|
Журнал вычислительной математики и математической физики, 2004, том 44, номер 12, страницы 2220–2251
(Mi zvmmf735)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Краевая задача для моделирования физических полей в полупроводниковом диоде
С. И. Безродных, В. И. Власов 119991 Москва, ул. Вавилова, 40, ВЦ РАН
Аннотация:
Рассмотрена стационарная модель взаимодействия трех физических полей в полупроводниковом диоде (электрического поля, концентраций дырок и электронов). Эта модель, использующая диффузионно-дрейфовое приближение для токов и рекомбинационную функцию в форме Шокли–Рида–Холла, сводится к краевой задаче типа Дирихле–Неймана для сингулярно возмущенной системы трех нелинейных эллиптических уравнений. Для режима малых токов приближенное решение этой задачи найдено в явном виде для цилиндрического диода произвольного поперечного сечения. Приведенная оценка показывает, что это решение весьма близко (в равномерной норме) к точному для широкого диапазона исходных параметров задачи. Представлены численные результаты. Библ. 22. Фиг. 7.
Ключевые слова:
система нелинейных дифференциальных уравнений с частными производными, сингулярное возмущение, численные методы.
Поступила в редакцию: 13.08.2004
Образец цитирования:
С. И. Безродных, В. И. Власов, “Краевая задача для моделирования физических полей в полупроводниковом диоде”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 44:12 (2004), 2220–2251; Comput. Math. Math. Phys., 44:12 (2004), 2112–2142
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/zvmmf735 https://www.mathnet.ru/rus/zvmmf/v44/i12/p2220
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 604 | PDF полного текста: | 206 | Список литературы: | 59 | Первая страница: | 1 |
|