Специальный вид граничных условий для системы уравнений низкотемпературной полупроводниковой плазмы

Граничные условия, обычно применяемые при численном решении уравнений полупроводниковой плазмы, являются условиями Дирихле для участков границы металл электродов – полупроводник. Для реального полупроводникового прибора это соответствует использованию в качестве источников питания и сигнала источников напряжения. На практике, однако, очень часто приходится использовать источники тока или источники напряжения и источники тока) одновременно. В работе предлагается метод, позволяющий модифицировать граничные условия уравнений полупроводниковой плазмы для указанных случаев.