Численный анализ трехмерных задач магнитной маскировки на основе оптимизационного метода

Формулируются обратные задачи для трехмерной модели магнитостатики, возникающие при проектировании осесимметричных многослойных экранирующих и маскировочных устройств. В предположении, что проектируемое устройство состоит из конечного числа сферических слоев, каждый из которых заполнен однородной изотропной средой, предлагается численный алгоритм решения указанных задач, основанный на оптимизационном методе. С его помощью рассматриваемые обратные задачи сводятся к конечномерным экстремальным задачам, роль управлений в которых играют магнитные проницаемости каждого элементарного слоя. Для нахождения искомых управлений применяется метод роя частиц. На основе анализа проведенных вычислительных экспериментов показывается, что полученным оптимальным решениям отвечают маскировочные устройства, обладающие наивысшей эффективностью в рассматриваемом классе устройств и простотой технической реализации. Библ. 30. Фиг. 1. Табл. 7.