Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Garbuzov, Dmitry Zalmanovich
(1940–2006)
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 79
Scientific articles: 79

Number of views:
This page:264
Abstract pages:4910
Full texts:2106
Corresponding member of RAS
Doctor of physico-mathematical sciences (1978)
Speciality: 01.04.10 (Physcics of semiconductors)
Birth date: 27.10.1940

https://www.mathnet.ru/eng/person87695
https://ru.wikipedia.org/wiki/Garbuzov,_Dmitrii_Zalmanovich
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
1991
1. D. Z. Garbuzov, I. E. Berishev, Y. V. Ilin, N. D. Il'inskaya, A. V. Ovchinnikov, N. A. Pikhtin, N. L. Rassudov, I. S. Tarasov, “Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров ($\lambda=1.3$ мкм) с мощностью излучения 160 мВт”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1414–1418  mathnet
2. D. Z. Garbuzov, I. E. Berishev, Y. V. Ilin, N. D. Il'inskaya, N. A. Pikhtin, A. V. Ovchinnikov, I. S. Tarasov, “GROWN SINGLE-MODE CONTINUOUS INGAASP/INP SEPARATE CONFINEMENT LASERS WITH (LAMBDA = 1.3 MU-M)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:6 (1991),  17–21  mathnet
3. D. Z. Garbuzov, Yu. V. Il'in, D. A. Kocherov, A. V. Ovchinnikov, A. F. Solodkov, I. S. Tarasov, N. V. Shelkov, S. D. Yakubovich, “Direct amplitude modulation of the radiation emitted by (InGa)AsP/InP double-heterostructure lasers (λ = 1.3 μm) with separate confinement”, Kvantovaya Elektronika, 18:3 (1991),  281–286  mathnet [Sov J Quantum Electron, 21:3 (1991), 251–255  isi]
1990
4. I. E. Berishev, D. Z. Garbuzov, S. E. Goncharov, Y. V. Ilin, A. V. Mikhailov, A. V. Ovchinnikov, N. A. Pikhtin, E. U. Rafailov, I. S. Tarasov, “OPTICAL MODULE BASED ON QUANTUM-DIMENTIONAL INGAASP-INP LASER OF (LAMBDA=1.3 MU-M) WATT RANGE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:21 (1990),  35–41  mathnet
5. D. Z. Garbuzov, S. V. Zaitsev, Y. V. Ilin, T. A. Nalet, A. V. Ovchinnikov, I. S. Tarasov, “DEPENDENCE OF THRESHOLD CURRENT-DENSITY AND DIFFERENTIAL QUANTUM EFFICIENCY OF SEPARATE CONFINEMENT DHS INGAASP/INP (LAMBDA=1,3MU-M) LASERS ON OUTLET LOSSES”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:9 (1990),  50–54  mathnet 1
6. N. N. Ablyazov, D. Z. Garbuzov, V. B. Khalfin, “Possibility of increasing the maximum radiation intensity in heterolasers with a wide waveguide”, Kvantovaya Elektronika, 17:11 (1990),  1411–1414  mathnet [Sov J Quantum Electron, 20:11 (1990), 1320–1323  isi] 1
7. D. Z. Garbuzov, Yu. V. Il'in, A. V. Ovchinnikov, È. U. Rafailov, I. S. Tarasov, N. V. Fomin, “Distribution and spatial coherence of radiation fields of InGaAsP/lnP double-heterostructure separate-confinement lasers emitting at λ = 1.3 μm”, Kvantovaya Elektronika, 17:1 (1990),  14–16  mathnet [Sov J Quantum Electron, 20:1 (1990), 9–11  isi]
1989
8. D. Z. Garbuzov, S. V. Zaicev, V. B. Ptashnik, I. S. Tarasov, F. A. Chudnovskii, “OPTICAL REVERSIVE REGISTRATION OF INFORMATION ON VO2 FILMS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:10 (1989),  174–177  mathnet
9. D. Z. Garbuzov, A. V. Vasil'ev, E. V. Zhuravkevich, V. P. Chalyi, A. L. Termartirosyan, A. V. Ovchinnikov, V. B. Khalfin, “EFFECT OF INNER FLOWS IN ALLOY DURING THE EPITAXIAL LAYER GROWTH, ON THE MOVING SUBLAYER”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:1 (1989),  92–97  mathnet
10. V. Yu. Petrun'kin, V. S. Sysuev, A. S. Csherbakov, D. Z. Garbuzov, Y. V. Ilin, I. S. Tarasov, “FORMATION OF HIGH-FREQUENCY TRAIN OF PICOSECOND OPTICAL PULSES AT 1.32-MU-M WAVE-LENGTH”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:24 (1989),  64–68  mathnet
11. D. Z. Garbuzov, A. B. Gulakov, A. V. Kochergin, N. A. Strugov, V. P. Chalyi, “DOUBLE PUMPING OF INGAASP/GAAS-BASED YAG-LASERS (P1.06=320 MV, EFFICIENCY-12-PERCENT)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:24 (1989),  15–21  mathnet
12. V. Yu. Petrun'kin, V. M. Sisuev, A. S. Csherbakov, D. Z. Garbuzov, Y. V. Ilin, A. V. Ovchinnikov, I. S. Tarasov, “SOURCE OF PICOSECOND PULSES FOR HIGH-SPEED SOLITON SYSTEM OF INFORMATION-TRANSFER”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:9 (1989),  25–29  mathnet
13. D. Z. Garbuzov, S. N. Zhigulin, I. A. Mokina, T. A. Nalet, M. A. Sinicin, N. A. Strugov, A. P. Shkurko, B. S. Yavich, “OXIDE-BAND AND OVERGROWN ALGAAS/GAAS QUANTUM-DIMENSIONAL LASERS, MANUFACTURED BY THE MOC-HYDRIDE EPITAXY METHOD”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:1 (1989),  20–25  mathnet
14. D. Z. Garbuzov, V. V. Dedysh, A. V. Kochergin, N. V. Kravtsov, O. E. Nanii, V. E. Nadtocheev, N. A. Strugov, V. V. Firsov, A. N. Shelaev, “Garnet chip laser pumped by an InGaAsP/GaAs laser”, Kvantovaya Elektronika, 16:12 (1989),  2423–2425  mathnet [Sov J Quantum Electron, 19:12 (1989), 1557–1558  isi] 8
1988
15. Z. I. Alferov, D. Z. Garbuzov, S. N. Zhigulin, I. A. Kuzmin, B. B. Orlov, M. A. Sinicin, N. A. Strugov, V. E. Tokranov, B. S. Yavich, “Квантово-размерные лазерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, полученные МОС гидридным методом. Квантовый выход люминесценции и пороги генерации”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:12 (1988),  2111–2117  mathnet
16. Zh. I. Alferov, D. Z. Garbuzov, A. G. Denisov, V. P. Evtikhiev, A. B. Komissarov, A. P. Senichkin, V. N. Skorokhodov, V. E. Tokranov, “Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:12 (1988),  2105–2110  mathnet
17. D. Z. Garbuzov, A. V. Tikunov, S. N. Zhigulin, Z. N. Sokolova, V. B. Khalfin, “Влияние насыщения усиления на пороговые характеристики квантово-размерных InGaAsP/GaAs-гетеролазеров”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1035–1039  mathnet
18. Zh. I. Alfrove, N. Yu. Antonishkis, I. N. Arsent'ev, D. Z. Garbuzov, V. I. Kolyshkin, T. A. Nalet, N. A. Strugov, A. V. Tikunov, “Квантово-размерные InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.86\div0.78}$ мкм) лазеры раздельного ограничения (${J_{\text{п}}=100\,\text{А/см}^{2}}$, КПД${}=59$%)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1031–1034  mathnet
19. D. Z. Garbuzov, V. P. Chalyi, A. E. Svetlokuzev, V. B. Khalfin, A. L. Termartirosyan, “Оже-рекомбинация и разогрев носителей при высоком уровне фотовозбуждения квантово-размерных гетероструктур InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм) и InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.85}$ мкм)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988),  657–663  mathnet
20. M. I. Belovolov, D. Z. Garbuzov, E. M. Dianov, S. V. Zaitsev, A. P. Kryukov, I. S. Tarasov, “BISTABLE REGIME OF GENERATION OF QUANTUM-DIMENSIONAL INGAASP/INP-LASERS WITH EXTERNAL DISPERSION RESONATOR”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:23 (1988),  2128–2132  mathnet
21. M. I. Belovolov, D. Z. Garbuzov, E. M. Dianov, S. V. Zaitsev, A. P. Kryukov, I. S. Tarasov, “CURRENT RETUNING CHARACTERISTICS OF INGAASP/INP HETEROLASERS WITH AN EXTERNAL DISPERSION RESONATOR”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:23 (1988),  2116–2120  mathnet
22. N. Yu. Antonishkis, I. N. Arsent'ev, D. Z. Garbuzov, V. I. Kolyshkin, A. B. Komissarov, A. V. Kochergin, T. A. Nalet, N. A. Strugov, “POWER CONTINUOUS INGAASP/GAAS HETEROLASER WITH THE DIELECTRIC MIRROR (IPOR=100A/CM2,D=1.1WATT,EFFICIENCY=66-PERCENT,T=10-DEGREES-C”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:8 (1988),  699–702  mathnet
23. I. N. Arsent'ev, N. A. Bert, A. V. Vasil'ev, D. Z. Garbuzov, E. V. Zhuravkevich, S. G. Konnikov, A. O. Kosogov, A. V. Kochergin, N. N. Faleev, L. I. Flaks, “MULTI-LAYERED STRUCTURES IN THE JN-GA-AS-P SYSTEM PREPARED BY THE LIQUID EPITAXY METHOD”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:7 (1988),  593–597  mathnet
24. D. Z. Garbuzov, S. V. Zaitsev, V. I. Kolyshkin, T. A. Nalet, A. V. Ovchinnikov, I. S. Tarasov, “MS INGAASP/INP (LAMBDA=1.3-MU-M) QUANTUM DIMENSIONAL SEPARATE CONFINEMENT LASERS (JPOR=380A/CM2,P=0.5 BT, T=18-DEGREES-C)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:3 (1988),  241–246  mathnet
25. D. Z. Garbuzov, S. V. Zaitsev, V. I. Kolyshkin, M. M. Kulagina, I. A. Mokina, A. B. Nivin, A. V. Ovchinnikov, I. S. Tarasov, “OVERGROWN CONTINUOUS INGAASP-INP (LAMBDA=1,3-MU-M) SEPARATE CONFINEMENT LASERS (J=360A-CM2,P=360-MVT,T=18-DEGREES-C)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:2 (1988),  99–104  mathnet
1987
26. D. Z. Garbuzov, S. V. Zaicev, N. D. Il'inskaya, V. I. Kolyshkin, A. V. Ovchinnikov, I. S. Tarasov, M. K. Trukan, “STUDY OF THE DURABILITY OF CONTINUOUS INGAASP/INP (LAMBDA=1.3 MU-M) MS SEPARATE CONFINEMENT LASERS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 57:9 (1987),  1822–1824  mathnet
27. Z. I. Alferov, N. Yu. Antonishkis, I. N. Arsent'ev, D. Z. Garbuzov, A. V. Tikunov, V. B. Khalfin, “Low-Threshold Quantum-Dimensional InGaAsP/GaAs Double-Heterostructure Lasers of Separate Limitation Produced by Liquid Epitaxy (${\lambda=0.86}$ $\mu m$, ${I_{\text{п}}=90\,\text{A/cm}^{2}}$, ${L=\infty}$; ${I_{\text{п}}=165\,\text{A/cm}^{2}}$, ${L=1150}$ $\mu m$, ${T=300}$ K)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:8 (1987),  1501–1503  mathnet
28. A. V. Chudinov, V. P. Chalyi, A. E. Svetlokuzev, A. V. Vasil'ev, A. L. Termartirosyan, D. Z. Garbuzov, “Photoluminescent Studies of InGaAsP/InP Heterostructures with Active Region of $40\div 1000$ ÅThickness”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:7 (1987),  1217–1222  mathnet
29. D. Z. Garbuzov, A. V. Tikunov, V. B. Khalfin, “Influence of Amplification Saturation and Quantum-Dimensional Effects on Threshold Characteristics of Lasers with Superthin Active Regions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:6 (1987),  1085–1094  mathnet
30. Zh. I. Alferov, D. Z. Garbuzov, S. V. Zaicev, A. B. Nivin, A. V. Ovchinnikov, I. S. Tarasov, “Quantum-Dimensional InGaAsP/InP Double-Heterostructure Lasers of Separate Limitation with ${\lambda=1.3}$ $\mu m$ (${J_{\text{п}}=410\,\text{А/cm}^{2}}$, ${T=23^{\circ}}$С)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:5 (1987),  824–829  mathnet
31. D. Z. Garbuzov, V. P. Chalyi, A. V. Chudinov, A. E. Svetlokuzev, A. V. Ovchinnikov, “Quantum-Dimensional Effects in Luminescence Spectra of Liquid-Phase InGaAsP/InP Heterostructures with Active Region of 230$-$60 ÅThickness”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987),  437–441  mathnet
32. I. N. Arsent'ev, N. Yu. Antonishkis, D. Z. Garbuzov, V. V. Krasovskii, A. B. Komissarov, V. B. Khalfin, “Quantum-Dimensional Effects in Liquid-Phase InGaAsP/GaAs Heterostructures with Active-Ran Thickness between 40 and 300 Å”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  178–181  mathnet
33. Z. I. Alferov, N. Yu. Antonishkis, I. N. Arsent'ev, D. Z. Garbuzov, V. V. Krasovskii, A. V. Tikunov, V. B. Khalfin, “Quantum-Dimensional InGaAsP/GaAs Separate-Limitation Double-Heterostructure Lasers Produced by Liquid-Epitaxy Method (${\lambda=0.79}\,\mu m,$ ${I_{\text{п}}=124\,\text{A/cm}^{2}}$, ${T=300}$ K)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  162–164  mathnet
34. Zh. I. Alferov, D. Z. Garbuzov, N. Yu. Daviduk, S. V. Zaitsev, A. B. Nivin, A. V. Ovchinnikov, N. A. Strugov, I. S. Tarasov, “Continuous $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ ($\lambda=1.3$ mu-m) separate confinement lasers of 270 mVt ($T=20^{\circ}$ C, $I=900$ mA, exterior dielectric mirror)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:9 (1987),  552–557  mathnet
35. D. Z. Garbuzov, S. V. Zaitsev, N. D. Il'inskaya, K. Yu. Kizhaev, A. B. Nivin, A. V. Ovchinnikov, N. A. Strugov, I. S. Tarasov, “Power separate confinement $In\,Ga\,As\,P/In\,P$-based lasers for FOCD ($\lambda=1,55$ mu-m, $T=300$ K, $P=50$ mVt)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:9 (1987),  535–537  mathnet
36. Zh. I. Alferov, I. N. Arsent'ev, D. Z. Garbuzov, N. A. Strugov, A. V. Tikunov, E. I. Chudinova, “Visible $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ separate confinement lasers, manufactured by the liquid epitaxy-method ($\lambda=0.65\div0.67$ mu-m, $I_n=3\div0.8\,\text{kA}/\text{cm}^{2}$; $P=5$ mVt, $\lambda=0.665$ mu-m, $T=300$ K)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:6 (1987),  372–374  mathnet
1986
37. I. N. Arsentev., D. Z. Garbuzov, S. G. Konnikov, K. Yu. Pogrebickii, A. E. Svetlokuzev, N. N. Faleev, A. V. Chudinov, “X-Ray Photoemission Studies of Liquid-Phase InGaAsP Heterostructures with Transient-Layer Extent of ${\leqslant20}$ Å”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:12 (1986),  2206–2211  mathnet
38. Z. I. Alferov, N. Yu. Antonishkis, I. N. Arsent'ev, D. Z. Garbuzov, V. V. Krasovskii, “Photoluminescence of InGaAsP/GaAs Quantum-Dimensional Heterostructures Produced by the Method of Liquid Epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:12 (1986),  2145–2149  mathnet
39. V. B. Khalfin, D. Z. Garbuzov, V. V. Krasovskii, “Lifetimes of Eigen Radiative Transitions in Quantum-Dimensional Heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986),  1816–1822  mathnet
40. N. Yu. Antonishkis, I. N. Arsent'ev, D. Z. Garbuzov, V. P. Evtikhiev, V. V. Krasovskii, A. E. Svetlokuzev, A. V. Chudinov, “Luminescence Efficiency and Boundary-Recombination Rate in Heteroslructures in Al$-$Ga$-$As and In$-$Ga$-$As$-$P”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986),  708–712  mathnet
41. D. Z. Garbuzov, S. V. Zaitsev, A. B. Nivin, A. V. Ovchinnikov, I. S. Tarasov, A. B. Komissarov, M. K. Trukan, “Continuous intrastrip $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ SL DH-lasers with $\lambda=1.3$-mu-m – reduction of thresholds and the capacity increase”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:11 (1986),  660–663  mathnet
42. Zh. I. Alferov, B. Ya. Ber, D. Z. Garbuzov, K. Yu. Kizhaev, V. V. Krasovskii, S. A. Nikishin, D. V. Sinyavskii, V. P. Ulin, “Formation of transition layers in heterostructures based on $Ga\,As-Al\,As$ solid-solutions during the liquid-phase epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:6 (1986),  335–341  mathnet
43. Zh. I. Alferov, D. Z. Garbuzov, K. Yu. Kizhaev, A. B. Nivin, S. A. Nikishin, A. V. Ovchinnikov, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, A. V. Chudinov, “Low-threshold in $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ lasers of divided limitation with $\lambda=1.3$-mu-m and $\lambda =1.55$-mu-m ($I_{\text{threshold}}=600-700\,\text{A/cm}^{2}$)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:4 (1986),  210–215  mathnet 2
1985
44. D. Z. Garbuzov, N. Yu. Daviduk, V. I. Shveĭkin, I. S. Goldobin, N. P. Chernousov, “SPONTANEOUS FRONT INGAASP/INP DGS EMITTER (LAMBDA=1.3, MKM) FOR FIBER LIGHT GUIDES WITH THE DIAMETER OF 50 MKM”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:4 (1985),  807–809  mathnet
45. I. S. Tarasov, D. Z. Garbuzov, V. P. Evtikhiev, A. V. Ovchinnikov, Z. N. Sokolova, A. V. Chudinov, “Special Features of Temperature Dependence of Thresholds in InGaAsP/InP DH Lasers (${\lambda=1.3}\, \mu m$) with Separate Limitation and Thin Active Region”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985),  1496–1498  mathnet
46. V. P. Evtikhiev, D. Z. Garbuzov, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, V. B. Khalfin, V. P. Chalyi, A. V. Chudinov, “Special Features of Threshold Characteristics of InGaAsP/InP DH Lasers (${\lambda=1.3}\,\mu m$) with Separate Limitation and Superthin Active Regions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985),  1420–1423  mathnet
47. Z. I. Alferov, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, D. Z. Garbuzov, V. V. Krasovskii, A. V. Tikunov, V. P. Chalyi, “$0.677 \mu m$ – Continuous Injection InGaAsP/GaAsP DH Laser with Selective Limitation Produced by Liquid Epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1115–1118  mathnet
48. Z. I. Alferov, D. Z. Garbuzov, I. N. Arsent'ev, B. Ya. Ber, L. S. Vavilova, V. V. Krasovskii, A. V. Chudinov, “Auger Profiles of Composition and Luminescent Studies of Liquid-Phase InGaAsP Heterostructures with Active Regions ${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$  cm”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1108–1114  mathnet
49. Z. I. Alferov, D. Z. Garbuzov, A. B. Nivin, A. V. Ovchinnikov, I. S. Tarasov, “Injection Continuous 60 mVt Laser Based on Liquid-Phase InGaAsP Double-Heterostructure of Separate Limitation (${\lambda=1.35}\,\mu m$, ${T=300}$ K)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:3 (1985),  456–459  mathnet
50. D. Z. Garbuzov, V. P. Evtikhiev, S. Yu. Karpov, Z. N. Sokolova, V. B. Khalfin, “Calculation of Threshold Currents for InGaAsP/InP and InGaAsP/GaAs Double-Heterostructure Lasers with Separate Limitation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:3 (1985),  449–455  mathnet
51. D. Z. Garbuzov, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, A. V. Tikunov, E. V. Tulashvili, “Continuous Separately-Limited Laser on InGaAsP/GaAs Double Heterostructures Grown by Liquid Epitay of 77 mWt Power (${T=300}$ K, ${\lambda=0.87}$ $\mu$m)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  136–138  mathnet
52. Zh. I. Alferov, D. Z. Garbuzov, V. V. Krasovskii, S. A. Nikishin, D. V. Sinyavskii, A. V. Tikunov, “Separate-confinement $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ heterolasers obtained by the modified method of liquid epitaxy ($I_{\text{p}}=260$ A/cm$^{2}$, $\lambda= 0.86-0.83\,\mu m$, $T= 300$ K)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:23 (1985),  1409–1413  mathnet
53. Zh. I. Alferov, D. Z. Garbuzov, N. Yu. Daviduk, N. D. Il'inskaya, A. B. Nivin, A. V. Ovchinnikov, I. S. Tarasov, “High-power mesastrip PO $In\,Ga\,As/In\,P$ lasers for FOCD ($\lambda=1.3$ mu-m, $t=18^\circ$ C, $i=300$ mA, $p=28$ mVt in the fiber of $50\,\mu m$ diameter”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:22 (1985),  1345–1349  mathnet
54. Zh. I. Alferov, D. Z. Garbuzov, A. V. Ovchinnikov, I. S. Tarasov, V. P. Evtikhiev, A. B. Nivin, A. E. Svetlokuzev, “Continuous $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ RO DGS laser with $17\%$ ($\lambda=1.32\,\mu m$, $t=290$ K) efficiency”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:19 (1985),  1157–1162  mathnet
55. Zh. I. Alferov, L. S. Vavilova, I. N. Arsent'ev, D. Z. Garbuzov, A. V. Tikunov, “Continuous short-wave ($\lambda=0,677\,\mu m$) injection-laser based on $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ RO DGS with $10$ mVt power”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:19 (1985),  1153–1157  mathnet
56. Zh. I. Alferov, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, D. Z. Garbuzov, A. V. Tikunov, E. V. Tulashvili, “Band lasers based on PO $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As$ DHS ($\lambda\simeq0.87\,\mu m$) with the thin active area”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:4 (1985),  205–209  mathnet
1984
57. Z. I. Alferov, I. N. Arsent'ev, D. Z. Garbuzov, V. P. Evtikhiev, O. V. Sulima, V. P. Chalyi, A. V. Chudinov, “Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом $300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы, ${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984),  2057–2060  mathnet
58. D. Z. Garbuzov, I. N. Arsent'ev, V. P. Chalyi, A. V. Chudinov, V. P. Evtikhiev, V. B. Khalfin, “Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС с тонкой активной областью (${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$ см), полученные методом жидкостной эпитаксии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984),  2041–2045  mathnet
59. Z. I. Alferov, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, D. Z. Garbuzov, V. V. Krasovskii, “Низкопороговые инжекционные InGaAsP/GaAs ДГС лазеры с раздельным ограничением, полученные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.78\div0.87}$ мкм, ${I_{\text{пор}}=460\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984),  1655–1659  mathnet
60. D. Z. Garbuzov, V. V. Agaev, Z. N. Sokolova, V. B. Khalfin, V. P. Chalyi, “Recombination Processes in InGaAsP/InP Double Heterostructures with ${\lambda= 1\div1.5} \mu m$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:6 (1984),  1069–1076  mathnet
61. D. Z. Garbuzov, “Review of the Book by L. M. Kogan «Semiconductor Light-Emitting Diodes»”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984),  964–965  mathnet
62. Zh. I. Alferov, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, D. Z. Garbuzov, A. V. Tikunov, R. S. Ignatkina, “Low-Threshold Visible GalnAsP/GaAsP DH Lasers (${T=300}$ K, ${\lambda=0.70{-}0.66}\,\mu m,$ ${I_{\text{thresh}}\simeq1.5{-}3.2\,\text{кА}/\text{cm}^{2}}$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:4 (1984),  757–758  mathnet
63. Zh. I. Alferov, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, D. Z. Garbuzov, E. V. Tulashvili, “Visible Low-Threshold Pulsed and Continuous InGaAsP/InGaP/GaAs DH Lasers in the $0.73{-}0.79 \mu m$ Region (${T=300}$ K, ${I_{n}=3.5{-}1.3\,\text{mA}/\text{cm}^{2}}$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984),  162–165  mathnet
64. D. Z. Garbuzov, A. V. Chudinov, V. V. Agaev, V. P. Chalyi, V. P. Evtikhiev, “Luminescent and Threshold Characteristics of InGaAsP/InP Double Heterostructures (${0.94\mu m<\lambda<1.51 \mu m}$) under Optical Excitation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984),  102–108  mathnet
65. D. Z. Garbuzov, V. G. Agafonov, N. Yu. Daviduk, M. K. Trukan, N. D. Il'inskaya, V. P. Chalyi, T. N. Drokina, “SPONTANEOUS END INGAASP/INP DHS-EMITTERS FOR THE 200 MKM IN DIAMETER FOC (FIBER-OPTICAL COUPLER)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:21 (1984),  1286–1290  mathnet
66. D. Z. Garbuzov, V. P. Chalyi, A. V. Chudinov, N. Yu. Daviduk, V. V. Agaev, “LASER TRANSFORMERS OF SHORT-WAVE EMISSION INTO THE INFRARED BASED ON INGAASP/INP DHS (DOUBLE HETEROSTRUCTURE) LASER (LAMBDA=1.0-DIVIDED-BY-1.35MKM,ETA-D=20-PERCENT,T=300-K)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:16 (1984),  1010–1016  mathnet
1983
67. D. Z. Garbuzov, K. A. Gatsoev, A. T. Gorelenok, A. G. Dzigasov, N. D. Il'inskaya, V. B. Khalfin, “FACE SPONTANEOUS EMITTERS BASED ON DHS (DOUBLE HETEROSTRUCTURES) INGAASP(GAMMA-CONGRUENT-TO-1,3MKM) WITH ETA-B-CONGRUENT-TO-6-PERCENT AT 300K”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:7 (1983),  1408–1411  mathnet
68. D. Z. Garbuzov, Z. N. Sokolova, V. B. Khalfin, “TIME CALCULATIONS OF AUGER-PROCESSES IN P-INGAASP SOLID-SOLUTIONS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:2 (1983),  315–319  mathnet
69. D. Z. Garbuzov, V. G. Agafonov, V. V. Agaev, V. M. Lantratov, A. V. Chudinov, “Эффективный перенос возбуждения из эмиттера в активную область при фотолюминесценции InGaAsP/InP ДГС”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2168–2172  mathnet
70. V. P. Evtikhiev, D. Z. Garbuzov, V. V. Agaev, V. B. Khalfin, V. P. Chalyi, “Форма краевой полосы в InGaAsP/InP ДГС (${\tau= 1.3}$ мкм) при низком и высоком уровне фотовозбуждения”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983),  1652–1655  mathnet
71. D. Z. Garbuzov, V. V. Agaev, V. B. Khalfin, V. P. Chalyi, “Излучательные и оже-процессы в фотовозбужденной электронно-дырочной плазме ДГ-InGaAsP/InP-структур (${\lambda=1.3}$ мкм)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983),  1557–1563  mathnet
72. V. P. Evtikhiev, D. Z. Garbuzov, A. T. Gorelenok, “Сравнение краев поглощения в бинарных и многокомпонентных прямозонных соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ на основе системы InGaAsP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983),  1402–1405  mathnet
73. I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, D. Z. Garbuzov, E. V. Tulashvili, “Температурная зависимость порога генерации в ДГ-InGaAsP/GaAs-структурах (${\lambda_{\text{ген}}=729}$ нм, ${T\geqslant300}$ K, ${J_{\text{пор}}\geqslant5\cdot10^{3}\,\text{А/см}^{2}}$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983),  843–846  mathnet
74. A. V. Chudinov, V. P. Chalyi, D. Z. Garbuzov, I. N. Arsent'ev, V. P. Evtikhiev, “Фотолюминесцентные исследования перераспределения неравновесных носителей заряда в InGaAsP/InP с двумя активными областями”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983),  714–717  mathnet
75. D. Z. Garbuzov, V. P. Chalyi, V. V. Agaev, M. K. Trukan, “Влияние эффекта насыщения интенсивности люминесценции на пороги генерации ДГ-InGaAsP/InP-лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) при ${T\geqslant300}$ K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983),  538–540  mathnet
76. V. P. Chalyi, D. Z. Garbuzov, A. V. Chudinov, V. V. Agaev, “Исследование эффекта насыщения интенсивности люминесценции в ДГ-InGaAsP/InP-структурах (${\lambda=1.3}$ мкм) при высоких уровнях возбуждения”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983),  464–468  mathnet
77. D. Z. Garbuzov, V. B. Khalfin, E. V. Tulashvili, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, “Фотолюминесценция двойной гетероструктуры при возбуждении широкозонного эмиттера”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:2 (1983),  242–246  mathnet
78. D. Z. Garbuzov, N. Yu. Daviduk, B. V. Pushnii, N. A. Tupitskaya, “Торцевые суперкороткие AlGaAs-излучатели с ${\eta_{e}\approx10}$% (${T=300^{\circ}}$ K)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:15 (1983),  900–906  mathnet
1976
79. Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, D. Z. Garbuzov, N. Yu. Davidyuk, V. R. Larionov, P. P. Pashinin, A. M. Prokhorov, V. M. Tuchkevich, “Model of a YAG:Nd<sup>3+</sup> laser with a semiconductor converter in the pump system”, Kvantovaya Elektronika, 3:6 (1976),  1349–1352  mathnet [Sov J Quantum Electron, 6:6 (1976), 734–736] 2

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024