Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия «Математическое моделирование и программирование»
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Вестн. ЮУрГУ. Сер. Матем. моделирование и программирование:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия «Математическое моделирование и программирование», 2017, том 10, выпуск 2, страницы 83–97
DOI: https://doi.org/10.14529/mmp170207
(Mi vyuru374)
 

Программирование

Влияние размерных параметров пор на механизмы формирования нанопленочных покрытий на подложках пористого оксида алюминия

А. В. Вахрушевab, А. Ю. Федотовb, А. В. Северюхинb, Р. Г. Валеевc

a Ижевский государственный технический университет им. М. Т. Калашникова, г. Ижевск
b Институт механики УрО РАН, г. Ижевск
c Физико-технический институт УрО РАН, г. Ижевск
Список литературы:
Аннотация: Предложена методика моделирования формирования эпитаксиальных нанопленок на основе матрицы пористого оксида алюминия. Приводится постановка задачи и описываются уравнения многочастичного потенциала, соответствующего модифицированному методу погруженного атома. Осаждаемые нанопленки были образованы атомами железа, золота, германия, серебра, галлия и палладия. Проведенные исследования показали наличие различных механизмов формирования нанопленок на пористых подложках в зависимости от типа эпитаксиальных атомов. В некоторых случаях пора почти полностью заполнялась осаждаемыми атомами, в других пора оставалась открытой. Для всех типов атомов единичные атомы достигали дна поры. При нанесении атомов галлия на подложку наблюдалось наиболее полное и плотное заполнение поры. Пористые подложки с нанесенными нанопленками могут рассматриваться как массив квантовых точек и использоваться для получения оптических и электрических эффектов. При исследовании заращивания атомами галлия покрытий с порами различного размера было получено, что активный рост количества атомов в поре происходит в начальные периоды времени. Дальнейшее заращивание поры сопровождается перестройкой атомарной структуры, что соответствует стабилизации зависимостей, и небольшим уменьшением процента атомов галлия, проникших внутрь поры. Стабилизация центра масс осаждаемых атомов происходит на разной глубине поры. Для пор радиусом 2–3 нм центр масс формируется выше середины глубины поры. С ростом размера поры центр масс начинает образовываться вблизи середины глубины поры. Приведенные методики и полученные результаты могут быть применены при разработке новых перспективных слоистых композитов на основе пористых подложек, изучении их характеристик, а также для проектирования нанопленочных материалов и алгоритмов прогнозирования свойств.
Ключевые слова: моделирование; молекулярная динамика; модифицированный метод погруженного атома; нанопленки; пористый оксид алюминия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 15-19-10002
Исследование выполнено при финансовой поддержке РНФ (проект № 15-19-10002).
Поступила в редакцию: 02.06.2016
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 539.216
MSC: 81V55
Образец цитирования: А. В. Вахрушев, А. Ю. Федотов, А. В. Северюхин, Р. Г. Валеев, “Влияние размерных параметров пор на механизмы формирования нанопленочных покрытий на подложках пористого оксида алюминия”, Вестн. ЮУрГУ. Сер. Матем. моделирование и программирование, 10:2 (2017), 83–97
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VakFedSev17}
\by А.~В.~Вахрушев, А.~Ю.~Федотов, А.~В.~Северюхин, Р.~Г.~Валеев
\paper Влияние размерных параметров пор на механизмы формирования нанопленочных покрытий на подложках пористого оксида алюминия
\jour Вестн. ЮУрГУ. Сер. Матем. моделирование и программирование
\yr 2017
\vol 10
\issue 2
\pages 83--97
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/vyuru374}
\crossref{https://doi.org/10.14529/mmp170207}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29274782}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/vyuru374
  • https://www.mathnet.ru/rus/vyuru/v10/i2/p83
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:174
    PDF полного текста:49
    Список литературы:44
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024