Optical absorption in semiconductor nanowire mediated by electron-polar optical phonon and spin-orbit interactions

Исследовано внутриподзонное и межподзонное поглощение света свободными носителями заряда в полупроводниковой нанопроволоке при рассеянии на полярных оптических фононах, опосредованное спин-орбитальными взаимодействиями Рашбы и Дрессельхауса. Зависимость коэффициента поглощения от энергии падающего фотона исследовано путем подсчета переходов между различными подзонами проводимости. Показано, что спин-орбитальное взаимодействие приводит к увеличению коэффициента внутриподзонного и межподзонного поглощения света, при этом пики коэффициента поглощения определяются энергиями поглощенного фотона и поглощенного или излученного фонона. При этом разница между значениями коэффициентов поглощения с учетом и без учета спин-орбитального взаимодействия имеет максимум в области локального минимума коэффициента поглощения, полученного при игнорировании спин-орбитального взаимодействия.