Журнал вычислительной математики и математической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Ж. вычисл. матем. и матем. физ.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал вычислительной математики и математической физики, 2013, том 53, номер 6, страницы 979–1003
DOI: https://doi.org/10.7868/S0044466913060033 (Mi zvmmf9845) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Об алгоритме поиска распределения электрического потенциала в транзисторе DG-MOSFET

А. М. Блохинab, Б. В. Семисаловc

a 630090 Новосибирск, пр-т Акад. Коптюга, 4, ИМ СО РАН
b 630090 Новосибирск, ул. Пирогова, 2, Новосибирский гос. ун-т
c 630090 Новосибирск, ул. Акад. Ржанова, 6, Конструкторско-технологический институт вычислительной техники СО РАН
PDF полного текста (517 kB) Список цитирования (2)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0044466913060033
Аннотация: Предлагается и подробно описывается эффективный численный алгоритм для нахождения распределения электрического потенциала в транзисторе DG-MOSFET. В классе гидродинамических моделей, описывающих процесс переноса заряда в полупроводниках, содержится уравнение Пуассона для электрического потенциала. Вследствие нелинейности уравнений гидродинамических моделей, наличия в них малых параметров и специфических условий на границе области транзистора DG-MOSFET при поиске численных решений уравнения Пуассона возникают существенные сложности. Предлагается оригинальный алгоритм, основанный на методе установления и идеях схем без насыщения, позволяющий справиться с упомянутыми трудностями. Библ. 22. Фиг. 7. Табл. 3.
Ключевые слова: гидродинамическая модель, транзистор DG-MOSFET, метод установления, нестационарная регуляризация, алгоритмы без насыщения, интерполяционный полином, сплайн-функция, матричная прогонка.
Поступила в редакцию: 23.01.2013
Англоязычная версия:
Computational Mathematics and Mathematical Physics, 2013, Volume 53, Issue 6, Pages 798–822
DOI: https://doi.org/10.1134/S0965542513060031
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 519.634
Образец цитирования: А. М. Блохин, Б. В. Семисалов, “Об алгоритме поиска распределения электрического потенциала в транзисторе DG-MOSFET”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 53:6 (2013), 979–1003; Comput. Math. Math. Phys., 53:6 (2013), 798–822
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BloSem13}
\by А.~М.~Блохин, Б.~В.~Семисалов
\paper Об алгоритме поиска распределения электрического потенциала в транзисторе DG-MOSFET
\jour Ж. вычисл. матем. и матем. физ.
\yr 2013
\vol 53
\issue 6
\pages 979--1003
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/zvmmf9845}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0044466913060033}
\mathscinet{http://mathscinet.ams.org/mathscinet-getitem?mr=3252914}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=19086240}
\transl
\jour Comput. Math. Math. Phys.
\yr 2013
\vol 53
\issue 6
\pages 798--822
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0965542513060031}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000321070700012}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20438647}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84879720682}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/zvmmf9845
  • https://www.mathnet.ru/rus/zvmmf/v53/i6/p979
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал вычислительной математики и математической физики Computational Mathematics and Mathematical Physics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:298
    PDF полного текста:87
    Список литературы:52
    Первая страница:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024