Аннотация:
Для решения задач параметрической идентификации потенциалов межатомного взаимодействия используются различные методы оптимизации. Рассматривается задача подбора параметров потенциала Терсоффа применительно к однокомпонентным кристаллам с ковалентным типом химической связи. Библ. 13. Фиг. 3.
Образец цитирования:
К. К. Абгарян, М. А. Посыпкин, “Применение оптимизационных методов для решения задач параметрической идентификации потенциалов межатомного взаимодействия”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 54:12 (2014), 1994–2001; Comput. Math. Math. Phys., 54:12 (2014), 1929–1935
A. Albu, Yu. Evtushenko, V. Zubov, “On optimization problem arising in computer simulation of crystal structures”, Optimization and Applications, Optima 2019, Communications in Computer and Information Science, 1145, eds. M. Jacimovic, M. Khachay, V. Malkova, M. Posypkin, Springer, 2020, 115–126
K. K. Abgarian, I. V. Mutigullin, S. I. Uvarov, O. V. Uvarova, “Multiscale modeling of clusters of point defects in semiconductor structures”, Izv. vysš. učebn. zaved., Mater. èlektron. teh., 21:4 (2020), 199
Lakhmi C. Jain, Margarita N. Favorskaya, Ilia S. Nikitin, Dmitry L. Reviznikov, Smart Innovation, Systems and Technologies, 173, Advances in Theory and Practice of Computational Mechanics, 2020, 1
Konstantin Barkalov, Ilya Lebedev, Maria Kocheganova, Victor Gergel, Communications in Computer and Information Science, 1263, Parallel Computational Technologies, 2020, 100
Karine K. Abgaryan, Alexander V. Grevtsev, Smart Innovation, Systems and Technologies, 173, Advances in Theory and Practice of Computational Mechanics, 2020, 257
Alla Albu, Andrei Gorchakov, Vladimir Zubov, Communications in Computer and Information Science, 974, Optimization and Applications, 2019, 264
Ю. Г. Евтушенко, С. А. Лурье, М. А. Посыпкин, Ю. О. Соляев, “Применение методов оптимизации для поиска равновесных состояний двумерных кристаллов”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 56:12 (2016), 2032–2041; Yu. G. Evtushenko, S. A. Lurie, M. A. Posypkin, Yu. O. Solyaev, “Application of optimization methods for finding equilibrium states of two-dimensional crystals”, Comput. Math. Math. Phys., 56:12 (2016), 2001–2010
Abgaryan K., Mutigullin I., “Theoretical investigation of the stability of defect complexes in silicon”, Physica Status Solidi C-Current Topics in Solid State Physics, 13 ser, no. 4, eds. Hiller D., Konig D., Kusova K., Wiley-V C H Verlag Gmbh, 2016, 156–158
Karine K. Abgaryan, Olga V. Volodina, Sergey I. Uvarov, “Mathematical modeling of point defect cluster formation in silicon based on molecular dynamic approach”, Modern Electronic Materials, 1:3 (2015), 82