|
Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия «Математика. Механика. Физика», 2014, том 6, выпуск 4, страницы 36–47
(Mi vyurm65)
|
|
|
|
Физика
Вклад резонансного рассеяния носителей заряда в уширение кривой классического циклотронного резонанса в квазидвух- и трехмерных полупроводниках
Т. Т. Муратов Ташкентский государственный педагогический университет имени Низами, Узбекистан
Аннотация:
Получены асимптотические формулы для уширения кривой поглощения классического циклотронного резонанса (ЦР) в условиях резонансного рассеяния электронов на атомах примеси. Расчеты проведены с учетом распределения Максвелла. Оценки показывают, что возможный резонансный уровень ($\sim 0, 06$ мэВ) в квазидвумерных полупроводниках на порядок и два меньше чем в объемных (порядка мэВ). Это указывает на то, что область преобладания резонансного рассеяния в квазидвумерных полупроводниках менее 1 K. Зафиксировано температурное «плато» $5\div 12$ K в $2\mathrm{D}$ спектре поглощения, соответствующее «области непрозрачности». Обсуждаются пределы применимости полученных результатов.
Ключевые слова:
циклотронный резонанс; уширение; резонансное рассеяние; асимптотические формулы.
Поступила в редакцию: 19.05.2014
Образец цитирования:
Т. Т. Муратов, “Вклад резонансного рассеяния носителей заряда в уширение кривой классического циклотронного резонанса в квазидвух- и трехмерных полупроводниках”, Вестн. Южно-Ур. ун-та. Сер. Матем. Мех. Физ., 6:4 (2014), 36–47
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/vyurm65 https://www.mathnet.ru/rus/vyurm/v6/i4/p36
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 288 | PDF полного текста: | 99 | Список литературы: | 64 |
|