|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, С. В. Морозов, М. А. Кащенко, А. А. Соколик, К. С. Новоселов, “Проявление послоевой локализации сингулярностей ван Хова в туннелировании между листами двухслойного графена”, Письма в ЖЭТФ, 120:11 (2024), 889–894  |
|
2023 |
| 2. |
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, С. В. Морозов, К. С. Новоселов, “Корреляционная кулоновская щель при магнитотуннелировании между слоями графена”, Письма в ЖЭТФ, 118:6 (2023), 438–444 ; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, S. V. Morozov, K. S. Novoselov, “Coulomb correlation gap at magnetic tunneling between graphene layers”, JETP Letters, 118:6 (2023), 433–438 |
1
|
|
2020 |
| 3. |
М. В. Григорьев, Д. А. Казарян, Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, С. В. Морозов, К. С. Новоселов, “Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в $h$-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 238–243  ; M. V. Grigor'ev, D. A. Ghazaryan, E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, S. V. Morozov, K. S. Novoselov, “On the role of structural imperfections of graphene in resonant tunneling through localized states in the $h$-BN barrier of van-der-Waals heterostructures”, Semiconductors, 54:3 (2020), 291–296 |
|
2019 |
| 4. |
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, М. В. Григорьев, О. Макаровский, М. Алхазми, С. В. Морозов, А. Мищенко, К. С. Новоселов, “Туннелирование в графен/$h$-$BN$/графен гетероструктурах через нульмерные уровни дефектов $h$-$BN$ и их использование в качестве зонда для измерения плотности состояний графена”, Письма в ЖЭТФ, 109:7 (2019), 492–499 ; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, M. V. Grigor'ev, O. Makarovsky, Mahal Alhazmi, S. V. Morozov, A. Mishchenko, K. S. Novoselov, “Tunneling in graphene/h-BN/graphene heterostructures through zero-dimensional levels of defects in h-BN and their use as probes to measure the density of states of graphene”, JETP Letters, 109:7 (2019), 482–489   |
7
|
| 5. |
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, А. Мищенко, К. С. Новоселов, “Наблюдение областей отрицательной дифференциальной проводимости и генерации тока при туннелировании через нульмерные уровни дефектов барьера $h$-BN в гетероструктурах графен/$h$-BN/графен”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1058–1062 ; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, A. Mishchenko, K. S. Novoselov, “Observation of regions of negative differential conductivity and current generation during tunneling through zero-dimensional defect levels of the $h$-BN barrier in graphene/$h$-BN/graphene heterostructures”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1038–1041 |
3
|
| 6. |
Е. Е. Вдовин, К. С. Новоселов, Ю. Н. Ханин, “Резонансно-туннельная спектроскопия ван-дер-ваальсовых гетеросистем”, Усп. хим., 88:11 (2019), 1081–1093 ; E. E. Vdovin, K. S. Novoselov, Yu. N. Khanin, “Resonant tunnelling spectroscopy of van der Waals heterosystems”, Russian Chem. Reviews, 88:11 (2019), 1081–1093 |
2
|
|
2018 |
| 7. |
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, И. А. Ларкин, О. Макаровский, Ю. А. Склюева, А. Мищенко, Ю. Б. Ванг, А. Козиков, Р. В. Горбачев, К. С. Новоселов, “Наблюдение спинового и долинного расщепления уровней Ландау при магнитотуннелировании в графен/нитрид бора/графен структурах”, Письма в ЖЭТФ, 107:4 (2018), 242–247 ; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, I. A. Larkin, O. Makarovsky, Yu. A. Sklyuеva, A. Mishchenko, Yi Bo Wang, A. Kozikov, R. V. Gorbachev, K. S. Novoselov, “Observation of spin and valley splitting of Landau levels under magnetic tunneling in graphene/boron nitride/graphene structures”, JETP Letters, 107:4 (2018), 238–242 |
4
|
|
2016 |
| 8. |
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, А. Мищенко, Ж. С. Ту, А. Козиков, К. С. Новоселов, Р. В. Горбачев, “Селективная спектроскопия туннельных переходов между уровнями Ландау в вертикальных графен–нитрид бора–графен гетероструктурах с двумя затворами”, Письма в ЖЭТФ, 104:5 (2016), 342–348 ; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, A. Mishchenko, J. S. Tu, A. Kozikov, K. S. Novoselov, R. V. Gorbachev, “Selective spectroscopy of tunneling transitions between the Landau levels in vertical double-gate graphene-boron nitride-graphene heterostructures”, JETP Letters, 104:5 (2016), 334–340 |
7
|
|
2011 |
| 9. |
К. С. Новосёлов, “Графен: материалы Флатландии”, УФН, 181:12 (2011), 1299–1311 |
44
|
|
2008 |
| 10. |
С. В. Морозов, К. С. Новоселов, А. К. Гейм, “Электронный транспорт в графене”, УФН, 178:7 (2008), 776–780 ; S. V. Morozov, K. S. Novoselov, A. K. Geim, “Electron transport in graphene”, Phys. Usp., 51:7 (2008), 744–748 |
109
|
|
Обратная связь: