Журнал вычислительной математики и математической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Ж. вычисл. матем. и матем. физ.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал вычислительной математики и математической физики, 2006, том 46, номер 3, страницы 407–420 (Mi zvmmf498)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Сеточная аппроксимация сингулярно возмущенных параболических уравнений при наличии слабых и сильных переходных слоев, порождаемых разрывной правой частью

Г. И. Шишкин

620219 Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, 16, ИММ УрО РАН
Список литературы:
Аннотация: Изучается начальная задача на прямой для сингулярно возмущенных параболических уравнений, содержащих конвективные члены. Производные по пространственной переменной второго и первого порядков содержат, соответственно, параметры $\varepsilon_1$ и $\varepsilon_2$, которые могут принимать произвольные сколь угодно малые значения; правая часть уравнений терпит разрыв I рода на множестве $\bar\gamma=[x=0]\times[0,T]$. В зависимости от соотношения между параметрами возникающие переходные слои могут быть параболическими либо регулярными, причем “интенсивность” слоя (максимум сингулярной компоненты) слева и справа от $\bar\gamma$ может быть существенно различной. В том случае, когда параметр $\varepsilon_2$ при конвективном члене конечен, переходный слой является слабым. Для рассматриваемых начальных задач с использованием метода сгущающихся сеток строятся разностные схемы, решения которых сходятся (в равномерной сеточной норме) к точному решению равномерно относительно параметров $\varepsilon_1$, $\varepsilon_2$ (при конечных значениях $\varepsilon_2$ – в случае слабых слоев – использования сгущающихся сеток не требуется). Библ. 12.
Ключевые слова: сингулярно возмущенные параболические уравнения, переходные слои решения, сгущающиеся сетки, разностные схемы.
Поступила в редакцию: 03.10.2005
Англоязычная версия:
Computational Mathematics and Mathematical Physics, 2006, Volume 46, Issue 3, Pages 388–401
DOI: https://doi.org/10.1134/S0965542506030067
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 519.633
Образец цитирования: Г. И. Шишкин, “Сеточная аппроксимация сингулярно возмущенных параболических уравнений при наличии слабых и сильных переходных слоев, порождаемых разрывной правой частью”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 46:3 (2006), 407–420; Comput. Math. Math. Phys., 46:3 (2006), 388–401
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Shi06}
\by Г.~И.~Шишкин
\paper Сеточная аппроксимация сингулярно возмущенных параболических уравнений при наличии слабых и сильных переходных слоев, порождаемых разрывной правой частью
\jour Ж. вычисл. матем. и матем. физ.
\yr 2006
\vol 46
\issue 3
\pages 407--420
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/zvmmf498}
\mathscinet{http://mathscinet.ams.org/mathscinet-getitem?mr=2260298}
\zmath{https://zbmath.org/?q=an:05200913}
\transl
\jour Comput. Math. Math. Phys.
\yr 2006
\vol 46
\issue 3
\pages 388--401
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0965542506030067}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-33746100252}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/zvmmf498
  • https://www.mathnet.ru/rus/zvmmf/v46/i3/p407
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал вычислительной математики и математической физики Computational Mathematics and Mathematical Physics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:354
    PDF полного текста:129
    Список литературы:68
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024