|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1992 |
| 1. |
E. I. Gol'dman, A. G. Zhdan, A. M. Sumaroka, “Термическая генерация неосновных носителей заряда у границы раздела
полупроводник$-$диэлектрик через глубокий уровень в приповерхностном слое
обеднения”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:12 (1992), 2048–2056  |
| 2. |
A. G. Zhdan, A. M. Kozlov, T. A. Kostinskaya, V. F. Kocherov, V. V. Ryl'kov, “Динамические вольт-амперные характеристики фоточувствительных
слоистых структур на основе сильно легированного Si$\langle\text{As}\rangle$
с блокированной проводимостью по примесной зоне”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:12 (1992), 2024–2030 |
| 3. |
A. S. Vedeneev, A. G. Gaivoronskii, A. G. Zhdan, “Определение электронных характеристик границ раздела
полупроводник$-$диэлектрик по полевым зависимостям электропроводности
и емкости инверсионных каналов МДП транзисторов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:12 (1992), 2017–2023 |
| 4. |
A. S. Vedeneev, A. G. Zhdan, V. V. Ryl'kov, A. G. Shafran, “Определение сечения фотоионизации легирующих примесей
в полупроводниках из измерений эффекта Холла”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:6 (1992), 1096–1099 |
| 5. |
G. A. Akhmedov, A. S. Vedeneev, V. A. Gorbylev, A. G. Zhdan, I. D. Zalevskii, S. S. Khalilov, A. A. Chelnyi, “ELECTRON CHARACTERISTICS OF MODULATION-ALLOYED HETEROTRANSITION
STRUCTURES OF ALGAAS-GAAS GROWN BY MOS-HYDRIDE EPITAXY METHOD”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:17 (1992), 62–65 |
|
1990 |
| 6. |
E. I. Gol'dman, A. G. Zhdan, A. M. Sumaroka, “Проявление дискретных уровней при релаксационной спектроскопии
локализованных электронных состояний с непрерывным спектром”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990), 503–506 |
| 7. |
E. I. Gol'dman, A. G. Zhdan, A. M. Klochkova, Yu. V. Markin, “Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных
состояний в системах полупроводник$-$диэлектрик”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990), 159–165 |
|
1989 |
| 8. |
M. A. Bairamov, A. S. Vedeneev, A. G. Zhdan, “Динамика проявлений флуктуационного потенциала и поверхностного
рассеяния в кинетических характеристиках инверсионного Si${-}n$-канала”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989), 2122–2128 |
| 9. |
M. A. Bairamov, A. S. Vedeneev, A. G. Zhdan, B. S. Schamkhalova, “Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных
$n$-каналах Si$-$МОП структур”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989), 1618–1624 |
|
1988 |
| 10. |
M. A. Bairamov, A. S. Vedeneev, L. V. Volkov, A. G. Zhdan, “Проявление флуктуационного потенциала в кинетических характеристиках
$n$-каналов инверсии на поверхности кремния. Случай малых флуктуаций”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:8 (1988), 1365–1369 |
| 11. |
A. S. Vedeneev, E. I. Gol'dman, A. G. Zhdan, A. V. Savostyanov, “Динамическая релаксационная спектроскопия — определение параметров
локализованных электронных состояний в режиме периодической термостимуляции”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988), 1199–1202 |
| 12. |
A. G. Zhdan, A. P. Melnikov, V. V. Ryl'kov, “Межпримесная рекомбинация дырок через $A^{+}$-состояния в слабо
компенсированном $p$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 1011–1015 |
| 13. |
V. I. Antonenko, A. G. Zhdan, P. S. Sul'zhenko, “Идентификация пространственной локализации пограничных состояний
в экспериментах по термостимулированному разряду МДП конденсатора”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988), 758–760 |
| 14. |
A. S. Vedeneev, G. I. Voronkova, A. G. Zhdan, Sh. M. Kogan, T. M. Lifschitz, V. V. Ryl'kov, “Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо
компенсированных полупроводниках”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988), 586–592 |
| 15. |
E. I. Gol'dman, A. G. Zhdan, Yu. V. Markin, “Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник–диэлектрик
при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988), 237–242 |
| 16. |
V. I. Antonenko, A. G. Zhdan, P. S. Sul'zhenko, “Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний
и энергетической зависимости сечений захвата в Si — МОП структурах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988), 223–228 |
|
1987 |
| 17. |
E. I. Gol'dman, A. G. Zhdan, “Relaxation of Filling of Three-Dimensional Levels in a Semiconductor Stimulated by an Electric Field of near-to-Surface Depletion Layer”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987), 1924–1927 |
| 18. |
E. I. Gol'dman, A. G. Zhdan, Yu. V. Markin, “Relaxation Spectroscopy of Boundary States in MDS Structures with Consideration for Charge-Carrier Tunnel Transitions into the Empty Band”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987), 461–465 |
| 19. |
A. G. Zhdan, T. M. Lifschitz, V. V. Ryl'kov, “Evidence of $A^{+}$ Centers and $A^{+}_{2}$ Complexes in the Kinetics of $p$-Silicon Impurity-Photoconduction Relaxation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987), 217–221 |
|
1986 |
| 20. |
V. I. Antonenko, A. G. Zhdan, A. I. Minchenko, P. S. Sul'zhenko, “Determination of Boundary-State Parameters by the Method of MDS Capacitor Thermally Stimulated Discharge in the Constant Capacitance Mode”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986), 208–213 |
|
1985 |
| 21. |
A. S. Vedeneev, A. G. Zhdan, P. S. Sul'zhenko, “Determination of Hall Concentration and Mobility in the Layers of Inversion on Semiconductor
Surfaces”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985), 1003–1007 |
| 22. |
A. G. Zhdan, P. S. Sul'zhenko, “Quasi-Anomalies of Surface-Slate Density at the Edges of Allowed Bands of a Semiconductor Bordering with a Dielectric”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985), 138–140 |
|
1984 |
| 23. |
N. E. Nikitin, V. V. Mukhin, A. G. Zhdan, “Some peculiarities of de Haas-van Alfena effect in space-nonuniform samples”, Fizika Tverdogo Tela, 26:1 (1984), 276–277 |
|
1983 |
| 24. |
A. G. Zhdan, A. F. Kabychenkov, “Тонкая структура зависимости электропроводности поверхностных каналов
на $n$-Si от поперечного поля и особенности их перехода к режиму
инверсии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983), 1686–1688 |
| 25. |
V. G. Prikhod'ko, A. G. Zhdan, “Особенность в изменении плотности локализованного заряда
при смещении уровня Ферми
на границе раздела двух однотипных полупроводников”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983), 690–693 |
| 26. |
E. I. Gol'dman, A. G. Zhdan, Yu. V. Markin, P. S. Sul'zhenko, “Электропроводность полупроводников с межгранульными границами
и спектроскопия пограничных состояний при наличии туннельного тока”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983), 390–393 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: