|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
2018 |
| 1. |
V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, A. A. Sitnikova, P. N. Brunkov, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, “Optimization of the structural properties and surface morphology of a convex-graded In$_{x}$Al$_{1-x}$As ($x$ = 0.05–0.83) metamorphic buffer layer grown via MBE on GaAs (001)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:1 (2018), 127–132   ; Semiconductors, 52:1 (2018), 120–125 |
8
|
|
2016 |
| 2. |
V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, B. Ya. Mel'tser, A. N. Semenov, Ya. V. Terent'ev, D. D. Firsov, O. S. Komkov, S. V. Ivanov, “Metamorphic InAs/InGaAs/InAlAs quantum wells with submonolayer InSb insertions emitted in the mid-infrared spectral range”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:20 (2016), 33–39 ; Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1038–1040 |
9
|
|
2004 |
| 3. |
Yu. B. Vasil'ev, S. D. Suchalkin, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, P. S. Kop'ev, “Effect of the spin-orbit interaction on the cyclotron resonance of two-dimensional electrons”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 79:11 (2004), 674–679 ; JETP Letters, 79:11 (2004), 545–549  |
5
|
|
2002 |
| 4. |
S. A. Emel'yanov, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, “Observation of a light-induced nonohmic current in a toroidal-moment-possessive nanostructure”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 76:7 (2002), 547–549 ; JETP Letters, 76:7 (2002), 469–471 |
1
|
| 5. |
A. A. Greshnov, G. G. Zegrya, Yu. B. Vasil'ev, S. D. Suchalkin, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Cyclotron resonance in the InAs/GaSb heterostructure in an inclined magnetic field”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 76:4 (2002), 258–262 ; JETP Letters, 76:4 (2002), 222–226 |
2
|
| 6. |
Yu. B. Vasil'ev, V. A. Solov'ev, B. Ya. Mel'tser, A. N. Semenov, S. V. Ivanov, Yu. L. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Far infrared electroluminescence in cascade type-II heterostructures”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 75:8 (2002), 463–466 ; JETP Letters, 75:8 (2002), 391–394 |
1
|
|
1996 |
| 7. |
N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. V. Maksimov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh. I. Alferov, “Ordered quantum-dot arrays in semiconducting matrices”, UFN, 166:4 (1996), 423–428 ; Phys. Usp., 39:4 (1996), 393–398  |
18
|
|
1992 |
| 8. |
Zh. I. Alferov, A. Y. Egorov, A. E. Zhukov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs
на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом
молекулярно-пучковой эпитаксии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:10 (1992), 1715–1722 |
|
1990 |
| 9. |
P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, M. Y. Nadtochii, V. M. Ustinov, “Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии
гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:4 (1990), 717–719 |
| 10. |
Z. I. Alferov, V. V. Zhuravleva, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, V. I. Korol'kov, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, T. S. Tabarov, “Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании
в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990), 361–363 |
| 11. |
Z. I. Alferov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, S. V. Shaposhnikov, “(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As
напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990), 359–361 |
| 12. |
Zh. I. Alferov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, M. E. Lutsenko, “(Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$)
и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990), 201–203 |
| 13. |
Zh. I. Alferov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. E. Lutsenko, B. Ya. Mel'tser, M. I. Nemenov, V. M. Ustinov, S. V. Shaposhnikov, “Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей
в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО
лазерах с широким полоском”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990), 152–158 |
|
1989 |
| 14. |
P. S. Kop'ev, A. A. Budza, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. Y. Nadtochii, V. M. Ustinov, “INCREASING OF MOBILITY OF TWO-DIMENSIONAL ELECTRONS ON ALAS/GAAS
HETEROBOUNDARY AS COMPARED TO ALGAAS/GAAS IN HETEROSTRUCTURES WITH
SELECTIVE DELTA-ALLOYING”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:8 (1989), 68–71 |
|
1988 |
| 15. |
E. L. Ivchenko, P. S. Kop'ev, V. P. Kochereshko, I. N. Ural'tsev, D. R. Yakovlev, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. A. Kalitievskii, “Отражение в экситонной области спектра структуры с одиночной
квантовой ямой. Наклонное и нормальное падение света”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:5 (1988), 784–788 |
| 16. |
Z. I. Alferov, A. M. Vasilev, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. E. Lutsenko, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, “REDUCTION OF THRESHOLD CURRENT-DENSITY IN GAAS-ALGAAS DHS
QUANTUM-DIMENSIONAL LASERS(JN=52ACM-2,T=300-K) UNDER THE LIMITATION OF A
QUANTUM HOLE BY THE SHORT-PERIOD SUPERLATTICE WITH VARIABLE-PITCH”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:19 (1988), 1803–1807 |
5
|
|
1987 |
| 17. |
A. V. Akimov, A. A. Kaplyanskii, V. I. Kozub, P. S. Kop'ev, B. Ya. Mel'tser, “Effect of acoustic phonon pulses on the extrinsic luminescence of semiconductor quantum-well structures”, Fizika Tverdogo Tela, 29:6 (1987), 1843–1847 |
1
|
|
1986 |
| 18. |
P. S. Kop'ev, V. D. Kulakovskii, B. Ya. Mel'tser, B. N. Shepel', “Intrabarrier Recombination Radiation of GaAs$-$Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As Multilayer Structures with Quantum Wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:7 (1986), 1184–1189 |
| 19. |
A. M. Vasil'ev, P. S. Kop'ev, V. P. Kochereshko, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, I. N. Ural'tsev, V. M. Ustinov, D. R. Yakovlev, “Intrinsic Luminescence of GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As Sharp HelerojimcLiou”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986), 353–356 |
| 20. |
Zh. I. Alferov, R. O. Djaparidze, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, “Lasers based on heterostructures with active areas limited by multilayered lattices”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:9 (1986), 562–565 |
|
1985 |
| 21. |
N. N. Ledentsov, B. Ya. Ber, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, G. M. Minchev, “EFFECT OF GROWTH-CONDITIONS ON THE HUM ADDITIONS IN GAAS ALLOYED LAYERS
GROWN BY MBE METHODS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:1 (1985), 142–147 |
| 22. |
Z. I. Alferov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, B. Ya. Mel'tser, T. A. Polyanskaya, I. G. Savelev, V. M. Ustinov, Yu. V. Shmartsev, “Galvanomagnetic
Effects in $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs Heterostructures under high
Level Doped”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985), 1199–1203 |
| 23. |
Zh. I. Alferov, P. S. Kopv, B. Ya. Ber, A. M. Vasil'ev, S. V. Ivanov, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, I. N. Ural'tsev, D. R. Yakovlev, “Intrinsic and Impurity Luminescence in GaAs$-$AlGaAs Structures with Quantum Wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985), 715–721 |
|
1984 |
| 24. |
P. S. Kop'ev, B. Ya. Ber, S. V. Ivanov, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, “Effect of Growth Conditions on the Implantation of Background Impurities into Undoped GaAs Epitaxial Layers Grown by the Method of Molecular-Beam Epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984), 270–274 |
|
1983 |
| 25. |
B. Ya. Ber, A. E. Golberg, P. S. Kop'ev, B. Ya. Mel'tser, “Оже-профили состава резких гетеропереходов, выращенных методом
молекулярно-пучковой эпитаксии”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:12 (1983), 751–754 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: