|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
2020 |
| 1. |
S. A. Smagulova, P. V. Vinokurov, A. A. Semyonova, E. I. Popova, F. D. Vasylieva, E. D. Obraztsova, P. V. Fedotov, I. V. Antonova, “Study of the properties of two-dimensional МоS$_{2}$ and WS$_{2}$ films synthesized by chemical-vapor deposition”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:4 (2020), 376–387   ; Semiconductors, 54:4 (2020), 454–464 |
6
|
|
2016 |
| 2. |
I. V. Antonova, I. A. Kotin, V. I. Popov, F. D. Vasylieva, A. N. Kapitonov, S. A. Smagulova, “Graphene-oxide films printed on rigid and flexible substrates for a wide spectrum of applications”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:8 (2016), 1086–1094 ; Semiconductors, 50:8 (2016), 1065–1073 |
8
|
|
1988 |
| 3. |
A. V. Vasil'ev, V. V. Mikhnovich, S. A. Smagulova, “Механизм отжига разупорядоченных областей в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 1137–1139 |
|
1987 |
| 4. |
I. V. Antonova, A. V. Vasil'ev, V. I. Panov, S. A. Smagulova, L. S. Smirnov, S. S. Shaimeev, “Capacity-Spectroscopy Study of Magnesium-Doped $n$-Type Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987), 684–687 |
| 5. |
A. V. Vasil'ev, V. I. Panov, S. A. Smagulova, S. S. Shaimeev, “Dependence of Rates of Defect-Complex Injection in $n$-Type Silicon on Electron-Irradiation Temperature”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987), 573–575 |
|
1986 |
| 6. |
A. V. Vasil'ev, S. A. Smagulova, L. S. Smirnov, “Annealing of Divacancies in Silicon Irradiated by Fast Neutrons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986), 561–564 |
|
1985 |
| 7. |
A. V. Vasil'ev, M. I. Izteleuov, S. A. Smagulova, L. S. Smirnov, “On the
Parameters of Regions of Disorder
in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985), 2073–2074 |
| 8. |
A. V. Vasil'ev, S. A. Smagulova, S. S. Shaimeev, “Accumulation of Point Defects in Silicon with Regions of Disorder Transformed by
Annealing”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985), 952–955 |
|
1984 |
| 9. |
A. I. Baranov, A. V. Vasil'ev, N. I. Komolova, S. A. Smagulova, L. S. Smirnov, S. S. Shaimeev, “Количественные оценки параметров образования основных радиационных
дефектов в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:12 (1984), 2177–2181 |
|
1983 |
| 10. |
A. I. Baranov, A. V. Vasil'ev, N. I. Komolova, S. A. Smagulova, “О количественных оценках параметров радиационного дефектообразования
в кремнии $n$-типа”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983), 1663–1666 |
| 11. |
A. V. Vasil'ev, I. A. Kopshik, S. A. Smagulova, M. A. Tsvaigert, S. S. Shaimeev, “Исследование методом DLTS отжига кремния $n$-типа, облученного
нейтронами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983), 1155–1157 |
| 12. |
A. V. Vasil'ev, S. A. Smagulova, S. S. Shaimeev, “К вопросу о методике обработки спектров DLTS”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983), 162–164 |
| 13. |
A. V. Vasil'ev, S. A. Smagulova, “Параметры трансформированных отжигом разупорядоченных областей
в кремнии $n$-типа”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983), 30–34 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: