|
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)
Численное моделирование распределения носителей заряда в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах с учетом поляризационных эффектов
К. К. Абгарянa, Д. Л. Ревизниковb a Вычислительный центр им. А. А. Дородницына РАН, ФИЦ «Информатика и управление» РАН
b 125993 Москва, Волоколамское ш., 4, МАИ
Аннотация:
Представлена трехуровневая схема моделирования наноразмерных полупроводниковых гетероструктур с учетом эффектов спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Схема объединяет квантово-механические расчеты на атомарном уровне для получения плотности зарядов на гетероинтерфейсах, расчет распределения носителей в гетероструктруре на основе решения системы уравнений Шрёдингера и Пуассона, а также расчет подвижности электронов в двумерном электронном газе с учетом различных механизмов рассеяния. С целью ускорения вычислительного процесса при расчете электронной плотности в гетероструктуре применен подход, основанный на аппроксимации нелинейной зависимости электронной плотности от потенциала в сочетании с линеаризацией уравнения Пуассона. Показана эффективность данного подхода в задачах рассматриваемого класса. Библ. 16. Фиг. 7.
Ключевые слова:
численное моделирование, полупроводниковые гетероструктуры, уравнения Шрёдингера и Пуассона, электронная плотность, подвижность носителей заряда.
Поступила в редакцию: 12.03.2015 Исправленный вариант: 04.06.2015
Образец цитирования:
К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, “Численное моделирование распределения носителей заряда в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах с учетом поляризационных эффектов”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 56:1 (2016), 155–166; Comput. Math. Math. Phys., 56:1 (2016), 161–172
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/zvmmf10332 https://www.mathnet.ru/rus/zvmmf/v56/i1/p155
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 323 | PDF полного текста: | 138 | Список литературы: | 68 | Первая страница: | 12 |
|