|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Ф. Ф. Комаров, С. Б. Ластовский, И. А. Романов, И. Н. Пархоменко, Л. А. Власукова, Г. Д. Ивлев, Y. Berencen, А. А. Цивако, Н. С. Ковальчук, E. Wendler, “Слои кремния, гиперпересыщенные теллуром, для фотодиодов видимого и инфракрасного диапазонов”, ЖТФ, 91:12 (2021), 2026–2037   |
| 2. |
Ф. Ф. Комаров, И. Д. Парфимович, А. Г. Ткачев, А. В. Щегольков, А. В. Щегольков, О. В. Мильчанин, В. Бондарев, “Влияние методов формирования полимерных композитных материалов с углеродными нанотрубками на механизмы электропроводности”, ЖТФ, 91:3 (2021), 475–483 |
| 3. |
Ф. Ф. Комаров, И. А. Романов, Л. А. Власукова, И. Н. Пархоменко, А. А. Цивако, Н. С. Ковальчук, “Резистивное переключение в структурах ITO/SiN$_{x}$/Si”, ЖТФ, 91:1 (2021), 139–144 ; F. F. Komarov, I. A. Romanov, L. A. Vlasukova, I. N. Parkhomenko, A. A. Tsivako, N. S. Koval'chuk, “Resistive switching effect of the structure based on silicon nitride”, Tech. Phys., 66:1 (2021), 133–138  |
2
|
| 4. |
Ф. Ф. Комаров, И. Н. Пархоменко, О. В. Мильчанин, Г. Д. Ивлев, Л. А. Власукова, Ю. Жук, А. А. Цивако, Н. С. Ковальчук, “Влияние режимов импульсного лазерного отжига на оптические свойства кремния, гипердопированного селеном”, Оптика и спектроскопия, 129:8 (2021), 1037–1047 ; F. F. Komarov, I. N. Parkhomenko, O. V. Milchanin, G. D. Ivlev, L. A. Vlasukova, Yu. Żuk, A. A. Tsivako, N. S. Koval'chuk, “Effect of pulsed laser annealing on optical properties of selenium-hyperdoped silicon”, Optics and Spectroscopy, 129:10 (2021), 1114–1124 |
2
|
|
2020 |
| 5. |
Г. Д. Ивлев, В. А. Зайков, И. М. Климович, Ф. Ф. Комаров, О. Р. Людчик, “Наносекундное воздействие интенсивного лазерного излучения на тонкие плёнки TiAlN”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020), 144–150 ; G. D. Ivlev, V. A. Zaikov, I. M. Klimovich, F. F. Komarov, O. R. Lyudchik, “Nanosecond action of intensive laser radiation on thin TiAlN films”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 141–147 |
|
2018 |
| 6. |
Д. О. Мурзалинов, Л. А. Власукова, И. Н. Пархоменко, Ф. Ф. Комаров, А. Т. Акылбеков, А. В. Мудрый, Ю. А. Рябикин, Ш. Г. Гиниятова, А. К. Даулетбекова, “Люминесценция пленок нитрида кремния, имплантированных азотом”, Вестник Евразийского национального университета имени Л.Н. Гумилева. Серия Физика. Астрономия, 122:1 (2018), 68–73 |
|
2017 |
| 7. |
Ф. Ф. Комаров, “Нано- и микроструктурирование твёрдых тел быстрыми тяжёлыми ионами”, УФН, 187:5 (2017), 465–504 ; F. F. Komarov, “Nano- and microstructuring of solids by swift heavy ions”, Phys. Usp., 60:5 (2017), 435–471  |
83
|
|
2016 |
| 8. |
Ф. Ф. Комаров, С. В. Константинов, В. Е. Стрельницкий, В. В. Пилько, “Влияние облучения ионами гелия на структуру, фазовую стабильность и микротвердость наноструктурированных покрытий TiN, TiAlN, TiAlYN”, ЖТФ, 86:5 (2016), 57–63 ; F. F. Komarov, S. V. Konstantinov, V. E. Strel'nitskii, V. V. Pilko, “Effect of Helium ion irradiation on the structure, the phase stability, and the microhardness of TiN, TiAlN, and TiAlYN nanostructured coatings”, Tech. Phys., 61:5 (2016), 696–702 |
11
|
|
2003 |
| 9. |
Ф. Ф. Комаров, “Дефектообразование и трекообразование в твердых телах при облучении ионами сверхвысоких энергий”, УФН, 173:12 (2003), 1287–1318 ; F. F. Komarov, “Defect and track formation in solids irradiated by superhigh-energy ions”, Phys. Usp., 46:12 (2003), 1253–1282 |
109
|
| 10. |
А. Р. Челядинский, Ф. Ф. Комаров, “Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии”, УФН, 173:8 (2003), 813–846 ; A. R. Chelyadinskii, F. F. Komarov, “Defect-impurity engineering in implanted silicon”, Phys. Usp., 46:8 (2003), 789–820 |
34
|
|
1997 |
| 11. |
О. И. Величко, Ф. Ф. Комаров, Н. М. Луканов, А. Н. Мучинский, Н. Л. Прохоренко, В. А. Цурко, “Моделирование диффузии примесей при термическом отжиге системы поликремний-кремний”, Матем. моделирование, 9:5 (1997), 68–76  |
1
|
|
1992 |
| 12. |
Ю. И. Дудчик, Ф. Ф. Комаров, Я. А. Константинов, “Излучательные потери в тонкопленочных гамма-волноводах”, ЖТФ, 62:8 (1992), 110–116 |
| 13. |
А. П. Новиков, Г. А. Гусаков, Ф. Ф. Комаров, В. П. Толстых, “О механизме ионно-индуцированной кристаллизации в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1841–1844 |
|
1991 |
| 14. |
Ю. И. Дудчик, Ф. Ф. Комаров, М. А. Кумахов, Д. Г. Лобоцкий, B. C. Соловьев, B. C. Tишков, “Исследование пропускания многослойных тонкопленочных рентгеноводов”, Письма в ЖТФ, 17:13 (1991), 82–86 |
| 15. |
Ю. И. Дудчик, Ф. Ф. Комаров, Я. А. Константинов, “Гамма-волновод”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991), 45–49 |
| 16. |
А. Ф. Буренков, Ф. Ф. Комаров, С. А. Федотов, “Флуктуации зарядового
состояния ионов: возможная причина
увеличения
дисперсии пробегов при высокоэнергетичной ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 17:5 (1991), 69–72 |
|
1990 |
| 17. |
А. Ф. Буренков, Ф. Ф. Комаров, С. А. Федотов, “Модель каналирования ионов бора
при высокоэнергетичном ионном
легировании кристаллов кремния”, Письма в ЖТФ, 16:23 (1990), 4–8 |
| 18. |
Ю. И. Дудчик, Ф. Ф. Комаров, М. А. Кумахов, Д. Г. Лобоцкий, B. C. Соловьев, B. C. Тишков, “Использование многослойных структур в качестве мишеней для генерации
коллимированного пучка рентгеновских квантов”, Письма в ЖТФ, 16:15 (1990), 43–47 |
| 19. |
Ю. И. Дудчик, Ф. Ф. Комаров, B. C. Соловьев, B. C. Тишков, “О возможности построения источника рентгеновского излучения на основе
эффекта полного внешнего отражения”, Письма в ЖТФ, 16:1 (1990), 57–61 |
|
1989 |
| 20. |
И. А. Бачило, Р. В. Грибковский, Ф. Ф. Комаров, В. А. Мироненко, А. П. Новиков, “Формирование скрытого слоя $\beta$-Si$_{3}$N$_{4}$
при высокоинтенсивном ионном облучении (ВИО) кремния”, ЖТФ, 59:1 (1989), 200–202 |
|
1988 |
| 21. |
А. Ф. Буренков, Ф. Ф. Комаров, “Высокоэнергетичная ионная имплантация”, ЖТФ, 58:3 (1988), 559–566 |
| 22. |
Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, С. А. Петров, “Образование двойников и гексагональной модификации в кремнии при
облучении интенсивными пучками ионов Аr$^{+}$”, ЖТФ, 58:3 (1988), 548–551 |
| 23. |
А. Ф. Буренков, Ю. И. Дудчик, Ф. Ф. Комаров, “К вопросу об излучении при каналировании электронов с энергией 16.9, 30.5, 54.5 МэВ в алмазе”, ЖТФ, 58:1 (1988), 195–197 |
|
1987 |
| 24. |
А. С. Камышан, Ф. Ф. Комаров, Ф. П. Коршунов, А. П. Лазарь, “Экспериментальное исследование спектров рентгеновского излучения при каналировании быстрых электронов в кремнии”, Докл. АН СССР, 294:2 (1987), 339–342 |
| 25. |
Ф. Ф. Комаров, Е. В. Котов, А. В. Погребняков, “Фазовые превращения в слоях ниобия при имплантации ионов азота и сверхпроводящие свойства системы Nb$-$N”, Физика твердого тела, 29:6 (1987), 1660–1664 |
| 26. |
Ф. Ф. Комаров, Е. В. Котов, А. П. Новиков, С. А. Петров, Т. Т. Самойлюк, “Остаточные дефекты в кремнии при имплантации ионов As$^{+}$
в самоотжиговом режиме”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1863–1867 |
| 27. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, К. Д. Демаков, А. С. Игнатьев, Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, “Исследование образования монокристаллических слоев $\beta$-SiC на Si
методом высокоинтенсивного ионного легирования (ВИЛ)”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 920–922 |
|
1986 |
| 28. |
Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Комаров, “Прожекторный эффект в излучении Кумахова”, Докл. АН СССР, 289:3 (1986), 603–605 |
| 29. |
Ф. Ф. Комаров, Б. И. Плещинский, А. В. Штанин, “Определение оптимального режима разработки неоднородного по толщине участка нефтяного
месторождения”, Исслед. по подземн. гидромех., 8 (1986), 84–91 |
| 30. |
Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, И. А. Радишевский, Т. Т. Самойлюк, В. П. Толстых, “Отжиг дефектов и электрическая активация примеси в процессе
высокоинтенсивного ионного легирования кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1726–1728 |
| 31. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, К. Д. Демаков, Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, С. Ю. Ширяев, “Синтез монокристаллического карбида кремния с помощью одношаговой
техники высокоинтенсивного ионного легирования”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 149–152 |
|
1985 |
| 32. |
Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Комаров, “« Прожекторный» эффект в излучении Кумахова”, ЖТФ, 55:11 (1985), 2230–2232 |
| 33. |
А. Ф. Буренков, Ф. Ф. Комаров, Ю. И. Дудчик, “Уширение линий спонтанного излучения при плосткостном каналировании
электронов”, ЖТФ, 55:11 (1985), 2184–2190 |
| 34. |
В. С. Андреев, С. Б. Ефимов, Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, Т. Т. Самойлюк, В. С. Соловьев, С. Ю. Ширяев, “Кристаллизация и эффект отжига макродефектов в процессе высокоинтенсивной ионной имплантации полупроводниковых кристаллов”, Письма в ЖТФ, 11:18 (1985), 1110–1113 |
1
|
|
1984 |
| 35. |
Ф. Ф. Комаров, Н. В. Морошкин, “Возможность флуктуационного образования аморфной фазы в процессе
ионного легирования металлов”, ЖТФ, 54:9 (1984), 1836–1837 |
| 36. |
Ф. Ф. Комаров, “Сечения ионизации внутренних электронов в модели релятивистских
бинарных столкновений”, ЖТФ, 54:8 (1984), 1465–1471 |
|
1983 |
| 37. |
Ф. Ф. Комаров, В. И. Телегин, М. Х. Хоконов, “Аномалия в температурной зависимости излучения Кумахова при аксиальном каналировании электронов”, Докл. АН СССР, 272:2 (1983), 346–349 |
|
1982 |
| 38. |
Ф. Ф. Комаров, “О методе определения электронных плотностей в кристаллах по выходу $\delta$-электронов”, Докл. АН СССР, 263:5 (1982), 1123–1125 |
|
Обратная связь: