Моделирование пропускания света в запрещенной зоне одномерного фотонного кристалла с активным слоем

В статье рассмотрен процесс пропускания света одномерного гибридного фотон-плазмонного кристалла с буферным слоем. В результате моделирования были получены спектры, на которых особый интерес представлял пик пропускания в области длин волн запрещенной зоны фотонного кристалла. Изменение толщины и показателя преломления буферного слоя между фотонным кристаллом и слоем золота приводит к изменению длины волны этого пика. Увеличение толщины вызывает, в свою очередь, увеличение длины волны длину волны и меняет интенсивность пика, что говорит об перераспределение энергии в гибридной фотон-плазмонной моде. Управляя этими параметрами, можно контролировать оптические свойства гибридных фотон-плазмонных кристаллов.