|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1968 |
1. |
Ф. Ф. Волькенштейн, В. Г. Бару, “Эффект “памяти” у полупроводниковых адсорбентов и катализаторов при облучении”, Усп. хим., 37:9 (1968), 1685–1693 ; F. F. Vol'kenshtein, V. G. Baru, “The “Memory” Effect in Semiconductor Adsorbents and Catalysts during Radiation”, Russian Chem. Reviews, 37:9 (1968), 724–728 |
|
1966 |
2. |
Ф. Ф. Волькенштейн, “Электронная теория катализа и эксперимент”, Усп. хим., 35:7 (1966), 1277–1293 ; F. F. Vol'kenshtein, “Experiment and the electronic theory of catalysis”, Russian Chem. Reviews, 35:7 (1966), 537–546 |
30
|
3. |
Ф. Ф. Волькенштейн, “Электронные процессы на поверхности полупроводника при хемосорбции”, УФН, 90:2 (1966), 275–289 ; F. F. Vol'kenshtein, “Electronic processes at the surface of a semiconductor during chemisorption”, Phys. Usp., 9:5 (1967), 743–751 |
17
|
|
1965 |
4. |
Ф. Ф. Волькенштейн, И. В. Карпенко, “О смещении адсорбционного равновесия на поверхности полупроводника под влиянием освещения”, Докл. АН СССР, 165:5 (1965), 1101–1104 |
5. |
Е. Н. Фигуровская, В. Ф. Киселев, Ф. Ф. Волькенштейн, “Влияние хемосорбции кислорода на работу выхода и электропроводность двуокиси титана”, Докл. АН СССР, 161:5 (1965), 1142–1145 |
|
1958 |
6. |
Ф. Ф. Волькенштейн, В. Б. Сандомирский, “О влиянии внешнего электрического поля на адсорбционную способность полупроводника”, Докл. АН СССР, 118:5 (1958), 980–982 |
7. |
И. И. Иоффе, Ф. Ф. Волькенштейн, “К вопросу о направлении реакции контактного окисления на полупроводниковых катализаторах (на примере
окисления бензола)”, Докл. АН СССР, 118:4 (1958), 747–750 |
|
1956 |
8. |
Ф. Ф. Волькенштейн, “Полупроводники как катализаторы химических реакций”, УФН, 60:2 (1956), 249–293 |
6
|
|
1953 |
9. |
Ф. Ф. Волькенштейн, “Активированная адсорбция на полупроводниках”, УФН, 50:2 (1953), 253–270 |
2
|
|
1951 |
10. |
Ф. Ф. Волькенштейн, “Зонная теория твёрдого тела и пределы её применимости”, УФН, 43:1 (1951), 11–29 |
3
|
|
1946 |
11. |
Ф. Ф. Волькенштейн, “Электронные процессы в реальных кристаллах”, УФН, 28:4 (1946), 389–437 |
|
1932 |
12. |
Ф. Волькенштейн, “К электронной теории металла”, УФН, 12:5 (1932), 732–741 |
13. |
Ф. Волькенштейн, “Механизм электронной проводимости в диэлектриках и полупроводниках”, УФН, 12:2 (1932), 351–356 |
|
|
|
1951 |
14. |
Ф. Волькенштейн, “Н. Мотт и Р. Герни. Электронные процессы в ионных кристаллах”, УФН, 44:3 (1951), 482–484 |
|
1934 |
15. |
Ф. Волькенштейн, “Физика металлов. Электрические, оптические и магнитные свойства”, УФН, 14:7 (1934), 928–930 |
16. |
Ф. Волькенштейн, “Электронные полупроводники”, УФН, 14:7 (1934), 927–928 |
17. |
Ф. Ф. Волькенштейн, “Пробой твердых диэлектриков”, УФН, 14:5 (1934), 678–679 |
|
1933 |
18. |
Ф. Волькенштейн, “Теория квантования в новой механике”, УФН, 13:3 (1933), 463–464 |
|