Журнал вычислительной математики и математической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Ж. вычисл. матем. и матем. физ.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал вычислительной математики и математической физики, 2016, том 56, номер 1, страницы 155–166
DOI: https://doi.org/10.7868/S004446691601004X
(Mi zvmmf10332)
 

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Численное моделирование распределения носителей заряда в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах с учетом поляризационных эффектов

К. К. Абгарянa, Д. Л. Ревизниковb

a Вычислительный центр им. А. А. Дородницына РАН, ФИЦ «Информатика и управление» РАН
b 125993 Москва, Волоколамское ш., 4, МАИ
Список литературы:
Аннотация: Представлена трехуровневая схема моделирования наноразмерных полупроводниковых гетероструктур с учетом эффектов спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Схема объединяет квантово-механические расчеты на атомарном уровне для получения плотности зарядов на гетероинтерфейсах, расчет распределения носителей в гетероструктруре на основе решения системы уравнений Шрёдингера и Пуассона, а также расчет подвижности электронов в двумерном электронном газе с учетом различных механизмов рассеяния. С целью ускорения вычислительного процесса при расчете электронной плотности в гетероструктуре применен подход, основанный на аппроксимации нелинейной зависимости электронной плотности от потенциала в сочетании с линеаризацией уравнения Пуассона. Показана эффективность данного подхода в задачах рассматриваемого класса. Библ. 16. Фиг. 7.
Ключевые слова: численное моделирование, полупроводниковые гетероструктуры, уравнения Шрёдингера и Пуассона, электронная плотность, подвижность носителей заряда.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-11-00782
Работа выполнена при поддержке РНФ (код проекта 14-11-00782).
Поступила в редакцию: 12.03.2015
Исправленный вариант: 04.06.2015
Англоязычная версия:
Computational Mathematics and Mathematical Physics, 2016, Volume 56, Issue 1, Pages 161–172
DOI: https://doi.org/10.1134/S0965542516010048
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 519.634
Образец цитирования: К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, “Численное моделирование распределения носителей заряда в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах с учетом поляризационных эффектов”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 56:1 (2016), 155–166; Comput. Math. Math. Phys., 56:1 (2016), 161–172
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AbgRev16}
\by К.~К.~Абгарян, Д.~Л.~Ревизников
\paper Численное моделирование распределения носителей заряда в~наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах с~учетом поляризационных эффектов
\jour Ж. вычисл. матем. и матем. физ.
\yr 2016
\vol 56
\issue 1
\pages 155--166
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/zvmmf10332}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S004446691601004X}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25343604}
\transl
\jour Comput. Math. Math. Phys.
\yr 2016
\vol 56
\issue 1
\pages 161--172
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0965542516010048}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000373076900011}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84961675176}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/zvmmf10332
  • https://www.mathnet.ru/rus/zvmmf/v56/i1/p155
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал вычислительной математики и математической физики Computational Mathematics and Mathematical Physics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:323
    PDF полного текста:138
    Список литературы:68
    Первая страница:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024