|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
В. Т. Долгополов, М. Ю. Мельников, А. А. Шашкин, С. В. Кравченко, “Уплощение зон и слияние уровней Ландау в сильно коррелированных двумерных электронных системах (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 116:3 (2022), 159–170  ; V. T. Dolgopolov, M. Yu. Melnikov, A. A. Shashkin, S. V. Kravchenko, “Band flattening and Landau level merging in strongly-correlated two-dimensional electron systems”, JETP Letters, 116:3 (2022), 156–166 |
2
|
|
2019 |
| 2. |
В. Т. Долгополов, “Двумерная система сильновзаимодействующих электронов в кремниевых (100) структурах”, УФН, 189:7 (2019), 673–690  ; V. T. Dolgopolov, “Two-dimensional system of strongly interacting electrons in silicon (100) structures”, Phys. Usp., 62:7 (2019), 633–648   |
13
|
|
2018 |
| 3. |
В. Т. Долгополов, М. Ю. Мельников, А. А. Шашкин, С. Х. Хванг, Ц. В. Лиу, С. В. Кравченко, “Дробный квантовый эффект Холла в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe в слабых квантующих магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 107:12 (2018), 819–822 ; V. T. Dolgopolov, M. Yu. Melnikov, A. A. Shashkin, S.-H. Huang, C. W. Liu, S. V. Kravchenko, “Fractional quantum Hall effect in SiGe/Si/SiGe quantum wells in weak quantizing magnetic fields”, JETP Letters, 107:12 (2018), 794–797 |
4
|
| 4. |
M. Yu. Melnikov, A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, G. Biasiol, S. Roddaro, L. Sorba, “Classical effects in the weak-field magnetoresistance of InGaAs/InAlAs quantum wells”, Письма в ЖЭТФ, 107:5 (2018), 338–339 ; JETP Letters, 107:5 (2018), 320–323 |
1
|
|
2017 |
| 5. |
В. Т. Долгополов, “Квантовое плавление двумерного вигнеровского кристалла”, УФН, 187:7 (2017), 785–797 ; V. T. Dolgopolov, “Quantum melting of a two-dimensional Wigner crystal”, Phys. Usp., 60:7 (2017), 731–742 |
10
|
|
2015 |
| 6. |
A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, J. W. Clark, V. R. Shaginyan, M. V. Zverev, V. A. Khodel, “Interaction-induced merging of Landau levels in an electron system of double quantum wells”, Письма в ЖЭТФ, 102:1 (2015), 40–44 ; JETP Letters, 102:1 (2015), 36–40 |
5
|
| 7. |
В. Т. Долгополов, “Двумерные электроны кремниевых полевых структур ориентации (100) в
области малой концентрации и высокой подвижности”, Письма в ЖЭТФ, 101:4 (2015), 300–305 ; V. T. Dolgopolov, “Two-dimensional electrons in (100)-oriented silicon field-effect structures in the region of low concentrations and high mobilities”, JETP Letters, 101:4 (2015), 282–287 |
11
|
|
2014 |
| 8. |
M. Yu. Mel'nikov, A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, S. V. Kravchenko, S.-H. Huang, S. W. Liu, “The effective electron mass in high-mobility SiGe/Si/SiGe quantum wells”, Письма в ЖЭТФ, 100:2 (2014), 122–127 ; JETP Letters, 100:2 (2014), 114–119 |
15
|
| 9. |
В. Т. Долгополов, “Проявление взаимодействий в транспортных свойствах электронных систем пониженной размерности”, УФН, 184:7 (2014), 783–787 ; V. T. Dolgopolov, “Manifestation of interactions in the transport properties of low-dimensional electron systems”, Phys. Usp., 57:7 (2014), 721–725 |
| 10. |
В. Т. Долгополов, “Целочисленный квантовый эффект Холла и сопряжённые с ним явления”, УФН, 184:2 (2014), 113–136 ; V. T. Dolgopolov, “Integer quantum Hall effect and related phenomena”, Phys. Usp., 57:2 (2014), 105–127 |
22
|
|
2012 |
| 11. |
И. Н. Котельников, С. Е. Дижур, Е. Н. Морозова, Э. В. Девятов, В. Т. Долгополов, “Туннельная аномалия при нулевом смещении в двумерной
электронной системе с беспорядком”, Письма в ЖЭТФ, 96:9 (2012), 646–650 ; I. N. Kotel’nikov, S. E. Dizhur, E. N. Morozova, È. V. Devyatov, V. T. Dolgopolov, “Zero-bias tunneling anomaly in a two-dimensional electron system with disorder”, JETP Letters, 96:9 (2012), 577–581 |
3
|
| 12. |
V. T. Dolgopolov, A. A. Shashkin, “Polarization field in a single-valley strongly-interacting 2D electron system”, Письма в ЖЭТФ, 95:11 (2012), 648–652 ; JETP Letters, 95:11 (2012), 570–574 |
4
|
|
2011 |
| 13. |
V. T. Dolgopolov, A. Gold, “Thermoelectric properties of the interacting two dimensional electron gas in the diffusion regime”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 481–485 ; JETP Letters, 94:6 (2011), 446–450 |
10
|
|
2010 |
| 14. |
В. Ф. Гантмахер, В. Т. Долгополов, “Квантовый фазовый переход сверхпроводник – изолятор”, УФН, 180:1 (2010), 3–53 ; V. F. Gantmakher, V. T. Dolgopolov, “The superconductor-insulator quantum phase transition”, Phys. Usp., 53:1 (2010), 1–49 |
268
|
|
2008 |
| 15. |
М. Ю. Мельников, В. Т. Долгополов, В. С. Храпай, Д. Шух, “Интерференция баллистических электронов в открытой квантовой точке при высокой температуре”, Письма в ЖЭТФ, 88:1 (2008), 40–45 ; M. Yu. Mel'nikov, V. T. Dolgopolov, V. S. Khrapai, D. Schuh, “Interference of ballistic electrons in an open quantum dot at high temperatures”, JETP Letters, 88:1 (2008), 36–40 |
2
|
| 16. |
В. Ф. Гантмахер, В. Т. Долгополов, “Квантовые фазовые переходы “локализованные–делокализованные” электроны”, УФН, 178:1 (2008), 3–24 ; V. F. Gantmakher, V. T. Dolgopolov, “Localized–delocalized electron quantum phase transitions”, Phys. Usp., 51:1 (2008), 3–22 |
53
|
|
2007 |
| 17. |
A. Gold, V. T. Dolgopolov, “Determination of Landau's Fermi-liquid parameters in Si-MOSFET systems”, Письма в ЖЭТФ, 86:9 (2007), 687–690 ; JETP Letters, 86:9 (2007), 600–603 |
5
|
| 18. |
A. Gold, V. T. Dolgopolov, “Subband mobilities and Dingle temperatures within a two-subband model in the presence of localized states”, Письма в ЖЭТФ, 86:4 (2007), 286–289 ; JETP Letters, 86:4 (2007), 256–259 |
3
|
|
2005 |
| 19. |
E. V. Deviatov, V. T. Dolgopolov, A. Lorke, W. Wegscheider, A. D. Wieck, “Experimental investigation of the edge states structure at fractional filling factors”, Письма в ЖЭТФ, 82:8 (2005), 598–602 ; JETP Letters, 82:8 (2005), 539–543 |
7
|
|
2004 |
| 20. |
E. V. Deviatov, V. T. Dolgopolov, A. Würtz, “Charge redistribution between cyclotron-resolved edge states at high imbalance”, Письма в ЖЭТФ, 79:10 (2004), 618–623 ; JETP Letters, 79:10 (2004), 504–509 |
11
|
| 21. |
E. V. Deviatov, A. Würtz, A. Lorke, M. Yu. Melnikov, V. T. Dolgopolov, A. Wixforth, K. L. Campman, A. C. Gossard, “Manifestation of the bulk phase transition in the edge energy spectrum in a two dimensional bilayer electron system”, Письма в ЖЭТФ, 79:4 (2004), 206–211 ; JETP Letters, 79:4 (2004), 171–176 |
3
|
|
2003 |
| 22. |
Е. Л. Шангина, В. Т. Долгополов, “Квантовые фазовые переходы в двумерных системах”, УФН, 173:8 (2003), 801–812 ; E. L. Shangina, V. T. Dolgopolov, “Quantum phase transitions in two-dimensional systems”, Phys. Usp., 46:8 (2003), 777–787 |
15
|
|
2002 |
| 23. |
В. Т. Долгополов, “Об эффективной массе электронов кремниевых полевых структур при малых электронных плотностях”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002), 437–439 ; V. T. Dolgopolov, “On effective electron mass of silicon field structures at low electron densities”, JETP Letters, 76:6 (2002), 377–379 |
27
|
| 24. |
В. Т. Долгополов, “Коллективные эффекты в транспортных свойствах двумерных электронных систем”, Письма в ЖЭТФ, 75:6 (2002), 332–342 ; V. T. Dolgopolov, “Collective effects in the transport properties of two-dimensional electron systems”, JETP Letters, 75:6 (2002), 282–291 |
| 25. |
E. V. Deviatov, A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, H.-J. Kutschera, A. Wixforth, K. L. Campman, A. C. Gossard, “Shifting the quantum Hall plateau level in a double layer electron system”, Письма в ЖЭТФ, 75:1 (2002), 36–38 ; JETP Letters, 75:1 (2002), 34–36 |
1
|
|
2000 |
| 26. |
Э. В. Девятов, А. А. Шашкин, В. Т. Долгополов, В. Хансен, М. Холланд, “Туннельные измерения кулоновской псевдощели в двумерной электронной системе в квантующем магнитном поле (Сессия РАН 24.11.1999)”, УФН, 170:3 (2000), 327–331 ; È. V. Devyatov, A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, W. Hansen, M. Halland, “Tunneling measurements of the Coulomb pseudogap in a two-dimensional electron system in a quantizing magnetic field”, Phys. Usp., 43:3 (2000), 285–288 |
4
|
|
1998 |
| 27. |
В. Т. Долгополов, А. А. Шашкин, А. В. Аристов, Д. Шмерек, В. Хансен, Й. П. Коттхаус, М. Холланд, “Нелинейная экранировка, спиновая и циклотронная щели для двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs гетеропереходах”, УФН, 168:2 (1998), 147–150 ; V. T. Dolgopolov, A. A. Shashkin, A. V. Aristov, D. Schmerek, W. Hansen, J. P. Kotthaus, M. Halland, “Nonlinear screening, and spin and cyclotron gaps in the 2D electron gas of GaAs/AlGaAs heterojunctions”, Phys. Usp., 41:2 (1998), 138–141 |
2
|
|
1996 |
| 28. |
В. Т. Долгополов, “Перколяционные переходы металл – диэлектрик в двумерных электронных системах”, УФН, 166:4 (1996), 428–431 ; V. T. Dolgopolov, “Percolation metal-dielectric transitions in two-dimensional electron systems”, Phys. Usp., 39:4 (1996), 398–401 |
|
1980 |
| 29. |
В. Т. Долгополов, “Нелинейные эффекты в металлах в условиях аномального скина”, УФН, 130:2 (1980), 241–278 ; V. T. Dolgopolov, “Nonlinear effects in metals under anomalous-skin conditions”, Phys. Usp., 23:2 (1980), 134–155 |
19
|
|
|
|
2015 |
| 30. |
А. Ф. Андреев, В. Т. Долгополов, В. Н. Зверев, С. В. Иорданский, В. В. Кведер, И. В. Кукушкин, В. Д. Кулаковский, Э. И. Рашба, В. Б. Тимофеев, М. Р. Трунин, Д. Е. Хмельницкий, В. С. Храпай, “Памяти Всеволода Феликсовича Гантмахера”, УФН, 185:4 (2015), 447–448 ; A. F. Andreev, V. T. Dolgopolov, V. N. Zverev, S. V. Iordanskii, V. V. Kveder, I. V. Kukushkin, V. D. Kulakovskii, E. I. Rashba, V. B. Timofeev, M. R. Trunin, D. E. Khmelnitskii, V. S. Khrapai, “In memory of Vsevolod Feliksovich Gantmakher”, Phys. Usp., 58:4 (2015), 414–415 |
|
2005 |
| 31. |
А. А. Абрикосов, А. Ф. Андреев, Л. П. Горьков, В. Т. Долгополов, С. В. Иорданский, В. В. Кведер, И. Б. Левинсон, Ю. А. Осипьян, Э. И. Рашба, В. Б. Тимофеев, Д. Е. Хмельницкий, Г. М. Элиашберг, “Всеволод Феликсович Гантмахер (к семидесятилетию со дня рождения)”, УФН, 175:11 (2005), 1253–1254 ; A. A. Abrikosov, A. F. Andreev, L. P. Gor'kov, V. T. Dolgopolov, S. V. Iordanskii, V. V. Kveder, I. B. Levinson, Yu. A. Osip'yan, É. I. Rashba, V. B. Timofeev, D. E. Khmel'nitskiǐ, G. M. Eliashberg, “Vsevolod Feliksovich Gantmakher (on his seventieth birthday)”, Phys. Usp., 48:11 (2005), 1197–1198 |
|
Обратная связь: