|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
2014 |
| 1. |
N. L. Dmitruk, V. R. Romanyuk, M. I. Taborskaya, S. Charnovych, S. Kokenyesi, N. V. Yurkovich, “Interaction of surface plasmons with interference modes in thin-film nanostructures”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 99:3 (2014), 146–149   ; JETP Letters, 99:3 (2014), 129–132   |
1
|
|
2009 |
| 2. |
N. L. Dmitruk, A. V. Korovin, “Physical nature of anomalous optical transmission of thin absorptive corrugated films”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 89:2 (2009), 75–79 ; JETP Letters, 89:2 (2009), 68–72 |
13
|
|
1992 |
| 3. |
N. L. Dmitruk, V. G. Litovchenko, O. N. Mishuk, “Anomalous photoemission current through a metal semiconductor contact with surface microrelief”, Fizika Tverdogo Tela, 34:8 (1992), 2647–2654 |
| 4. |
Y. Breza, O. Yu. Borkovskaya, N. L. Dmitruk, R. V. Konakova, V. V. Milenin, A. A. Naumovets, B. A. Nesterenko, Yu. A. Tkhorik, M. Y. Filatov, “INTERPHASE INTERACTIONS IN THIN-FILM SURFACE-BARRIER PT-GAAS STRUCTURES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 62:8 (1992), 88–94 |
| 5. |
Ya. V. Bobitskii, A. I. Bercha, N. L. Dmitruk, D. V. Коrbutyak, N. A. Fidrya, “Исследование лазерного геттерирования в GaAs
методами фотолюминесценции и нарушенного полного внутреннего отражения”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:10 (1992), 1688–1692 |
| 6. |
E. F. Venger, A. V. Goncharenko, N. L. Dmitruk, A. Yu. Prokofev, N. A. Fidrya, “Влияние ионной имплантации компенсирующей примеси на оптические
свойства $n^{+}$-GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:2 (1992), 352–357 |
| 7. |
N. L. Dmitruk, E. F. Venger, A. V. Goncharenko, M. Y. Pelyusova, “LOW-TEMPERATURE ANNEALING OF GAAS PLATES IMPLANTED BY O+ IONS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:20 (1992), 41–45 |
|
1991 |
| 8. |
O. Yu. Borkovskaya, N. L. Dmitruk, O. N. Mishchuk, “Фоточувствительность барьеров Шоттки Au$-$GaAs с микрорельефной
поверхностью (область собственного поглощения света)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991), 487–492 |
| 9. |
O. Yu. Borkovskaya, N. L. Dmitruk, O. N. Mishchuk, “DEPENDENCE OF RADIATION-STIMULATED ORDERING EFFECT ON SURFACE
MICRORELIEF”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:23 (1991), 18–21 |
|
1990 |
| 10. |
N. L. Dmitruk, Yu. V. Kryuchenko, V. G. Litovchenko, “Surface plasma polaritons in a medium with a spatially inhomogeneous transition layer”, Fizika Tverdogo Tela, 32:10 (1990), 2857–2861 |
| 11. |
V. Yu. Bykovskii, V. I. Vovnenko, N. L. Dmitruk, S. V. Svechnikov, “Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной
области арсенида галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990), 287–291 |
| 12. |
Y. Y. Bacherikov, E. F. Venger, N. L. Dmitruk, D. V. Коrbutyak, D. I. Lubyshev, V. P. Migal, O. V. Snitko, N. A. Fidrya, “SPECTROSCOPY OF DELTA-ALLOYED GAAS - SI LAYERS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:9 (1990), 27–31 |
|
1989 |
| 13. |
O. Yu. Borkovskaya, T. Ya. Gorbach, N. L. Dmitruk, O. N. Mishchuk, “Влияние микрорельефа поверхности на электрофизические характеристики
контакта металл$-$полупроводник с барьером Шоттки.
Фотоэмиссионные характеристики”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989), 2113–2117 |
| 14. |
V. Yu. Bykovskii, V. I. Vovnenko, N. L. Dmitruk, “Изучение локальных центров в $p$-GaAs, легированном медью, методами
нестационарной спектроскопии глубоких уровней и фотолюминесценции”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 729–732 |
| 15. |
O. Yu. Borkovskaya, N. L. Dmitruk, V. G. Litovchenko, O. N. Mishchuk, “К модели эффекта радиационно-стимулированного упорядочения
в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:2 (1989), 207–212 |
|
1987 |
| 16. |
V. I. Vovnenko, N. L. Dmitruk, V. G. Litovchenko, “Radiational Rearrangement of Deep Centers in Gallium-Arsenide Barrier Structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987), 156–159 |
|
1986 |
| 17. |
O. Yu. Borkovskaya, N. L. Dmitruk, R. V. Konakova, V. G. Litovchenko, O. I. Maeva, “Effect of $\gamma$-Radiation on Surface Generation-Recombination in GaAs-Based Semiconductor Structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986), 1640–1646 |
| 18. |
O. Yu. Borkovskaya, N. L. Dmitruk, R. V. Konakova, V. G. Litovchenko, “Radiation Ordering on the Metal-InP Interface”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986), 326–329 |
| 19. |
O. Yu. Borkovskaya, N. L. Dmitruk, M. Dubovinski, R. V. Konakova, D. V. Коrbutyak, E. G. Lashkevich, Yu. A. Tkhorik, J. A. Chervenak, “Effect of Radiation on Radiative and Nonradiative Recombination in Heterosystems Based on GaAs and Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986), 322–325 |
|
1985 |
| 20. |
O. Yu. Borkovskaya, N. L. Dmitruk, R. V. Konakova, S. A. Grusha, А. M. Evstigneev, N. A. Klebanova, А. N. Krasiko, K. A. Ismailov, I. K. Sinitshyuk, M. E. Lisogorsky, “STRUCTURE-DOPED ORDERING AFFECTED BY LOW-SCALE PENETRATING RADIATION”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:10 (1985), 1977–1982 |
|
1984 |
| 21. |
O. Yu. Borkovskaya, N. L. Dmitruk, V. G. Litovchenko, “Эффект радиационного упорядочения в гетеропереходах
($p$-Si)$-$($n$-GaP)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984), 1808–1811 |
| 22. |
O. Yu. Borkovskaya, N. L. Dmitruk, R. V. Konakova, N. N. Soldatenko, Yu. A. Tkhorik, “To the Determination of Recombination Rate at the Interface of Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs Heterojunctions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984), 402–407 |
|
1983 |
| 23. |
O. Yu. Borkovskaya, N. L. Dmitruk, R. V. Konakova, V. G. Litovchenko, N. N. Soldatenko, Yu. A. Tkhorik, M. Y. Filatov, V. I. Shakhovtsov, “Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов
в гетеросистемах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983), 1349–1351 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: