Индуцированная фотопроводимость в широкозонных диэлектрических кристаллах, активированных ионами Ce$^{3+}$

Проведены спектроскопические исследования и измерения фотопроводимости, индуцированной ультрафиолетовым излучением накачки, фторидных диэлектрических кристаллов структуры шеелита, активированных ионами Ce$^{3+}$. Установлено, что переход из возбужденного 5d-состояния иона Ce$^{3+}$, вероятно, происходит на состояние 6s-конфигурации, а не непосредственно в зону проводимости матрицы-основы, как это считалось ранее.