3 (2002), 216–218  isi]
5. P. V. Bulaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, D. B. Nikitin, A. V. Petrovskii, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, V. V. Os'kin, M. V. Zverkov, V. A. Simakov, G. M. Zverev, “High-power semiconductor 0.89 – 1.06-μm lasers with a low emission divergence based on strained quantum-well InGaAs/(Al)GaAs structures”, Kvantovaya Elektronika, 32:3 (2002),  213–215  mathnet [Quantum Electron., 32:3 (2002), 213–215  isi] 7

6. P. V. Bulaev, O. I. Govorkov, I. D. Zalevskii, V. G. Krigel, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, “Errata to the article: Influence of features of QW InGaAs/(Al)GaAs heterostructures grown by MOCVD on the emission spectrum of single-mode laser diodes”, Kvantovaya Elektronika, 32:6 (2002),  564  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
 Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024