|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
А. М. Мухитдинов, В. И. Стафеев, “Время жизни неосновных носителей заряда в эпитаксиальных слоях
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te $p$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1830–1832  |
| 2. |
О. В. Горшкова, И. А. Дрозд, В. И. Стафеев, “Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$S
и структур на их основе, обусловленные микро- и макронеоднородностями”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 510–515 |
| 3. |
Ю. А. Абрамян, К. З. Папазян, В. И. Стафеев, “О влиянии индия на энергетический спектр Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992), 257–263 |
|
1990 |
| 4. |
Ю. А. Абрамян, К. З. Папазян, В. И. Стафеев, “Вольт-амперные характеристики тонких пленок
Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$In$\rangle$ при различных уровнях фоновых
засветок”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1752–1756 |
| 5. |
А. З. Абасова, А. Д. Бритов, С. Н. Максимовский, Н. А. Сулейманов, Н. Б. Каган, В. И. Стафеев, В. Т. Xряпов, “Влияние нейтронного облучения на сверхпроводящие пленки
Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$”, Письма в ЖТФ, 16:18 (1990), 18–22  |
|
1989 |
| 6. |
В. П. Пономаренко, Е. А. Салмин, В. И. Стафеев, И. В. Шиманский, “Поверхностная подвижность электронов в МПД структурах из
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 189–192 |
|
1988 |
| 7. |
Е. А. Салмин, В. П. Пономаренко, В. И. Стафеев, “Полевой транзистор со структурой
МТДП на основе Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1142–1144 |
| 8. |
В. П. Пономаренко, И. В. Шиманский, В. И. Стафеев, “Статические характеристики МДП транзисторов на основе
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 62–65 |
|
1987 |
| 9. |
Л. Е. Воробьев, С. Н. Данилов, В. И. Стафеев, “Мощность стимулированного излучения горячих дырок в $p$-Ge в ${
E\perpH}$ полях”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1707–1710 |
| 10. |
Л. Е. Воробьев, С. Н. Данилов, В. И. Стафеев, В. Н. Тулупенко, “Механизм межзонной инверсии населенности состояний горячих дырок
в германии в $\mathbf{E}\perp\mathbf{H}$ полях”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1600–1605 |
| 11. |
В. В. Богобоящий, А. И. Елизаров, В. А. Петряков, В. И. Стафеев, В. Н. Северцев, “Исследование диффузии меди в монокристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1469–1471 |
| 12. |
Л. Е. Воробьев, С. Н. Данилов, В. И. Стафеев, “Длинноволновое стимулированное излучение из дырочного германия
в $\mathbf{E}\perp\mathbf{H}$ полях”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1271–1277 |
| 13. |
В. И. Стафеев, “Термоэлектрические явления в диэлектрических средах вблизи фазового
перехода”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 730–733 |
| 14. |
Л. Е. Воробьев, С. Н. Данилов, В. И. Стафеев, В. Н. Тулупенко, “Внутризонная инверсия населенности горячих тяжелых дырок в Ge
в $\mathrm{E}\perp\mathrm{H}$ полях”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 577–579 |
|
1986 |
| 15. |
В. И. Стафеев, “Собственная электропроводность диэлектрических жидкостей”, ЖТФ, 56:9 (1986), 1769–1774 |
|
1985 |
| 16. |
А. Г. Алексеев, М. В. Седнев, В. И. Стафеев, И. Н. Петров, “Некоторые свойства диодов на основе Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te вблизи
температуры жидкого гелия”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2198–2201 |
| 17. |
Л. Е. Воробьев, С. Н. Данилов, В. И. Стафеев, В. Н. Тулупенко, Ю. К. Пожела, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Инверсия населенности дырок и коэффициенты усиления света в германии
в $\mathbf{E}\perp\mathbf{H}$ полях”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1176–1181 |
| 18. |
Л. Е. Воробьев, В. И. Стафеев, В. Н. Тулупенко, Ю. К. Пожела, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Функции распределения горячих дырок в германии в скрещенных E
и H полях”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 708–714 |
| 19. |
Л. Е. Воробьев, В. И. Стафеев, В. Н. Тулупенко, Ю. К. Пожела, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Поглощение света горячими дырками в германии в скрещенных E
и H полях”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 62–69 |
|
1984 |
| 20. |
Л. Е. Воробьев, В. И. Масычев, В. И. Стафеев, Д. А. Фирсов, “Спектральная зависимость индуцированной током анизотропии показателя
преломления на горячих электронах в $n$-InSb”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 565–567 |
| 21. |
Л. Е. Воробьев, В. И. Стафеев, Д. А. Фирсов, “Влияние разогрева и дрейфа электронов на показатель преломления
$n$-InSb с учетом межзонных переходов”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 513–518 |
| 22. |
Л. А. Бовина, В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, В. К. Огородников, М. В. Седнев, В. И. Стафеев, “Фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 327–329 |
|
1983 |
| 23. |
Л. Н. Курбатов, И. В. Бармин, Б. И. Головин, B. C. Зиновьев, А. В. Изъюров, А. П. Черкасов, Н. В. Комаров, В. И. Стафеев, Е. Н. Холина, А. В. Фролов, Э. П. Бочкарев, “Эксперименты по кристаллизации твердых растворов $\mathrm{Cd}_x\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ в условиях невесомости на борту орбитальной станции “Салют-6””, Докл. АН СССР, 273:6 (1983), 1380–1382 |
| 24. |
В. И. Стафеев, Э. Ю. Салаев, X. Д. Джалилова, Э. И. Курбанова, Т. С. Мамедов, “Спектры оптического поглощения и фотопроводимость эпитаксиальных
пленок Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle\text{In}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1864–1866 |
| 25. |
Ю. Г. Арапов, А. Б. Давыдов, М. Л. Зверева, В. И. Стафеев, И. М. Цидильковский, “Локализация электронов в магнитном поле
в $n$-Hg$_{0.8}$Cd$_{0.2}$Te”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1392–1396 |
| 26. |
Л. А. Бовина, Н. Б. Брандт, С. Н. Гордеев, В. В. Евсеев, В. И. Стафеев, Я. Г. Пономарев, “Эффект Шубникова–де-Гааза у сплава Hg$_{0.96}$Cd$_{0.04}$Te
$n$-типа
под давлением”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1009–1015 |
| 27. |
Л. Е. Воробьев, В. И. Стафеев, Д. А. Фирсов, “Влияние междырочных столкновений на модуляцию света и функцию
распределения теплых дырок в германии”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 796–802 |
| 28. |
Л. Е. Воробьев, В. И. Стафеев, В. А. Шалыгин, А. В. Штурбин, “Исследование ударной ионизации в собственном InSb по модуляции света”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 129–133 |
|
1982 |
| 29. |
А. Н. Власов, В. И. Стафеев, А. И. Уваров, Е. М. Кистова, А. Н. Лихолетов, М. А. Константинова, “Катодолюминесценция эпитаксиальных слоев Pb<sub>1–x</sub>Sn<sub>x</sub>Te с градиентом состава в плоскости роста”, Квантовая электроника, 9:7 (1982), 1486–1488 [A. N. Vlasov, V. I. Stafeev, A. I. Uvarov, E. M. Kistova, A. N. Likholetov, M. A. Konstantinova, “Cathodoluminescence of epitaxial Pb<sub>1–x</sub>Sn<sub>x</sub>Te films with a composition gradient in the growth plane”, Sov J Quantum Electron, 12:7 (1982), 949–951 ] |
|
1980 |
| 30. |
Ю. А. Васильев, Ю. В. Дмитриев, П. Г. Елисеев, И. А. Скопин, В. И. Стафеев, “Быстродействующий фотодиод на основе поверхностно-барьерной структуры $Au-nn^+-GaAs$”, Квантовая электроника, 7:10 (1980), 2218–2221 [Yu. A. Vasil'ev, Yu. V. Dmitriev, P. G. Eliseev, I. A. Skopin, V. I. Stafeev, “Fast-response photodiode based on a surface-barrier $Au-nn^+-GaAs$ structure”, Sov J Quantum Electron, 10:10 (1980), 1288–1289 ] |
|
Обратная связь: