Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Andreev, V M
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 67
Scientific articles: 66

Number of views:
This page:237
Abstract pages:3543
Full texts:1669

https://www.mathnet.ru/eng/person110965
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2018
1. V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, T. S. Tabarov, S. V. Ivanov, V. M. Andreev, “The effect of charge transport mechanisms on the efficiency of Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs photodiodes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:22 (2018),  33–41  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 1013–1016 4
1991
2. V. M. Andreev, A. B. Kazantsev, V. R. Larionov, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “LOW-THRESHOLD (IN=2.0MA, 300-K) HIGH-PERFORMANCE (ETA-EXT=68-PERCENT) ALGAAS-HETEROLASERS OBTAINED BY LOW-TEMPERATURE LIQUID-PHASE EPITAXY TECHNIQUE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:5 (1991),  1–5  mathnet
3. V. M. Andreev, A. M. Mintairov, A. K. Namazov, O. V. Sulima, N. N. Faleev, A. Y. Yakimov, “ALGAAS/GAAS HETEROSTRUCTURES OBTAINED ON SILICON BY LIQUID-PHASE EPITAXY METHOD”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:3 (1991),  1–3  mathnet
1990
4. V. M. Andreev, V. Y. Aksenov, A. B. Kazantsev, T. A. Prutskikh, V. D. Rumancev, E. M. Tanklevskaya, V. P. Khvostikov, “Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона длин волн 730$-$850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1757–1761  mathnet
5. V. M. Andreev, A. M. Vasil'ev, N. S. Zimogorova, V. M. Lantratov, V. I. Myrzin, “Фотолюминесцентные свойства GaAs, легированного рением”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:7 (1990),  1194–1199  mathnet
6. V. M. Andreev, N. P. Afanaseva, V. K. Eremin, N. V. Strokan, D. V. Tarkhin, “Компенсация кремния при дрейфе лития из ограниченного резервуара”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990),  585–587  mathnet
7. V. M. Andreev, V. S. Kalinovskii, V. R. Larionov, M. M. Milanova, K. Y. Rasulov, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “PHOTOTRANSDUCERS BASED ON ALGAAS-GAAS HETEROSTRUCTURES FOR SCINTILLATION DETECTORS OF IONIZING-RADIATIONS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:19 (1990),  56–59  mathnet
8. V. M. Andreev, V. Y. Aksenov, A. A. Borodkin, A. B. Kazantsev, A. Z. Mereutse, V. N. Penkin, A. V. Smirnov, A. V. Syrbu, V. P. Yakovlev, “ALCAAS SINGLE-FREQUENCY QUANTUM-DIMENSIONAL LASER-DIODES WITH THRESHOLD CURRENT OF 1-MA GENERATION OBTAINED BY LPE METHOD”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:19 (1990),  32–35  mathnet
9. Z. I. Alferov, V. M. Andreev, A. Z. Mereutse, A. V. Syrbu, G. I. Suruchanu, V. P. Yakovlev, “SUPER LOW-THRESHOLD (IN =1,3MA,T=300-K) QUANTUM-DIMENSIONAL ALGAAS LASERS WITHOUT REFLECTING MIRROR COATINGS GROWN BY LPE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:9 (1990),  41–44  mathnet
10. V. M. Andreev, V. R. Larionov, A. M. Mintairov, T. A. Prutskikh, V. D. Rumancev, K. E. Smekalin, V. P. Khvostikov, “STUDY OF COMPOSITION DISTRIBUTION IN ALGAAS HETEROSTRUCTURES WITH QUANTUM-DIMENSIONAL LAYERS BY THE RAMAN-SCATTERING TECHNIQUE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:9 (1990),  7–12  mathnet
11. Z. I. Alferov, V. M. Andreev, A. M. Andriesh, A. Z. Mereutse, A. V. Syrbu, V. P. Yakovlev, “LOW THRESHOLD (IN=3.0MA, T=300-K) QUANTUMDIMENSIONAL ALGAAS LASER-DIODES WITH OVERGROWN HETEROSTRUCTURE PREPARED BY THE LIQUID-PHASE EPITAXY TECHNIQUE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:5 (1990),  66–71  mathnet
1989
12. V. M. Andreev, T. S. Vieru, V. V. Dorogan, V. G. Trofim, “THIN-FILM SOLAR ELEMENTS WITH 2-SIDED SENSITIVITY AT (AL, GA)AS HETEROSTRUCTURES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:11 (1989),  199–201  mathnet
13. V. M. Andreev, N. S. Zimogorova, L. B. Karlina, L. P. Nikitin, V. M. Ustinov, A. M. Vasil'ev, “Фотолюминесцентные свойства твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных рением”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  612–615  mathnet
14. V. M. Andreev, A. A. Vodnev, V. R. Larionov, T. A. Prutskikh, V. D. Rumancev, K. Y. Rasulov, V. P. Khvostikov, “Фотоэлектрические свойства AlGaAs$-$GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким «широкозонным окном»”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  597–600  mathnet
15. V. M. Andreev, V. K. Eremin, N. B. Strokan, “Кинетика тока, ограниченного объемным зарядом, в полупроводниковых $n^{+}{-}p{-}p^{+}$-структурах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989),  478–482  mathnet
16. Z. I. Alferov, I. L. Aleiner, V. M. Andreev, V. S. Kalinovskii, G. L. Sandler, R. Seisyan, A. A. Toropov, T. V. Shubina, V. P. Khvostikov, “SEMICONDUCTING LASER WITH THE BUILT-IN EXCITON STARK QUALITY MODULATOR BASED ON ALGAAS DHS WITH SINGLE QUANTUM WELL GAAS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:7 (1989),  20–24  mathnet
1988
17. V. M. Andreev, A. A. Alaev, V. R. Larionov, V. D. Rumancev, S. S. Shamukhamedov, “ORIENTATION EFFECTS UNDER LIQUID-PHASE EPITAXY OF ALGAAS STRUCTURES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:9 (1988),  1789–1792  mathnet
18. V. M. Andreev, V. K. Eremin, N. V. Strokan, E. V. Shokina, “Определение профиля концентрации лития при его дрейфе в кремнии по емкостным измерениям”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988),  2039–2042  mathnet
19. Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, V. Y. Aksenov, V. R. Larionov, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1775–1779  mathnet
20. V. M. Andreev, V. K. Eremin, N. B. Strokan, “Диффузионные процессы в пакете носителей, дрейфующих в поле $p{-}n$-перехода”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1629–1633  mathnet
21. V. M. Andreev, V. K. Eremin, N. B. Strokan, “Изменение градиента концентрации лития при компенсации полупроводников методом дрейфа ионов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:8 (1988),  1526–1528  mathnet
22. V. M. Andreev, G. M. Gusinskiy, V. S. Kalinovskii, O. K. Salieva, V. A. Solovev, O. V. Sulima, A. M. Khammedov, “Влияние радиации на фотоэлектрические параметры AlGaAs${-}(p{-}n)$-гетероструктур”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:8 (1988),  1391–1395  mathnet
23. V. M. Andreev, V. K. Eremin, N. B. Strokan, “Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1096–1100  mathnet
24. Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, V. Y. Aksenov, T. N. Nalet, N. T. Fyong, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “MULTIDIMENSIONAL STRIP AL-GA-AS-HETEROLASERS OF A MILLIAMPERIC RANGE OF CURRENTS (IN=2.1-MA, T=300-K), OBTAINED BY METHODS OF LOW-TEMPERATURE LIQUID-PHASE EPITAXY”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:22 (1988),  2057–2060  mathnet 1
25. Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, V. Y. Aksenov, V. R. Larionov, I. A. Mokina, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “LOW-THRESHOLD (IN=6.2-MA, T=300-K) BAND QUANTUM DIMENSIONAL ALGAAS-HETEROLASERS CREATED BY THE LOW-TEMPERATURE LPE METHOD”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:17 (1988),  1537–1540  mathnet
26. V. M. Andreev, A. A. Vodnev, V. R. Larionov, K. Y. Rasulov, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “HETEROSTRUCTURES WITH TUNNEL THIN (20-50-A) SURFACE ALGAAS-LAYERS OBTAINED BY THE LPE METHOD”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:15 (1988),  1429–1433  mathnet
27. Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, K. I. Vakarelska, Yu. M. Zadiranov, V. R. Larionov, A. V. Nikitin, “THIN-FILM MULTITRANSIT ALGAAS-PHOTOELEMENTS WITH 2-SIDED PHOTOSENSITIVITY”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:3 (1988),  193–197  mathnet
28. Z. I. Alferov, V. M. Andreev, S. G. Konnikov, V. R. Larionov, K. Yu. Pogrebickii, N. N. Faleev, V. P. Khvostikov, “LIQUID-PHASE ALGAAS-STRUCTURES WITH QUANTUM-DIMENTIONAL LAYERS OF THE APPROXIMATELY-20A WIDTH”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:2 (1988),  171–176  mathnet
29. V. M. Andreev, M. B. Kagan, V. S. Kalinovskii, L. A. Rassadin, V. R. Larionov, T. A. Nuller, V. D. Rumancev, K. Y. Rasulov, “INJECTION ANNEALING OF DEFECTS OF ALGAAS-STRUCTURES OF SOLAR ELEMENTS DURING EXPOSURE TO RADIATION”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:2 (1988),  121–125  mathnet
30. Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, A. A. Vodnev, V. R. Larionov, A. V. Nikitin, T. A. Prutskikh, V. D. Rumancev, “VILET PALGAAS-PGAAS-NGAAS-PHOTOELEMENTS WITH SUPERTHIN (30-300 A) WIDE-ZONE LAYERS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:1 (1988),  76–79  mathnet
1987
31. V. M. Andreev, T. S. Burba, V. V. Dorogan, V. G. Trofim, V. A. Chumak, “HIGH-EFFICIENT THIN-FILM SOLAR ELEMENTS (TSE) FOR THE CONVERSION OF CONCENTRATED RADIATION”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 57:9 (1987),  1805–1810  mathnet
32. V. M. Andreev, V. K. Eremin, N. B. Strokan, “Theory of Semiconductor Compensation by the Method of Ionic Drift of Doping Impurity”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:9 (1987),  1673–1680  mathnet
33. V. M. Andreev, A. A. Vodnev, A. M. Mintairov, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “Photoluminescence of Quantum-Dimensional Layers in AlGaAs-Heterostructures Produced by the Method of Low-Temperature Liquid-Phase Epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:7 (1987),  1212–1216  mathnet
34. V. M. Andreev, A. B. Guchmazov, T. V. Dekal'chuk, N. B. Dzhelepova, V. S. Kalinovskii, V. M. Lantratov, “Reduction of surface recombination current in R-P $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ transitions”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:24 (1987),  1481–1485  mathnet
1986
35. V. M. Andreev, V. K. Eremin, S. A. Lomashevich, N. B. Strokan, “Process of Concentration Establishment in a Drifting Packet of Excess Carriers Injected into the $p{-}n$-Junction”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986),  1856–1860  mathnet
36. V. M. Andreev, V. K. Eremin, N. B. Strokan, “On the Use of Electrooptical Effect for Studying Space-Charge Region of $p{-}n$ Structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:7 (1986),  1234–1238  mathnet
37. V. M. Andreev, B. V. Egorov, A. M. Koinova, V. M. Lantratov, V. D. Rumancev, N. M. Saradzhishvili, “High-Efficiency Information-Energy AlGaAs-GaAs Photoreceivers for Fiber-Optical Communication Lines”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986),  435–439  mathnet
38. Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, A. A. Vodnev, O. O. Ivent'eva, V. R. Larionov, V. D. Rumancev, “Low-Threshold (${j_{\text{п}}=230\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K) AlGaAs Double-Heterostructure Lasers with Separate Limitation Produced by the Method of Liquid Epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  381–383  mathnet
39. V. M. Andreev, T. S. Burba, V. V. Dorogan, V. G. Trofim, V. A. Chumak, “Thin-film $Al\,Ga\,As-Ga\,As$ solar photoelements for the transformation of concentrated solar-radiation”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:19 (1986),  1197–1202  mathnet
40. Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, A. A. Vodnev, S. G. Konnikov, V. R. Larionov, K. Yu. Pogrebickii, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “$Al\,Ga\,As$-heterostructures with quantum-dimensional layers, obtained by low-temperature liquid-phase epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:18 (1986),  1089–1093  mathnet 1
41. V. M. Andreev, A. B. Guchmazov, T. V. Dekal'chuk, Yu. M. Zadiranov, V. S. Kalinovskii, A. M. Koinova, “Heterojunction bipolar-transistors, obtained by low-temperature liquid-phase epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:12 (1986),  719–723  mathnet
42. V. M. Andreev, O. O. Ivent'eva, S. G. Konnikov, K. Yu. Pogrebickii, E. Puron, O. V. Sulima, N. N. Faleev, “Low-temperature liquid-phase epitaxy of $Al\,Ga\,As$-heterostructures with submicron ($10^{-1}-10^{-2}$-mu-m) layers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:9 (1986),  533–537  mathnet
1985
43. V. M. Andreev, B. V. Egorov, V. M. Lantratov, А. M. Allakhaverdiev, Sh. Sh. Shamukhamedov, “BEHAVIOR OF ALGAAS HETEROPHOTOELEMENTS AT LOW (10(-1)-10(-3)VT-CM2) EXPOSURE LEVEL AT THE 173-373-K TEMPERATURE-RANGE”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:10 (1985),  2004–2009  mathnet
44. V. M. Andreev, O. V. Sulima, V. Pitroff, “EFFECT OF THE AL-GA-AS HETEROSTRUCTURE SURFACE ON ZN DIFFUSION FROM GASEOUS MEDIA”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:9 (1985),  1844–1846  mathnet
45. V. M. Andreev, A. T. Gorelenok, V. G. Gruzdov, V. G. Danl'chenko, N. D. Il'inskaya, V. I. Korol'kov, N. M. Saradzhishvili, L. M. Fedorov, N. M. Shmidt, M. S. Bogbanovich, N. Z. Djingarev, L. B. Karlina, V. V. Mamutin, I. A. Mokina, “INVESTIGATION OF PIN-PHOTODIODES BASED ON INGAASP/INP”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:8 (1985),  1566–1569  mathnet
46. V. M. Andreev, V. D. Rumancev, N. M. Saradzhishvili, O. V. Sulima, O. K. Salieva, “TRANSITION LAYER EFFECT ON THE SPECTRAL DISTRIBUTION OF THE ALGAAS HETEROPHOTOELEMENT PHOTO-RESPONSE”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:6 (1985),  1124–1129  mathnet
47. V. M. Andreev, A. M. Allakhverdiev, V. D. Rumancev, O. M. Fedorova, S. S. Shamukhamedov, “Low Rate of Surface Recombination (${S =10^{4}}\,cm/s$) in Epitaxial $n$-Туре GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1826–1829  mathnet
48. V. M. Andreev, A. T. Gorelenok, M. Z. Zhingarev, L. E. Klyachkin, V. V. Mamutin, N. M. Saradzhishvili, B. I. Skopina, O. V. Sulima, N. M. Shmidt, “Study of Leakage Currents of Planar $p{-}n$ Junctions in InP and of $p{-}i{-}n$ Structures Based on InGaAs/InP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985),  668–673  mathnet
49. V. M. Andreev, B. V. Egorov, V. M. Lantratov, S. I. Troshkov, “Heterophotocells with Low Value of Saturation Back Current”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  276–281  mathnet
50. V. M. Andreev, A. M. Allakhverdiev, O. O. Ivent'eva, V. M. Kashkarov, V. D. Rumancev, V. A. Terekhov, “Photoluminescent Properties and Electron Structure of Anodic-Oxidized $n$-InP Surface”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  110–113  mathnet
51. V. M. Andreev, O. V. Sulima, A. M. Khammedov, “Thermostable concentrator solar-cells based on $Al\,Ga\,As$-heterostructures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:14 (1985),  853–857  mathnet
1984
52. V. M. Andreev, O. V. Sulima, “STUDY OF ZINC DIFFUSION FROM GAS PHASES IN ALXGA1-XAS SOLID-SOLUTIONS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:7 (1984),  1320–1324  mathnet
53. V. M. Andreev, N. M. Saradzhishvili, O. M. Fedorova, Sh. Sh. Shamukhamedov, “THIN-FILM ALGAAS HETEROPHOTOELEMENTS WITH A REMOVED GAAS BASE”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:6 (1984),  1215–1218  mathnet
54. А. M. Allakhaverdiev, V. M. Andreev, O. O. Ivent'eva, O. V. Sulima, “SOLAR PHOTOCELLS BASED ON INP AND GAXIN1-XASYP1-Y SOLID-SOLUTIONS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:4 (1984),  862–864  mathnet
55. A. M. Allakhverdiev, V. M. Andreev, N. B. Dzhelepova, B. V. Egorov, O. V.  Sulima, “Влияние встроенных электрических полей на температурную стабильность параметров Al$-$Ga$-$As-гетерофотоэлементов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984),  1979–1984  mathnet
56. А. M. Allakhaverdiev, V. M. Andreev, I. V. Grekhov, L. S. Kostina, V. R. Larionov, V. D. Rumancev, Sh. Sh. Shamukhamedov, “Cascade Si$-$AlGaAs Solar Photocells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984),  121–125  mathnet
57. A. M. Allakhverdiev, V. M. Andreev, I. A. Guseinov, O. O. Ivent'eva, V. I. Ismailov, “ELEMENTS OF CASCADE SOLAR PHOTOTRANSFORMATIONS BASED ON INP-GAINPAS AND INP-CDS HETEROSTRUCTURES”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:1 (1984),  51–55  mathnet
1983
58. V. M. Andreev, O. O. Ivent'eva, E. P. Romanova, V. S. Yuferev, “CALCULATION OF CASCADE SOLAR ELEMENTS ON THE BASIS OF A3B5 COMPOUNDS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:10 (1983),  2025–2031  mathnet
59. V. M. Andreev, B. V. Egorov, V. M. Lantratov, V. D. Rumancev, S. I. Troshkov, “SOLAR HETEROPHOTOELEMENTS WITH AN INCREASED DEPTH OF P-N TRANSITION POSITION”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:8 (1983),  1658–1660  mathnet
60. V. M. Andreev, Yu. M. Zadiranov, V. I. Korol'kov, A. V. Rozhkov, A. A. Yakovenko, “Исследование транзисторов с оптической связью”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983),  1618–1622  mathnet
61. V. M. Andreev, V. R. Larionov, V. D. Rumancev, O. M. Fedorova, S. S. Shamukhamedov, “Высокоэффективные $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs солнечные фотоэлементы с КПД 19% (AM 0) и 24% (AM 1.5)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:20 (1983),  1251–1254  mathnet
62. V. M. Andreev, Yu. M. Zadiranov, V. D. Rumancev, N. M. Saradzhishvili, O. V. Sulima, “Фотоэлектролюминесценция в AlGaAs-гетероструктуpax”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:17 (1983),  1058–1061  mathnet
63. V. M. Andreev, O. O. Ivent'eva, V. I. Myrzin, S. P. Troshkov, “Фотоэлементы на основе гетеропереходов в системе Al$_{y}$Ga$_{1-y}$As$_{1-x}$Sb$_{x}$”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:12 (1983),  734–737  mathnet
64. V. M. Andreev, B. V. Egorov, M. B. Kagan, V. R. Larionov, V. D. Rumancev, S. S. Shamukhamedov, “Концентраторные фотоэлектрические батареи на основе AlGaAs$-$GaAs солнечных элементов”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:2 (1983),  102–104  mathnet
1968
65. V. M. Andreev, G. P. Kugatova-Shemyakina, S. A. Kazaryan, “γ-Formyl Acids”, Usp. Khim., 37:4 (1968),  559–580  mathnet; Russian Chem. Reviews, 37:4 (1968), 254–264 5
1958
66. I. N. Nazarov, V. F. Kucherov, V. M. Andreev, G. M. Segal, “The stereochemistry of the diene-condensation of 1-$\alpha$-acetoxyvinyl-$\Delta^1$-cyclohexene with maleic anhydride”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 119:5 (1958),  945–948  mathnet
2021
67. A. M. Sergeev, Yu. Yu. Balega, I. A. Shcherbakov, E. B. Aleksandrov, V. M. Andreev, A. L. Aseev, A. M. Bykov, I. V. Grekhov, V. V. Gusarov, A. V. Dvurechenskii, A. V. Ivanchik, E. L. Ivchenko, N. N. Kazansky, A. A. Kaplyanskii, V. V. Kveder, N. N. Kolachevsky, S. G. Konnikov, P. S. Kop'ev, Z. F. Krasil'nik, A. G. Litvak, S. V. Medvedev, Yu. V. Natochin, V. N. Parmon, E. E. Son, R. A. Suris, V. B. Timofeev, V. V. Ustinov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, A. N. Aleshin, M. V. Arkhipov, P. N. Brunkov, A. I. Veinger, A. K. Vershovskii, E. A. Volkova, S. A. Gurevich, V. K. Gusev, V. A. Dergachev, A. G. Deryagin, O. V. Dudnik, V. V. Zhdanov, N. L. Istomina, A. M. Kalashnikova, E. S. Kornilova, E. V. Kustova, A.A. Lebedev, E.V. Lipatova, A. V. Nashchekin, R. V. Parfen'ev, M. P. Petrov, G. V. Skornyakov, E. M. Smirnov, G. S. Sokolovskii, A. V. Solomonov, M. G. Sushkova, E. I. Terukov, E. A. Chaban, O. L. Chagunava, A. P. Shergin, E. V. Shestopalova, M. L. Shmatov, A. A. Shmidt, V. L. Shubin, “Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 91:6 (2021),  893–894  mathnet
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024