Ученые записки Казанского университета. Серия Физико-математические науки
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Учен. зап. Казан. ун-та. Сер. Физ.-матем. науки:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Ученые записки Казанского университета. Серия Физико-математические науки, 2010, том 152, книга 4, страницы 7–20 (Mi uzku880)  
Транспортные свойства полупроводниковой вертикальной двойной квантовой точки с низкими потенциальными барьерами

А. О. Бадрутдиновa, Ш. М. Хуангb, К. Оноb, К. Koнoba, Д. А. Таюрскийa

a Институт физики Казанского (Приволжского) федерального университета
b Институт физических и химических исследований РИКЕН (Япония)
PDF полного текста (1237 kB)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Представлены результаты исследований энергетического спектра вертикальной двойной квантовой точки на основе арсенида галлия. Особенностью исследуемого образца являются относительно низкие потенциальные барьеры между точками и прилежащими электронными резервуарами, что приводит к сильной туннельной связи, увеличенному перекрытию волновых функций и низкому сопротивлению. В результате ожидается, что квантовый транспорт через исследуемую двойную точку может иметь специфические особенности.
Ключевые слова: двойная квантовая точка, квантовый транспорт, кулоновская блокада, низкие температуры.
Поступила в редакцию: 27.09.2010
Тип публикации: Статья
УДК: 538.9(06)+539.2(06)
Образец цитирования: А. О. Бадрутдинов, Ш. М. Хуанг, К. Оно, К. Koнo, Д. А. Таюрский, “Транспортные свойства полупроводниковой вертикальной двойной квантовой точки с низкими потенциальными барьерами”, Учен. зап. Казан. ун-та. Сер. Физ.-матем. науки, 152, № 4, Изд-во Казанского ун-та, Казань, 2010, 7–20
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BadHuaOno10}
\by А.~О.~Бадрутдинов, Ш.~М.~Хуанг, К.~Оно, К.~Koнo, Д.~А.~Таюрский
\paper Транспортные свойства полупроводниковой вертикальной двойной квантовой точки с~низкими потенциальными барьерами
\serial Учен. зап. Казан. ун-та. Сер. Физ.-матем. науки
\yr 2010
\vol 152
\issue 4
\pages 7--20
\publ Изд-во Казанского ун-та
\publaddr Казань
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/uzku880}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/uzku880
  • https://www.mathnet.ru/rus/uzku/v152/i4/p7
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Ученые записки Казанского университета. Серия Физико-математические науки
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:302
    PDF полного текста:111
    Список литературы:28
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024