Краевая задача для моделирования физических полей в полупроводниковом диоде

Рассмотрена стационарная модель взаимодействия трех физических полей в полупроводниковом диоде (электрического поля, концентраций дырок и электронов). Эта модель, использующая диффузионно-дрейфовое приближение для токов и рекомбинационную функцию в форме Шокли–Рида–Холла, сводится к краевой задаче типа Дирихле–Неймана для сингулярно возмущенной системы трех нелинейных эллиптических уравнений. Для режима малых токов приближенное решение этой задачи найдено в явном виде для цилиндрического диода произвольного поперечного сечения. Приведенная оценка показывает, что это решение весьма близко (в равномерной норме) к точному для широкого диапазона исходных параметров задачи. Представлены численные результаты. Библ. 22. Фиг. 7.