|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
| 1. |
А. М. Намаюнас, Ю. К. Пожела, А. В. Тамашявичюс, “Микроплазменная неустойчивость в переменном электрическом поле”, Докл. АН СССР, 307:1 (1989), 102–104  |
| 2. |
А. М. Намаюнас, Ю. К. Пожела, А. В. Тамашявичюс, “Численное моделирование микроплазменной неустойчивости”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1606–1612 |
|
1988 |
| 3. |
Ю. К. Пожела, К. К. Сталерайтис, “К вопросу об эффекте изменения электропроводности полупроводника
в неоднородном магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 949–952 |
|
1987 |
| 4. |
И. Р. Гороховский, А. К. Лауринавичюс, Ю. К. Пожела, Е. П. Рашевская, Р. Р. Резванов, “Зависимость подвижности электронов в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te $n$-типа от
их концентрации при 77 K”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 1998–2001 |
| 5. |
А. М. Намаюнас, Ю. К. Пожела, А. В. Тамашявичюс, “О вольтамперной характеристике кремниевого $p{-}n$-перехода в области
микроплазменного пробоя”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 760–761 |
| 6. |
Ю. К. Пожела, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Насыщение усиления при прямых оптических переходах в валентной зоне
германия”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 657–661 |
|
1986 |
| 7. |
С. Б. Бумялене, Ю. К. Пожела, А. В. Тамашявичюс, “Хаотические автоколебания проводимости в неоднородно фотовозбужденном
$n$-Ge(Ni)”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1327–1329 |
| 8. |
С. Б. Бумялене, К. А. Пирагас, Ю. К. Пожела, А. В. Тамашявичюс, “Хаотические автоколебания фотопроводимости $n$-Ge(Ni)”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1190–1194 |
| 9. |
Ю. К. Пожела, “Рецензия на сб. научн. тр. «Многослойные полупроводниковые
структуры и сверхрешетки»”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 580–581 |
|
1985 |
| 10. |
Л. Е. Воробьев, С. Н. Данилов, В. И. Стафеев, В. Н. Тулупенко, Ю. К. Пожела, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Инверсия населенности дырок и коэффициенты усиления света в германии
в $\mathbf{E}\perp\mathbf{H}$ полях”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1176–1181 |
| 11. |
Л. Е. Воробьев, В. И. Стафеев, В. Н. Тулупенко, Ю. К. Пожела, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Функции распределения горячих дырок в германии в скрещенных E
и H полях”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 708–714 |
| 12. |
Л. Е. Воробьев, В. И. Стафеев, В. Н. Тулупенко, Ю. К. Пожела, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Поглощение света горячими дырками в германии в скрещенных E
и H полях”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 62–69 |
|
1984 |
| 13. |
Ю. К. Пожела, “Бесстолкновительный сдвиг функции распределения носителей заряда
в электрическом поле и излучательные переходы в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1467–1471 |
| 14. |
Ю. К. Пожела, Р. Б. Толутис, “Сканирование электромагнитного гауссова пучка в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1129–1130 |
| 15. |
А. Лауринавичюс, П. Малакаускас, Ю. К. Пожела, “Геликонный пучок в полупроводниковой плазме”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1056–1058 |
| 16. |
З. Н. Барташевич, Ю. К. Пожела, В. С. Филипавичюс, “Электродвижущая сила, обусловленная динамическим деформированием
гетероперехода Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 289–294 |
|
1983 |
| 17. |
З. Н. Барташевич, Ю. К. Пожела, В. С. Филипавичюс, “Электродвижущая сила, обусловленная динамическим деформированием
сложных полупроводниковых структур”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 2070–2072 |
| 18. |
Ю. К. Пожела, Р. Б. Толутис, З. К. Янкаускас, “Гауссовы пучки в магнитоплазме полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1689–1691 |
| 19. |
Ю. К. Пожела, Р. Б. Толутис, Т. С. Эберсонас, “Слабо затухающая медленная вихревая электромагнитная волна
в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1672–1673 |
| 20. |
Ю. К. Пожела, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Сдвиг распределений и инверсия населенности легких дырок относительно
тяжелых в Ge в скрещенных $\mathbf{E}\perp\mathbf{B}$ полях”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 904–909 |
|
|
|
2008 |
| 21. |
Е. Б. Александров, Ж. И. Алферов, А. Ф. Андреев, С. Н. Багаев, Н. А. Борисевич, А. Г. Забродский, А. А. Каплянский, Ю. С. Осипов, Ю. А. Осипьян, Ю. К. Пожела, Р. А. Сурис, Е. Д. Трифонов, “Памяти Карла Карловича Ребане”, УФН, 178:4 (2008), 443–444 ; E. B. Aleksandrov, Zh. I. Alferov, A. F. Andreev, S. N. Bagaev, N. A. Borisevich, A. G. Zabrodskii, A. A. Kaplyanskii, Yu. S. Osipov, Yu. A. Osip'yan, Yu. K. Pozhela, R. A. Suris, E. D. Trifonov, “In memory of Karl Karlovich Rebane”, Phys. Usp., 51:4 (2008), 419–420  |
|
1987 |
| 22. |
А. Ф. Андреев, В. Л. Гинзбург, Ю. В. Гуляев, В. В. Еременко, Ю. М. Каган, Б. Б. Кадомцев, Л. В. Келдыш, Ю. К. Пожела, Р. З. Сагдеев, В. Г. Скобов, А. Я. Усиков, В. П. Шестопалов, “Памяти Эмануила Айзиковича Канера”, УФН, 151:2 (1987), 377–378 ; A. F. Andreev, V. L. Ginzburg, Yu. V. Gulyaev, V. V. Eremenko, Yu. M. Kagan, B. B. Kadomtsev, L. V. Keldysh, Yu. K. Pozhela, R. Z. Sagdeev, V. G. Skobov, A. Ya. Ysikov, V. P. Shestopalov, “Emanuil Aizikovich Kaner (Obituary)”, Phys. Usp., 30:2 (1987), 193–194 |
1
|
|
Обратная связь: