Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Устинов Виктор Михайлович
(1958–2024)
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 74
Научных статей: 73

Статистика просмотров:
Эта страница:751
Страницы публикаций:7382
Полные тексты:2418
Списки литературы:436
член-корреспондент РАН
профессор
доктор физико-математических наук
Дата рождения: 1.07.1958
Сайт: https://ioffe.ru/sem_tech/sem_teh_main_ustinovvm_ru.htm

Основные темы научной работы

Технология эпитаксиального роста методами молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и газофазной эпитаксии из металл-органических соединений (ГФЭ МОС), и исследование физических свойств гетероструктур и полупроводниковых приборов на основе соединений $А^3В^5$ и $III-N$.

Научная биография:

профессор кафедры Оптоэлектроники, заведующий кафедрой Оптоэлектроники (базовая кафедра ФТИ им. А.Ф. Иоффе) в СПбГЭТУ «ЛЭТИ», директор Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, главный научный сотрудник, заведующий лаборатории Физики полупроводниковых гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе, лауреат Государственной премии Российской Федерации в области науки и техники.

https://www.mathnet.ru/rus/person62812
https://ru.wikipedia.org/wiki/Устинов,_Виктор_Михайлович
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=27807

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2022
1. М. А. Бобров, С. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. В. Рахлин, А. И. Галимов, Ю. М. Серов, С. И. Трошков, В. М. Устинов, А. А. Торопов, “Цилиндрические микрорезонаторы с квантовыми точками InAs/GaAs – моделирование и анализ оптических характеристик”, Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  592–598  mathnet; M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. V. Rakhlin, A. I. Galimov, Yu. M. Serov, S. I. Troshkov, V. M. Ustinov, A. A. Toropov, “Simulation and analysis of the optical characteristics of cylindrical micropillars with InAs/GaAs quantum dots”, JETP Letters, 116:9 (2022), 613–618 3
2. С. А. Блохин, А. В. Бабичев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, В. В. Андрюшкин, В. Е. Бугров, А. Г. Гладышев, Н. В. Крыжановская, К. О. Воропаев, И. О. Жумаева, В. М. Устинов, А. Ю. Егоров, “Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин”, Квантовая электроника, 52:10 (2022),  878–884  mathnet [S. A. Blokhin, A. V. Babichev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, V. V. Andryushkin, V. E. Bugrov, A. G. Gladyshev, N. V. Kryzhanovskaya, K. O. Voropaev, I. O. Zhumaeva, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, “High-speed vertically emitting lasers in the spectral range of 1550 nm, implemented in the framework of wafer sintering method”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 2 (2023), S140–S147]
2021
3. С. А. Блохин, А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. М. Надточий, В. Н. Неведомский, В. В. Андрюшкин, С. С. Рочас, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, И. О. Жумаева, В. М. Устинов, А. Ю. Егоров, В. Е. Бугров, “Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm”, ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017  mathnet  elib
4. М. А. Бобров, С. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, М. М. Кулагина, А. С. Пазгалев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. М. Устинов, “Исследование шумовых характеристик вертикально-излучающих лазеров с ромбовидной токовой апертурой для применения в компактном квантовом цезиевом магнитометре”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  3–8  mathnet  elib 1
5. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, С. С. Рочас, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  3–7  mathnet  elib
6. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, С. С. Рочас, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом”, Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  3–8  mathnet  elib 1
7. Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, А. П. Васильев, С. А. Блохин, С. И. Трошков, А. В. Нащекин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, К. О. Воропаев, В. Е. Бугров, В. М. Устинов, “Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  36–38  mathnet  elib
8. Н. А. Черкашин, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, С. О. Усов, В. М. Устинов, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. Ф. Цацульников, “Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18  mathnet  elib; N. A. Cherkashin, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, V. V. Lundin, S. O. Usov, V. M. Ustinov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. F. Tsatsul'nikov, “Peculiarities of epitaxial growth of III – N led heterostructures on SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 753–756 6
9. С. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. А. Блохин, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, Е. С. Колодезный, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, S. Reitzenstein, В. М. Устинов, “Конструкция источника одиночных фотонов спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с инжекционной накачкой на основе вертикального микрорезонатора с внутрирезонаторными контактами”, Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  23–27  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, E. S. Kolodeznyi, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, S. Reitzenstein, V. M. Ustinov, “The design of an electrically-driven single photon source of the 1.3-$\mu$m spectral range based on a vertical microcavity with intracavity contacts”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 222–226 1
2020
10. С. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, В. М. Устинов, “Исследование аномальной генерации вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 nm с двойной оксидной токовой апертурой при большой величине спектральной расстройки”, Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020),  1151–1159  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, V. M. Ustinov, “Investigation of anomalous lasing in vertical-cavity surface-emitting lasers of the 850-nm spectral range with a double oxide current aperture at large gain-to-cavity detuning”, Optics and Spectroscopy, 128:8 (2020), 1174–1181 1
11. С. А. Блохин, В. Н. Неведомский, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, С. С. Рочас, А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1088–1096  mathnet  elib; S. A. Blokhin, V. N. Nevedomskiy, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, S. S. Rochas, A. V. Babichev, A. G. Gladyshev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, “1.55 $\mu$m-range vertical cavity surface emitting lasers, manufactured by wafer fusion of heterostuctures grown by solid-source molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1276–1283 7
12. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, С. С. Рочас, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  49–54  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, S. S. Rochas, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, “The effect of a saturable absorber in long-wavelength vertical-cavity surface-emitting lasers fabricated by wafer fusion technology”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1257–1262 11
13. С. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, С. С. Рочас, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs”, Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  21–25  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, S. S. Rochas, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, “A vertical-cavity surface-emitting laser for the 1.55-$\mu$m spectral range with tunnel junction based on $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs layers”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 854–858 11
2019
14. В. В. Дюделев, В. В. Мамутин, Д. В. Чистяков, Е. А. Когновицкая, В. И. Кучинский, Н. А. Малеев, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, В. М. Устинов, Г. С. Соколовский, “Влияние разогрева активной области на динамические и мощностные характеристики квантовых каскадных лазеров, излучающих на длине волны 4.8 $\mu$m при комнатной температуре”, Оптика и спектроскопия, 127:3 (2019),  445–448  mathnet  elib; V. V. Dyudelev, V. V. Mamutin, D. V. Chistyakov, E. A. Kognovitskaya, V. I. Kuchinskii, N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, V. M. Ustinov, G. S. Sokolovskii, “The effect of active region heating on dynamic and power characteristics of quantum cascade lasers emitting at a wavelength of 4.8 $\mu$m at room temperature”, Optics and Spectroscopy, 127:3 (2019), 479–482
15. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, Е. С. Колодезный, С. С. Рочас, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. Ю. Егоров, “Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированного методом спекания пластин”, Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  145–149  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, E. S. Kolodeznyi, S. S. Rochas, A. V. Babichev, I. I. Novikov, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, “Analysis of the internal optical losses of the vertical-cavity surface-emitting laser of the spectral range of 1.55 $\mu$m formed by a plate sintering technique”, Optics and Spectroscopy, 127:1 (2019), 140–144 9
16. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, Е. С. Колодезный, С. С. Рочас, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. Ю. Егоров, “Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1128–1134  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, E. S. Kolodeznyi, S. S. Rochas, A. V. Babichev, I. I. Novikov, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, “Influence of output optical losses on the dynamic characteristics of 1.55-$\mu$m wafer-fused vertical-cavity surface-emitting lasers”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1104–1109 6
17. Н. А. Малеев, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, С. Н. Малеев, В. А. Беляков, Е. В. Петрякова, Ю. П. Кудряшова, Е. Л. Фефелова, И. В. Макарцев, С. А. Блохин, Ф. А. Ахмедов, А. В. Егоров, А. Г. Фефелов, В. М. Устинов, “InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  29–33  mathnet  elib; N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, S. N. Maleev, V. A. Belyakov, E. V. Petryakova, Yu. P. Kudryashova, E. L. Fefelova, I. V. Makartsev, S. A. Blokhin, F. A. Akhmedov, A. V. Egorov, A. G. Fefelov, V. M. Ustinov, “InAlAs/InGaAs/InP high-electron-mobility transistors with a composite channel and higher breakdown characteristics”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1092–1096 3
18. Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, С. А. Блохин, В. М. Устинов, “Гетеробарьерные варакторы с неоднородно легированными модулирующими слоями”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  51–54  mathnet  elib; N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, M. M. Kulagina, Yu. A. Guseva, S. A. Blokhin, V. M. Ustinov, “Heterobarrier varactors with nonuniformly doped modulation layers”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1063–1066
19. С. А. Блохин, Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, М. М. Кулагина, А. А. Блохин, Ю. А. Гусева, А. М. Оспенников, М. В. Петренко, А. Г. Гладышев, А. Ю. Егоров, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, В. М. Устинов, “Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов”, Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190  mathnet  elib [S. A. Blokhin, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, M. M. Kulagina, A. A. Blokhin, Yu. A. Guseva, A. M. Ospennikov, M. V. Petrenko, A. G. Gladyshev, A. Yu. Egorov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, V. M. Ustinov, “Vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal current aperture for compact atomic clocks”, Quantum Electron., 49:2 (2019), 187–190  isi  scopus] 8
2018
20. М. В. Максимов, А. М. Надточий, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. П. Васильев, В. М. Устинов, А. А. Сeрин, Н. Ю. Гордеев, А. Е. Жуков, “Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1191–1196  mathnet  elib; M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. P. Vasil'ev, V. M. Ustinov, A. A. Serin, N. Yu. Gordeev, A. E. Zhukov, “Effect of epitaxial-structure design and growth parameters on the characteristics of metamorphic lasers of the 1.46-$\mu$m optical range based on quantum dots grown on GaAs substrates”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1311–1316 2
21. В. В. Мамутин, А. П. Васильев, А. В. Лютецкий, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  812–815  mathnet  elib; V. V. Mamutin, A. P. Vasil'ev, A. V. Lyutetskiy, N. D. Il'inskaya, Yu. M. Zadiranov, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “On the fabrication and study of lattice-matched heterostructures for quantum cascade lasers”, Semiconductors, 52:7 (2018), 950–953 6
22. В. В. Мамутин, Н. А. Малеев, А. П. Васильев, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, М. А. Яговкина, Ю. М. Шерняков, В. М. Устинов, “Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  133–137  mathnet  elib; V. V. Mamutin, N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, N. D. Il'inskaya, Yu. M. Zadiranov, A. A. Usikova, M. A. Yagovkina, Yu. M. Shernyakov, V. M. Ustinov, “Investigation of the modified structure of a quantum cascade laser”, Semiconductors, 52:1 (2018), 126–130 1
23. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  98–104  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 1
24. Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, М. М. Кулагина, С. Н. Малеев, С. А. Блохин, В. Н. Неведомский, В. М. Устинов, “Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  16–23  mathnet  elib; N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, M. M. Kulagina, S. N. Maleev, S. A. Blokhin, V. N. Nevedomskiy, V. M. Ustinov, “Epitaxial InGaAs/InAlAs/AlAs structures for heterobarrier varactors with low leakage current”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 862–864 3
25. В. В. Мамутин, А. П. Васильев, А. В. Лютецкий, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, Ю. М. Задиранов, Н. А. Малеев, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, В. М. Устинов, “Квантовые каскадные лазеры с длиной волны излучения 4.8 $\mu$m, работающие при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  17–23  mathnet  elib; V. V. Mamutin, A. P. Vasil'ev, A. V. Lyutetskiy, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, V. M. Ustinov, “Quantum-cascade lasers generating at the 4.8-$\mu$m wavelength at room temperature”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 814–816 2
26. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, Н. А. Малеев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, “Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  67–75  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, “The influence of cavity design on the linewidth of near-ir single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 28–31 3
27. С. А. Блохин, Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. В. Сахаров, В. М. Устинов, “Высокоскоростные полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры для оптических систем передачи данных (Обзор)”, Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  7–43  mathnet  elib; S. A. Blokhin, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, “High-speed semiconductor vertical-cavity surface-emitting lasers for optical data-transmission systems (review)”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 1–16 15
2017
28. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1697  mathnet; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 1
29. Д. Г. Павельев, А. П. Васильев, В. А. Козлов, Е. С. Оболенская, С. В. Оболенский, В. М. Устинов, “Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1493–1497  mathnet  elib; D. G. Pavel'ev, A. P. Vasil'ev, V. A. Kozlov, E. S. Obolenskaya, S. V. Obolensky, V. M. Ustinov, “Optimization of the superlattice parameters for THz diodes”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1439–1443 3
30. Н. А. Малеев, В. А. Беляков, А. П. Васильев, М. А. Бобров, С. А. Блохин, М. М. Кулагина, А. Г. Кузьменков, В. Н. Неведомский, Ю. А. Гусева, С. Н. Малеев, И. В. Ладенков, Е. Л. Фефелова, А. Г. Фефелов, В. М. Устинов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1484–1488  mathnet  elib; N. A. Maleev, V. A. Belyakov, A. P. Vasil'ev, M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, M. M. Kulagina, A. G. Kuz'menkov, V. N. Nevedomskiy, Yu. A. Guseva, S. N. Maleev, I. V. Ladenkov, E. L. Fefelova, A. G. Fefelov, V. M. Ustinov, “Molecular-beam epitaxy of InGaAs/InAlAs/AlAs structures for heterobarrier varactors”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1431–1434 4
31. В. В. Дюделев, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, С. А. Блохин, В. Ю. Мыльников, В. И. Кучинский, В. М. Устинов, Э. У. Рафаилов, Г. С. Соколовский, “Обострение оптических импульсов в вертикально-излучающих лазерах с активной областью на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs”, Письма в ЖТФ, 43:24 (2017),  17–23  mathnet  elib; V. V. Dyudelev, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, S. A. Blokhin, V. Yu. Mylnikov, V. I. Kuchinskii, V. M. Ustinov, È. U. Rafailov, G. S. Sokolovskii, “Peaking of optical pulses in vertical-cavity surface-emitting lasers with an active region based on submonolayer InGaAs quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 43:12 (2017), 1099–1101 1
32. Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, С. Н. Тимошнев, В. М. Устинов, “Прецизионная калибровка уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия”, Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  87–94  mathnet  elib; D. V. Mokhov, T. N. Berezovskaya, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, S. N. Timoshnev, V. M. Ustinov, “Precision calibration of the silicon doping level in gallium arsenide epitaxial layers”, Tech. Phys. Lett., 43:10 (2017), 909–911 1
2016
33. И. В. Алтухов, С. Е. Дижур, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Н. А. Хвальковский, А. Д. Буравлев, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, В. М. Устинов, “Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016),  128–131  mathnet  elib; I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khval'kovskii, A. D. Buravlev, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, V. M. Ustinov, “Effect of a terahertz cavity on the conductivity of short-period GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 103:2 (2016), 122–124  isi  scopus 19
34. Д. Г. Павельев, А. П. Васильев, В. А. Козлов, Ю. И. Кошуринов, Е. С. Оболенская, С. В. Оболенский, В. М. Устинов, “Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1548–1553  mathnet  elib; D. G. Pavel'ev, A. P. Vasil'ev, V. A. Kozlov, Yu. I. Koschurinov, E. S. Obolenskaya, S. V. Obolensky, V. M. Ustinov, “Simulation of electron transport in GaAs/AlAs superlattices with a small number of periods for the THz frequency range”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1526–1531 3
35. М. А. Бобров, Н. А. Малеев, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, В. Лисак, В. М. Устинов, “Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1408–1413  mathnet  elib; M. A. Bobrov, N. A. Maleev, S. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, V. Lisak, V. M. Ustinov, “Polarization characteristics of 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal oxide current aperture”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1390–1395 5
36. А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, С. О. Усов, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, В. М. Устинов, “Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407  mathnet  elib; A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, S. O. Usov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, K. A. Bulashevich, S. Yu. Karpov, V. M. Ustinov, “Effect of the parameters of AlN/GaN/AlGaN and AlN/GaN/InAlN heterostructures with a two-dimensional electron gas on their electrical properties and the characteristics of transistors on their basis”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1383–1389 3
37. А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, С. О. Усов, А. Е. Николаев, М. А. Яговкина, В. М. Устинов, Н. А. Черкашин, “Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1263–1269  mathnet  elib; A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, S. O. Usov, A. E. Nikolaev, M. A. Yagovkina, V. M. Ustinov, N. A. Cherkashin, “Epitaxial growth of GaN/AlN/InAlN heterostructures for HEMTs in horizontal MOCVD reactors with different designs”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1241–1247 1
38. Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, С. А. Блохин, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, Ю. М. Задиранов, А. А. Липовский, Э. И. Моисеев, Ю. В. Кудашова, Д. А. Лившиц, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, “Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  393–397  mathnet  elib; N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, Yu. M. Zadiranov, A. A. Lipovskii, È. I. Moiseev, Yu. V. Kudashova, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, “Microdisk injection lasers for the 1.27-$\mu$m spectral range”, Semiconductors, 50:3 (2016), 390–393 13
39. В. Г. Тихомиров, В. Е. Земляков, В. В. Волков, Я. М. Парнес, В. Н. Вьюгинов, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников, Н. А. Черкашин, М. Н. Мизеров, В. М. Устинов, “Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  245–249  mathnet  elib; V. G. Tikhomirov, V. E. Zemlyakov, V. V. Volkov, Ya. M. Parnes, V. N. V’yuginov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Cherkashin, M. N. Mizerov, V. M. Ustinov, “Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation”, Semiconductors, 50:2 (2016), 244–248 23
40. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, И. О. Карповский, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Н. Д. Прасолов, П. Н. Брунков, В. С. Левицкий, В. Лисак, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  57–65  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, N. D. Prasolov, P. N. Brunkov, V. S. Levitskii, V. Lisak, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “A study of distributed dielectric Bragg reflectors for vertically emitting lasers of the near-IR range”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1049–1053 5
41. С. А. Блохин, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, И. О. Карповский, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке”, Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  70–79  mathnet  elib; S. A. Blokhin, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, V. N. Nevedomskiy, E. V. Nikitina, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Laser generation at 1.3 $\mu$m in vertical microcavities containing InAs/InGaAs quantum dot arrays under optical pumping”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1009–1012 3
2010
42. А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, А. П. Васильев, А. Е. Жуков, В. М. Устинов, “Стимулированное излучение квантовых точек при оптической накачке”, Квантовая электроника, 40:7 (2010),  579–582  mathnet  elib [A. A. Andronov, Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, A. P. Vasil'ev, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, “Stimulated emission from optically pumped quantum dots”, Quantum Electron., 40:7 (2010), 579–582  isi  scopus]
2006
43. Е. В. Андреева, А. Е. Жуков, В. В. Прохоров, В. М. Устинов, С. Д. Якубович, “Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1100–1230 нм на основе InAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с квантовыми точками”, Квантовая электроника, 36:6 (2006),  527–531  mathnet  elib [E. V. Andreeva, A. E. Zhukov, V. V. Prokhorov, V. M. Ustinov, S. D. Yakubovich, “Superluminescent InAs/AlGaAs/GaAs quantum dot heterostructure diodes emitting in the 1100—1230-nm spectral range”, Quantum Electron., 36:6 (2006), 527–531  isi  scopus] 8
2005
44. В. К. Калевич, Е. Л. Ивченко, М. М. Афанасьев, А. Ю. Ширяев, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, Б. Пал, Я. Масумото, “Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAsN”, Письма в ЖЭТФ, 82:7 (2005),  509–512  mathnet; V. K. Kalevich, E. L. Ivchenko, M. M. Afanas'ev, A. Yu. Shiryaev, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, B. Pal, Ya. Masumoto, “Spin-dependent recombination in GaAsN solid solutions”, JETP Letters, 82:7 (2005), 455–458  isi  scopus 46
2002
45. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, В. М. Устинов, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Проявление кулоновской щели в двумерных структурах $p$-GaAs-AIGaAs в условиях заполнения верхней зоны Хаббарда”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002),  420–424  mathnet; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, V. M. Ustinov, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Manifestation of coulomb gap in two-dimensional $p$-GaAs-AlGaAs structures with filled upper Hubbard band”, JETP Letters, 76:6 (2002), 360–364  scopus 5
46. Г. А. Любас, Н. Н. Леденцов, Д. Литвинов, Д. Гертцен, И. П. Сошников, В. М. Устинов, “Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)A- и (311)B-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002),  211–216  mathnet; G. A. Lyubas, N. N. Ledentsov, D. Litvinov, D. Gerthsen, I. P. Sotnikov, V. M. Ustinov, “Photoluminescence and the structure of heterointerfaces of (311)A-and (311)B-oriented GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 75:4 (2002), 179–183  scopus 8
2001
47. В. М. Устинов, Н. А. Малеев, А. Е. Жуков, А. Р. Ковш, А. В. Сахаров, Б. В. Воловик, А. Ф. Цацульников, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алфёров, Д. А. Лотт, Д. Бимберг, “Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками”, УФН, 171:8 (2001),  855–857  mathnet; V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. V. Sakharov, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, J. A. Lott, D. Bimberg, “Vertical-cavity emitting devices with quantum-dot structures”, Phys. Usp., 44:8 (2001), 813–815 1
1999
48. Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Н. Тулупенко, Н. Н. Леденцов, П. С. Копьев, В. М. Устинов, Ю. М. Шерняков, Ж. И. Алфёров, “Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами”, УФН, 169:4 (1999),  459–464  mathnet; L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, V. A. Shalygin, V. N. Tulupenko, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, V. M. Ustinov, Yu. M. Shernyakov, Zh. I. Alferov, “The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wells”, Phys. Usp., 42:4 (1999), 391–396  isi 10
1996
49. Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. В. Максимов, П. С. Копьев, Д. Бимберг, Ж. И. Алфёров, “Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах”, УФН, 166:4 (1996),  423–428  mathnet; N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. V. Maksimov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh. I. Alferov, “Ordered quantum-dot arrays in semiconducting matrices”, Phys. Usp., 39:4 (1996), 393–398  isi 18
1995
50. Ж. И. Алфёров, Д. Бимберг, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, С. С. Рувимов, В. М. Устинов, И. Хейденрайх, “Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками”, УФН, 165:2 (1995),  224–225  mathnet; Zh. I. Alferov, D. Bimberg, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, S. S. Ruvimov, V. M. Ustinov, I. Kheidenraikh, “Strained-submonolayer and quantum-dot superstructures”, Phys. Usp., 38:2 (1995), 215–216  isi 5
1992
51. Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1715–1722  mathnet
52. А. М. Минтаиров, К. Е. Смекалин, В. М. Устинов, В. П. Хвостиков, “Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света эпитаксиальных слоев $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  614–628  mathnet
1991
53. А. Т. Гореленок, Д. Н. Рехвиашвили, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$-гетероструктуры с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  908–912  mathnet
1990
54. А. М. Минтаиров, К. Е. Смекалин, В. М. Устинов, В. П. Хвостиков, “Комбинационное рассеяние света на смешанных $LO$-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>0.4$)”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1539–1549  mathnet
55. П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  717–719  mathnet
56. Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, М. И. Неменов, В. М. Устинов, С. В. Шапошников, “Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  152–158  mathnet
57. А. В. Бобыль, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, А. М. Минтаиров, В. М. Устинов, “Эффект распада фотоиндуцированной электронно-дырочной плазмы в одиночных селективно-легированных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  90–95  mathnet  isi
58. A. M. Васильев, П. С. Копьев, B. C. Лысенко, А. Н. Назаров, Г. А. Наумовец, В. Б. Попов, А. С. Ткаченко, В. М. Устинов, “Влияние водорода на оптические и транспортные свойства эпитаксиальных слоев AlGaAs : Si”, Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  1–5  mathnet  isi
59. А. Т. Гореленок, Д. Н. Рехвиашвили, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Двумерный электронный газ в гетероструктурах In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, выращенных жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 16:8 (1990),  47–50  mathnet  isi
1989
60. А. М. Васильев, П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Переходы с участием размерно-квантованных подзон в спектре фотолюминесценции $\delta$-легированного GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2133–2137  mathnet
61. П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Механизмы нестационарной фотопроводимости в селективно легированных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1382–1385  mathnet
62. П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “О «нулевых осцилляциях» в структурах с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1110–1113  mathnet
63. В. П. Евтихиев, П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  845–848  mathnet
64. В. М. Андреев, Н. С. Зимогорова, Л. Б. Карлина, Л. П. Никитин, В. М. Устинов, А. М. Васильев, “Фотолюминесцентные свойства твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных рением”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  612–615  mathnet
65. П. С. Копьев, А. А. Будза, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Увеличение подвижности двумерных электронов на гетерогранице AlAs/GaAs по сравнению с AlGaAs/GaAs в гетероструктурах с селективным $\delta$-легированием”, Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  68–71  mathnet  isi
1988
66. Ж. И. Алфров, A. M. Васильев, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Снижение пороговой плотности тока в GaAs$-$AlGaAs ДГС РО квантоворазмерных лазерах ($J_{n}=52\,\text{А}\cdot\text{см}^{-2}$, $T=300$ K) при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешеткой с переменным шагом”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1803–1807  mathnet  isi 5
1986
67. А. М. Васильев, П. С. Копьев, В. П. Кочерешко, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, В. М. Устинов, Д. Р. Яковлев, “Собственная люминесценция резкого гетероперехода GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  353–356  mathnet
68. Ж. И. Алфёров, Р. О. Джапаридзе, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Лазеры на основе гетероструктур с активной областью, ограниченной монослойной сверхрешеткой”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  562–565  mathnet  isi
1985
69. Н. Н. Леденцов, Б. Я. Бер, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, Г. М. Минчев, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, ЖТФ, 55:1 (1985),  142–147  mathnet  isi
70. Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, В. М. Устинов, Ю. В. Шмарцев, “Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1199–1203  mathnet
1984
71. П. С. Копьев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  270–274  mathnet
1983
72. В. Н. Власов, А. С. Васильчиков, А. Ю. Кожухарь, В. М. Устинов, “Вклад переходного слоя в коэрцитивность эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок”, ЖТФ, 53:7 (1983),  1376–1378  mathnet  isi
73. Л. А. Иевенко, А. Ю. Кожухарь, В. М. Устинов, “Особенности динамических свойств периодических доменных структур”, ЖТФ, 53:7 (1983),  1358–1360  mathnet  isi
2021
74. А. М. Сергеев, Ю. Ю. Балега, И. А. Щербаков, Е. Б. Александров, В. М. Андреев, А. Л. Асеев, А. М. Быков, И. В. Грехов, В. В. Гусаров, А. В. Двуреченский, А. В. Иванчик, Е. Л. Ивченко, Н. Н. Казанский, А. А. Каплянский, В. В. Кведер, Н. Н. Колачевский, С. Г. Конников, П. С. Копьев, З. Ф. Красильник, А. Г. Литвак, С. В. Медведев, Ю. В. Наточин, В. Н. Пармон, Э. Е. Сон, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, В. В. Устинов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, А. Н. Алешин, М. В. Архипов, П. Н. Брунков, А. И. Вейнгер, А. К. Вершовский, Е. А. Волкова, С. А. Гуревич, В. К. Гусев, В. А. Дергачев, А. Г. Дерягин, О. В. Дудник, В. В. Жданов, Н. Л. Истомина, А. М. Калашникова, Е. С. Корнилова, Е. В. Кустова, А.А. Лебедев, Е.В. Липатова, А. В. Нащекин, Р. В. Парфеньев, М. П. Петров, Г. В. Скорняков, Е. М. Смирнов, Г. С. Соколовский, А. В. Соломонов, М. Г. Сушкова, Е. И. Теруков, Е. А. Чабан, О. Л. Чагунава, А. П. Шергин, Е. В. Шестопалова, М. Л. Шматов, А. А. Шмидт, В. Л. Шубин, “Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения”, ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024