Журнал вычислительной математики и математической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Ж. вычисл. матем. и матем. физ.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал вычислительной математики и математической физики, 1980, том 20, номер 1, страницы 112–120 (Mi zvmmf5238)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 2 статье)

О численном методе решения системы уравнений для потенциала и носителей заряда в полупроводниковых структурах

С. А. Майоров, А. А. Руденко, А. В. Шипилин

Москва
Аннотация: Предложен численный метод решения системы нелинейных уравнений, описывающих нестационарное распределение потенциала и носителей заряда – электронов и дырок в двумерных полупроводниковых структурах. Исходная система уравнений преобразуется с помощью введения новых искомых функций – квазипотенциалов. На основе методов расщепления и квазилинеаризации строится разностная схема. Приводится пример расчета модельной задачи о распределении потенциала и носителей заряда в двумерной структуре металл–диэлектрик–полупроводник.
Поступила в редакцию: 23.02.1979
Англоязычная версия:
USSR Computational Mathematics and Mathematical Physics, 1980, Volume 20, Issue 1, Pages 120–128
DOI: https://doi.org/10.1016/0041-5553(80)90067-1
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 519.6:517.958
Образец цитирования: С. А. Майоров, А. А. Руденко, А. В. Шипилин, “О численном методе решения системы уравнений для потенциала и носителей заряда в полупроводниковых структурах”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 20:1 (1980), 112–120; U.S.S.R. Comput. Math. Math. Phys., 20:1 (1980), 120–128
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MayRudShi80}
\by С.~А.~Майоров, А.~А.~Руденко, А.~В.~Шипилин
\paper О численном методе решения системы уравнений для потенциала и носителей заряда в полупроводниковых структурах
\jour Ж. вычисл. матем. и матем. физ.
\yr 1980
\vol 20
\issue 1
\pages 112--120
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/zvmmf5238}
\mathscinet{http://mathscinet.ams.org/mathscinet-getitem?mr=564782}
\transl
\jour U.S.S.R. Comput. Math. Math. Phys.
\yr 1980
\vol 20
\issue 1
\pages 120--128
\crossref{https://doi.org/10.1016/0041-5553(80)90067-1}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/zvmmf5238
  • https://www.mathnet.ru/rus/zvmmf/v20/i1/p112
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал вычислительной математики и математической физики Computational Mathematics and Mathematical Physics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:174
    PDF полного текста:112
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024