Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Emtsev, Vadim Valentinovich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 44
Scientific articles: 44

Number of views:
This page:465
Abstract pages:2328
Full texts:794
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person65095
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2020
1. V. V. Emtsev, G. A. Oganesyan, “Towards the modeling of impurity-related defects in irradiated $n$-type germanium: a challenge to theory”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:11 (2020),  1188  mathnet; Semiconductors, 54:11 (2020), 1388–1394
2. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:1 (2020),  45  mathnet  elib; Semiconductors, 54:1 (2020), 46–54 1
2018
3. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, “Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:13 (2018),  1578  mathnet  elib; Semiconductors, 52:13 (2018), 1677–1685 1
4. V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:7 (2018),  804–811  mathnet  elib; Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 3
2017
5. V. V. Emtsev, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, “Radiation-produced defects in germanium: experimental data and models of defects”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:12 (2017),  1632–1646  mathnet  elib; Semiconductors, 51:12 (2017), 1571–1587 3
2016
6. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:10 (2016),  1313–1319  mathnet  elib; Semiconductors, 50:10 (2016), 1291–1298 8
7. V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, V. V. Lundin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, D. S. Poloskin, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, V. V. Kozlovsky, “Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:21 (2016),  39–46  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082 2
8. V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, A. V. Sakharov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, “The relationship between the reliability of transistors with 2D AlGaN/GaN channel and organization type of nanomaterial”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:13 (2016),  80–86  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 701–703 6
1992
9. V. G. Golubev, V. V. Emtsev, P. M. Klinger, G. I. Kropotov, Yu. V. Shmartsev, “Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78 и 300 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:3 (1992),  574–577  mathnet
10. V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, V. V. Mikhnovich, “Пары Френкеля в германии и кремнии (Обзор)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:1 (1992),  22–44  mathnet
1991
11. V. V. Emtsev, P. M. Klinger, V. I. Fistul, Yu. V. Shmartsev, “Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991),  997–1003  mathnet
12. V. V. Emtsev, P. M. Klinger, K. M. Mirazizyan, “Зависимость скорости образования вторичных дефектов в $p$-Si от интенсивности электронного облучения”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991),  561–564  mathnet
13. V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, D. S. Poloskin, “Проявление пар Френкеля в $p$-германии при низкотемпературном $\gamma$-облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  191–196  mathnet
14. V. V. Emtsev, P. M. Klinger, T. V. Mashovets, “Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991),  45–49  mathnet
15. V. V. Emtsev, Y. N. Daluda, “DEVELOPMENT OF DEFECTS IN Y1BA2CU3O7-X MONOCRYSTALLINE FILMS UNDER NEAR-THRESHOLD AND ABOVE-THRESHOLD IRRADIATIONS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:20 (1991),  84–88  mathnet
1990
16. V. V. Emtsev, P. M. Klinger, T. V. Mashovets, K. M. Mirazizyan, “Влияние условий электронного облучения на скорость образования $A$-центров в $n$-кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:7 (1990),  1209–1212  mathnet
17. V. V. Emtsev, Y. N. Daluda, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, V. B. Neimash, R. S. Antonenko, K. Shmalts, “Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии при «горячем» $\gamma$-облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990),  374–376  mathnet
1989
18. V. V. Mikhnovich, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, N. A. Vitovskiy, “Dependence of the efficiency of homogeneous Frenkel pair annihilation in crystals on irradiation intensity”, Fizika Tverdogo Tela, 31:3 (1989),  306–308  mathnet
19. A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Влияние параметров импульсного электронного облучения на эффективность образования дефектов в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2221–2223  mathnet
20. N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, V. V. Mikhnovich, D. S. Poloskin, “Эффективность образования точечных дефектов в $n$- и $p$-Ge в условиях облучения при 77 и 300 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989),  425–428  mathnet
21. N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, V. V. Mikhnovich, “Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989),  184–185  mathnet
1988
22. N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, D. S. Poloskin, “Эффективность взаимодействия вакансий с донорами V группы в $n$-германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:8 (1988),  1483–1486  mathnet
23. V. V. Emtsev, A. V. Dabagyan, N. A. Vitovskiy, T. V. Mashovets, “Основные характеристики пары Френкеля в германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:5 (1988),  924–926  mathnet
24. A. V. Dabagyan, V. V. Emtsev, “Отжиг метастабильных пар Френкеля, образующихся в германии $n$-типа при низкотемпературном гамма-облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988),  747–750  mathnet
25. A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Влияние интенсивности импульсного электронного облучения на образование дефектов в $p$-кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988),  502–504  mathnet
1987
26. V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, A. G. Abdusattarov, “Interaction of Eigen Point Defects with Impurity Phosphorus Atoms in $n$-Type Silicon under Electron (Pulsed) Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987),  2106–2109  mathnet
27. V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, A. V. Dabagyan, “Equilibrium Level of Vacancy Filling in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1888–1892  mathnet
28. N. A. Vitovskiy, A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, D. S. Poloskin, “Lifetime of Free Vacancies and Eigen Interstitial Atoms in n-Type Germanium under Electron and Gamma Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1826–1831  mathnet
29. Y. N. Daluda, V. V. Emtsev, P. D. Kervalishvili, V. I. Petrov, K. Shmalts, “Effect of Thermal Treatment on Rearrangement of Oxygen-Containing Defects in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:7 (1987),  1283–1288  mathnet
30. V. V. Emtsev, N. A. Vitovskiy, T. V. Mashovets, “Energy Spectrum and Processes of Migration of Frenkel-Pair Components in Germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  145–149  mathnet
1986
31. N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Ionization-Induced Annealing of Frenkel Pairs in Germanium and Silicon under Electron and Gamma Irradiation at Helium Temperatures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  840–843  mathnet
32. N. Yu. Arutyunov, V. V. Emtsev, V. Yu. Trashchakov, E. E. Rubinova, “Annihilation Gamma-Quanta Angular-Distribution Anisotropy due to Radiation-Induced Defects in Neutron-Irradiated Germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986),  552–555  mathnet
33. A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, V. N. Lomasov, T. V. Mashovets, “Rate of $A$-Center Formation in Silicon under Electron Pulsed Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986),  164–167  mathnet
34. A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Donor group bounding into electrically nonactive complexes during electron P-germanium with the 1-MeV energy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:23 (1986),  1461–1464  mathnet
1985
35. V. V. Emtsev, M. A. Margaryan, T. V. Mashovets, “Difference between the Processes of Defect Formation under $\gamma$-Irradiation in $p$-Type Silicon at 6.5 and 78 К”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  296–299  mathnet
1984
36. V. V. Emtsev, M. A. Margaryan, T. V. Mashovets, “Определение энергетических характеристик вакансии в кремнии как центра с отрицательной корреляционной энергией”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1516–1519  mathnet
37. V. V. Emtsev, M. A. Margaryan, T. V. Mashovets, “Образование точечных дефектов в чистом $p$-Si под действием гамма-лучей при 6.5 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1505–1508  mathnet
38. V. V. Emtsev, M. A. Margaryan, “POINT-DEFECTS, OCCURRING IN SILICON WITH BORON, GALLIUM AND INDIUM ADMIXTURES DURING LOW-TEMPERATURE GAMMA-IRRADIATION”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:17 (1984),  1063–1065  mathnet 1
1983
39. N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “О распределении пар Френкеля, возникающих в германии при облучении, по расстояниям между их компонентами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983),  1985–1990  mathnet
40. E. D. Vasil'eva, V. V. Emtsev, “Рекомбинационные центры радиационного происхождения в германии $n$-типа”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983),  724–725  mathnet
41. V. V. Emtsev, M. A. Margaryan, T. V. Mashovets, “Об энергетическом спектре вакансии в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:2 (1983),  350–352  mathnet
42. E. D. Vasil'eva, V. V. Emtsev, “Процессы дефектообразования в Ge$\langle\text{Hg}\rangle$ при гамма-облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  173–176  mathnet
43. E. D. Vasil'eva, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Влияние условий облучения на взаимодействие примеси золота с собственными дефектами в германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  52–56  mathnet
44. E. D. Vasil'eva, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Взаимодействие галлия с собственными дефектами в германии при гамма-облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  35–39  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024