|
Вычислительные методы и программирование, 2010, том 11, выпуск 3, страницы 210–214
(Mi vmp312)
|
|
|
|
Вычислительные методы и приложения
Особый режим легирования наноколонн подложки кремния
Г. А. Тарнавский Институт вычислительной математики и
математической геофизики СО РАН
Аннотация:
Проводится компьютерное моделирование ионной имплантации примесей в
наноколонны поверхности кремниевой пластины при направлении потока
ионов, параллельном основанию пластины.
Ключевые слова:
математическое моделирование; легирование кремния; имплантация; донорные и акцепторные примеси.
Образец цитирования:
Г. А. Тарнавский, “Особый режим легирования наноколонн подложки кремния”, Выч. мет. программирование, 11:3 (2010), 210–214
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/vmp312 https://www.mathnet.ru/rus/vmp/v11/i3/p210
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 89 | PDF полного текста: | 108 | Список литературы: | 1 |
|