|
Эта публикация цитируется в 37 научных статьях (всего в 37 статьях)
ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ
Теллурид ртути – полупроводник с нулевой запрещенной зоной
Н. Н. Берченко, М. В. Пашковский Львовский государственный университет им. Ив. Франко
Аннотация:
В статье дается обзор основных свойств теллурида ртути, являющегося одним из представителей нового класса веществ – бесщелевых полупроводников. Рассматриваются причины, приводящие к возникновению бесщелевого состояния в халькогенидах ртути; показано, что основную роль в образовании инверсной зонной структуры играют релятивистские поправки. Специфические свойства теллурида ртути связаны с нулевой запрещенной зоной, $p$-образным характером электронных состояний зоны проводимости и ее непараболичностью, резонансными состояниями примесей и аномалиями диэлектрической проницаемости. Анализируются условия возникновения в теллуриде ртути запрещенной зоны под действием внешних факторов. Таблиц 2, иллюстраций 17, библиографических ссылок 176 (196 назв.).
Образец цитирования:
Н. Н. Берченко, М. В. Пашковский, “Теллурид ртути – полупроводник с нулевой запрещенной зоной”, УФН, 119:2 (1976), 223–255; Phys. Usp., 19:6 (1976), 462–480
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn9826 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v119/i2/p223
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 48 | PDF полного текста: | 15 |
|