Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 1980, том 130, номер 3, страницы 521–522
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0130.198003f.0521 (Mi ufn9120) 		 
БИБЛИОГРАФИЯ

Электронные свойства легированных полупроводников

В. Л. Бонч-Бруевич
PDF полного текста (266 kB)
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0130.198003f.0521
Тип публикации: Критика и библиография
УДК: 537.311.33(049)
Образец цитирования: В. Л. Бонч-Бруевич, “Электронные свойства легированных полупроводников”, УФН, 130:3 (1980), 521–522
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Bon80}
\by В.~Л.~Бонч-Бруевич
\paper Электронные свойства легированных полупроводников
\jour УФН
\yr 1980
\vol 130
\issue 3
\pages 521--522
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn9120}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0130.198003f.0521}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn9120
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v130/i3/p521
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024