Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Mashovets, Tat'yana Vadimovna
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 32
Scientific articles: 32

Number of views:
This page:95
Abstract pages:1690
Full texts:618
Doctor of physico-mathematical sciences (1974)
Speciality: 01.04.10 (Physcics of semiconductors)

https://www.mathnet.ru/eng/person161150
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=28871

Publications in Math-Net.Ru Citations
1992
1. V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, V. V. Mikhnovich, “Пары Френкеля в германии и кремнии (Обзор)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:1 (1992),  22–44  mathnet
1991
2. V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, D. S. Poloskin, “Проявление пар Френкеля в $p$-германии при низкотемпературном $\gamma$-облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  191–196  mathnet
3. V. V. Emtsev, P. M. Klinger, T. V. Mashovets, “Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991),  45–49  mathnet
1990
4. V. V. Emtsev, P. M. Klinger, T. V. Mashovets, K. M. Mirazizyan, “Влияние условий электронного облучения на скорость образования $A$-центров в $n$-кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:7 (1990),  1209–1212  mathnet
1989
5. V. V. Mikhnovich, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, N. A. Vitovskiy, “Dependence of the efficiency of homogeneous Frenkel pair annihilation in crystals on irradiation intensity”, Fizika Tverdogo Tela, 31:3 (1989),  306–308  mathnet
6. A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Влияние параметров импульсного электронного облучения на эффективность образования дефектов в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2221–2223  mathnet
7. R. F. Vitman, N. A. Vitovskiy, A. A. Lebedev, T. V. Mashovets, L. V. Nalbandyan, “Исследование скоплений компенсирующих центров в $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:11 (1989),  2066–2069  mathnet
8. N. A. Vitovskiy, T. V. Mashovets, L. V. Nalbandyan, “Скопления атомов меди в германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989),  911–914  mathnet
9. N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, V. V. Mikhnovich, D. S. Poloskin, “Эффективность образования точечных дефектов в $n$- и $p$-Ge в условиях облучения при 77 и 300 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989),  425–428  mathnet
10. N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, V. V. Mikhnovich, “Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989),  184–185  mathnet
1988
11. N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, D. S. Poloskin, “Эффективность взаимодействия вакансий с донорами V группы в $n$-германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:8 (1988),  1483–1486  mathnet
12. V. V. Emtsev, A. V. Dabagyan, N. A. Vitovskiy, T. V. Mashovets, “Основные характеристики пары Френкеля в германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:5 (1988),  924–926  mathnet
13. A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Влияние интенсивности импульсного электронного облучения на образование дефектов в $p$-кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988),  502–504  mathnet
1987
14. V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, A. G. Abdusattarov, “Interaction of Eigen Point Defects with Impurity Phosphorus Atoms in $n$-Type Silicon under Electron (Pulsed) Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987),  2106–2109  mathnet
15. V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, A. V. Dabagyan, “Equilibrium Level of Vacancy Filling in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1888–1892  mathnet
16. N. A. Vitovskiy, A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, D. S. Poloskin, “Lifetime of Free Vacancies and Eigen Interstitial Atoms in n-Type Germanium under Electron and Gamma Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1826–1831  mathnet
17. V. V. Emtsev, N. A. Vitovskiy, T. V. Mashovets, “Energy Spectrum and Processes of Migration of Frenkel-Pair Components in Germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  145–149  mathnet
1986
18. N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Ionization-Induced Annealing of Frenkel Pairs in Germanium and Silicon under Electron and Gamma Irradiation at Helium Temperatures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  840–843  mathnet
19. A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, V. N. Lomasov, T. V. Mashovets, “Rate of $A$-Center Formation in Silicon under Electron Pulsed Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986),  164–167  mathnet
20. A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Donor group bounding into electrically nonactive complexes during electron P-germanium with the 1-MeV energy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:23 (1986),  1461–1464  mathnet
1985
21. V. V. Emtsev, M. A. Margaryan, T. V. Mashovets, “Difference between the Processes of Defect Formation under $\gamma$-Irradiation in $p$-Type Silicon at 6.5 and 78 К”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  296–299  mathnet
22. M. I. Klinger, Ch. B. Lushchik, T. V. Mashovets, G. A. Kholodar, M. K. Sheĭnkman, M. A. Élango, “Defect formation in solids by decay of electronic excitations”, UFN, 147:3 (1985),  523–558  mathnet 57
1984
23. N. A. Vitovskiy, T. S. Lagunova, T. V. Mashovets, O. Rakhimov, “Пространственное распределение электрически активных центров в $n$-арсениде галлия и его изменения при гамма-облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984),  1593–1596  mathnet
24. V. V. Emtsev, M. A. Margaryan, T. V. Mashovets, “Определение энергетических характеристик вакансии в кремнии как центра с отрицательной корреляционной энергией”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1516–1519  mathnet
25. V. V. Emtsev, M. A. Margaryan, T. V. Mashovets, “Образование точечных дефектов в чистом $p$-Si под действием гамма-лучей при 6.5 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1505–1508  mathnet
26. N. A. Vitovskiy, O. V. Emel'yanenko, T. S. Lagunova, T. V. Mashovets, O. Rakhimov, “INCREASED ACCUMULATIONS OF COMPENSATING CENTERS IN SEMICONDUCTORS BY GAMMA-RAYS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:14 (1984),  860–862  mathnet
1983
27. N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “О распределении пар Френкеля, возникающих в германии при облучении, по расстояниям между их компонентами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983),  1985–1990  mathnet
28. N. T. Bagraev, N. A. Vitovskiy, L. S. Vlasenko, T. V. Mashovets, O. Rakhimov, “Скопления электрически активных центров в термообработанном кремнии, выращенном по методу Чохральского”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983),  1979–1984  mathnet
29. T. V. Mashovets, N. A. Vitovskiy, “Проявление примесного ионизационного механизма (ПИМ) образования дефектов в антимониде индия при «надпороговом» облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983),  521–523  mathnet
30. V. V. Emtsev, M. A. Margaryan, T. V. Mashovets, “Об энергетическом спектре вакансии в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:2 (1983),  350–352  mathnet
31. E. D. Vasil'eva, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Влияние условий облучения на взаимодействие примеси золота с собственными дефектами в германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  52–56  mathnet
32. E. D. Vasil'eva, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Взаимодействие галлия с собственными дефектами в германии при гамма-облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  35–39  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024