Вестник Самарского государственного технического университета. Серия «Физико-математические науки»
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Сотрудники журнала
Правила для авторов
Лицензионный договор
Редакционная политика

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Вестн. Сам. гос. техн. ун-та. Сер. Физ.-мат. науки:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Вестник Самарского государственного технического университета. Серия «Физико-математические науки», 2007, выпуск 1(14), страницы 96–99
DOI: https://doi.org/10.14498/vsgtu494 (Mi vsgtu494) 		 
Физика твердого тела

Электрические поля в пластически деформированных кристаллах с заряженными дислокациями

Ю. И. Тялин, В. А. Тялина, А. А. Бутягин, Д. В. Золотова

Тамбовский государственный университет им. Г. Р. Державина
PDF полного текста (136 kB)
(публикуется на условиях лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.14498/vsgtu494
Аннотация: Приведены выражения для напряженностей электрических полей, формируемых при срабатывании дислокационного источника в кристалле с заряженными дислокациями. Отдельно рассмотрены область источника и скопление испущенных им дислокаций. Первая представлена как плоский заряженный слой, суммарный заряд которого равен по величине заряду дислокаций в скоплении.
Поступила 16.08.2006
Тип публикации: Статья
УДК: 539.3
Образец цитирования: Ю. И. Тялин, В. А. Тялина, А. А. Бутягин, Д. В. Золотова, “Электрические поля в пластически деформированных кристаллах с заряженными дислокациями”, Вестн. Сам. гос. техн. ун-та. Сер. Физ.-мат. науки, 1(14) (2007), 96–99
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TyaTyaBut07}
\by Ю.~И.~Тялин, В.~А.~Тялина, А.~А.~Бутягин, Д.~В.~Золотова
\paper Электрические поля в~пластически деформированных кристаллах с~заряженными дислокациями
\jour Вестн. Сам. гос. техн. ун-та. Сер. Физ.-мат. науки
\yr 2007
\vol 1(14)
\pages 96--99
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/vsgtu494}
\crossref{https://doi.org/10.14498/vsgtu494}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/vsgtu494
  • https://www.mathnet.ru/rus/vsgtu/v114/p96
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Вестник Самарского государственного технического университета. Серия: Физико-математические науки
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:384
    PDF полного текста:223
    Список литературы:38
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024