Вестник НГУ. Серия: Математика, механика, информатика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Сиб. журн. чист. и прикл. матем.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Вестник НГУ. Серия: Математика, механика, информатика, 2009, том 9, выпуск 4, страницы 3–15 (Mi vngu187)  

Один способ построения разностных моделей для системы моментных уравнений, описывающих перенос заряда в полупроводниках

А. М. Блохинab, С. А. Боярскийb, Б. В. Семисаловb

a РОССИЯ, 630090, Новосибирск, пр. Акад. Коптюга, 4, Институт математики им. С. Л. Соболева СО РАН
b РОССИЯ, 630090, Новосибирск, ул. Пирогова, 2, Новосибирский государственный университет
Список литературы:
Аннотация: Рассматривается гидродинамическая модель, представляющая из себя квазилинейную систему уравнений, записанных в форме законов сохранения, полученных из системы моментных соотношений для уравнения переноса Больцмана. В работе конструируется семейство разностных схем для нахождения приближенных решений. Дается теоретическое обоснование вычислительного алгоритма. Обсуждается вопрос об устойчивости предлагаемых схем на исходном, квазилинейном уровне.
Ключевые слова: гидродинамические модели, конечно-разностные методы, система моментных уравнений, симметризатор, метод установления.
Поступила в редакцию: 20.03.2009
Тип публикации: Статья
УДК: 519.615.5+621.382.2
Образец цитирования: А. М. Блохин, С. А. Боярский, Б. В. Семисалов, “Один способ построения разностных моделей для системы моментных уравнений, описывающих перенос заряда в полупроводниках”, Вестн. НГУ. Сер. матем., мех., информ., 9:4 (2009), 3–15
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BloBoySem09}
\by А.~М.~Блохин, С.~А.~Боярский, Б.~В.~Семисалов
\paper Один способ построения разностных моделей для системы моментных уравнений, описывающих перенос заряда в~полупроводниках
\jour Вестн. НГУ. Сер. матем., мех., информ.
\yr 2009
\vol 9
\issue 4
\pages 3--15
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/vngu187}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/vngu187
  • https://www.mathnet.ru/rus/vngu/v9/i4/p3
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Вестник Новосибирского государственного университета. Серия: математика, механика, информатика
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:209
    PDF полного текста:86
    Список литературы:51
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024