Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Voronkov, Vladimir Borisovich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 30
Scientific articles: 30

Number of views:
This page:89
Abstract pages:1595
Full texts:753

https://www.mathnet.ru/eng/person161946
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=26769

Publications in Math-Net.Ru Citations
2019
1. E. V. Astrova, V. B. Voronkov, A. V. Nashchekin, A. V. Parfeneva, D. A. Lozhkina, M. V. Tomkovich, Yu. A. Kukushkina, “Formation of porous silicon by nanopowder sintering”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:4 (2019),  540–549  mathnet  elib; Semiconductors, 53:4 (2019), 530–539 3
2. E. V. Astrova, V. P. Ulin, A. V. Parfeneva, V. B. Voronkov, “Fluorocarbon carbonization of nanocrystalline silicon”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:13 (2019),  29–32  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 664–667 7
2017
3. E. V. Astrova, N. E. Preobrazhenskii, S. I. Pavlov, V. B. Voronkov, “Characteristic properties of macroporous silicon sintering in an argon atmosphere”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:9 (2017),  1213–1222  mathnet  elib; Semiconductors, 51:9 (2017), 1164–1173 1
4. E. V. Astrova, N. E. Preobrazhenskii, S. I. Pavlov, V. B. Voronkov, “High-temperature annealing of macroporous silicon in an inert-gas flow”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:9 (2017),  1202–1212  mathnet  elib; Semiconductors, 51:9 (2017), 1153–1163 5
5. N. E. Preobrazhenskii, E. V. Astrova, S. I. Pavlov, V. B. Voronkov, A. M. Rumyantsev, V. V. Zhdanov, “Anodes for Li-ion batteries based on $p$-Si with self-organized macropores”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:1 (2017),  79–88  mathnet  elib; Semiconductors, 51:1 (2017), 78–87 10
1992
6. L. S. Berman, V. B. Voronkov, V. A. Kozlov, A. D. Remenyuk, “О механизме отжига дивакансий в кремнии, облученном протонами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:8 (1992),  1507–1509  mathnet
7. E. V. Astrova, V. B. Voronkov, Y. N. Daluda, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “NATURE OF P-LAYER FORMED IN SEMICONDUCTING WAFER INTERFACES UNDER SOLID-PHASE DIRECT SILICON BONDING”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:14 (1992),  51–56  mathnet
1991
8. V. B. Voronkov, A. S. Ivanov, K. F. Komarovskikh, D. G. Letenko, A. B. Fedortsov, Y. V. Churkin, “CONTROL OF VOLUME LIFE TIME AND THE VELOCITY OF SURFACE RECOMBINATION OF CHARGE-CARRIERS IN SEMICONDUCTORS BY INFRARED-LASER SOUNDING TECHNIQUE”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 61:2 (1991),  104–108  mathnet
9. V. B. Voronkov, I. V. Grekhov, V. A. Kozlov, “Контроль качества интерфейса методом лазерного сканирования при прямом сращивании кремниевых пластин”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  208–216  mathnet
1990
10. L. S. Berman, N. A. Vitovskiy, V. B. Voronkov, V. N. Lomasov, V. N. Tkachenko, “Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:7 (1990),  1213–1215  mathnet
11. V. M. Volle, V. B. Voronkov, I. V. Grekhov, V. A. Kozlov, “CONDUCTING OF DIRECT SILICON FUSION UNDER NON-DUST-FREE AIR MEDIA”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:17 (1990),  61–65  mathnet
12. V. M. Volle, V. B. Voronkov, I. V. Grekhov, V. A. Kozlov, “STRAIGHT-LINE OF DIODES PREPARED BY THE SDB (SILICON TO SILICON DIRECT BONDING) METHOD”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:14 (1990),  6–9  mathnet
13. E. V. Astrova, V. B. Voronkov, I. B. Grekhov, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “HYDROPHILIZATION OF A SURFACE UNDER THE DIRECT SILICON FUSION”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:4 (1990),  1–4  mathnet
1989
14. L. S. Berman, N. A. Vitovskiy, V. B. Voronkov, V. N. Lomasov, A. D. Remeshok, V. N. Tkachenko, M. G. Tolstobrov, “Скорость введения и профиль концентрации $A$-центров в $n$-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  753–756  mathnet
15. V. M. Volle, V. B. Voronkov, I. V. Grekhov, V. A. Kozlov, “FORMING OF R-P TRANSITIONS BY THE SILICON TO SILICON DIRECT BONDING METHOD”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:18 (1989),  59–63  mathnet
1988
16. L. S. Berman, V. B. Voronkov, I. V. Grekhov, I. M. Kotina, K. S. Kushashvili, “FORMATION AND ANNEALING OF RADIATION DEFECTS IN SILICON P-N DIODES WITH LITHIUM ADMIXTURE”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:7 (1988),  1436–1439  mathnet
17. V. M. Volle, V. B. Voronkov, V. A. Kozlov, E. Shteinbais, K. Shtenbek, V. Ekke, “PASSIVATING PROPERTIES OF SILICON-OXIDES APPLIED ON THE SURFACE OF SILICON HIGH-VOLTAGE P-N TRANSITIONS BY THE CATHODE-REACTIVE SPUTTERING”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:1 (1988),  132–135  mathnet
18. E. V. Astrova, V. M. Volle, V. B. Voronkov, I. V. Grekhov, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “SUPER HIGH-VOLTAGE SILICOR R-P-TRANSITIONS WITH THE BREAKDOWN PRESSURE HIGHER-THAN-20-KV”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:11 (1988),  972–975  mathnet
1987
19. V. M. Volle, V. B. Voronkov, I. V. Grekhov, G. M. Gusinskiy, V. A. Kozlov, V. O. Naidenov, “OPTIMIZATION OF FREQUENCY AND STATISTIC CHARACTERISTICS OF POWER SEMICONDUCTING DEVICES BY CREATION OF HIGH RECOMBINATION LOCAL ZONES IN BASIC FIELDS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 57:10 (1987),  1925–1929  mathnet
20. N. V. Borovikova, V. M. Volle, V. B. Voronkov, V. N. Gligalo, I. V. Grekhov, M. L. Kojuh, “POTENTIALITY OF PREPARATION OF LOW-OMHIM NEITRON-ALLOYED SILICON ON THE RBMK-1000 REACTOR”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 57:6 (1987),  1127–1129  mathnet
21. L. S. Berman, V. B. Voronkov, A. D. Remenyuk, M. G. Tolstobrov, “On the Energy Levels of a Divacancy in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  140–144  mathnet
1986
22. V. M. Volle, V. B. Voronkov, V. N. Gligalo, I. V. Grekhov, M. L. Kojuh, V. A. Kozlov, “NEUTRON-ALLOYED HIGH-RESISTANT SILICON (NAS) - PRODUCTION AND PROPERTIES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:6 (1986),  1174–1179  mathnet
23. E. V. Astrova, V. M. Volle, V. B. Voronkov, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “Effect of Deep Levels on Breakdown Voltage of Diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:11 (1986),  2122–2125  mathnet
24. L. S. Berman, V. B. Voronkov, M. L. Kojuh, K. Sh. Kushashvili, M. G. Tolstobrov, “On the Nature of Recombination Centers in $p$-Type Silicon Irradiated by $\gamma$-Quanta”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986),  1100–1102  mathnet
1985
25. V. M. Volle, V. B. Voronkov, I. V. Grekhov, V. A. Kozlov, “HEAVY-CURRENT MICROSECOND THYRISTOR COMMUTATOR CONTROLLED BY LIGHT-PULSES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:8 (1985),  1570–1575  mathnet
26. E. V. Astrova, V. B. Voronkov, A. A. Lebedev, B. M. Urunbaev, “Study of Thermal Defects in High-Resistance $n$-Type Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1709–1711  mathnet
1984
27. N. T. Bagraev, L. S. Vlasenko, V. M. Volle, V. B. Voronkov, I. V. Grekhov, V. V. Dobrovensky, A. I. Shagun, “POSSIBILITIES OF INCREASING THERMAL-STABILITY OF SINGLE-CRYSTAL SILICON FOR HIGH-POWER SEMICONDUCTOR-DEVICES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:5 (1984),  917–928  mathnet
28. N. T. Bagraev, L. S. Vlasenko, V. M. Volle, V. B. Voronkov, I. V. Grekhov, Yu. A. Karpov, B. M. Turovsky, “THERMAL-STABILITY OF SILICON, ALLOYED BY REE ADMIXTURES DURING GROWTH BY THE CHOKHRALSKII METHOD”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:1 (1984),  207–208  mathnet
29. N. T. Bagraev, L. S. Vlasenko, V. M. Volle, V. B. Voronkov, I. V. Grekhov, M. L. Kojuh, V. A. Kozlov, “SUPERHIGH-VOLT P-N-JUNCTIONS BASED ON NEUTRON-ALLOYED SILICON, CONTAINING RARE-EARTH ELEMENTS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:14 (1984),  880–882  mathnet
1983
30. V. B. Voronkov, A. A. Lebedev, V. M. Rozhkov, “Фото-ЭПР кремния, легированного железом, в обратно смещенном $p{-}n$-переходе”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1344–1347  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024