|
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)
МЕТОДИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ
Сегнетоэлектрические нанокристаллы и их переключение
В. М. Фридкинa, Р. В. Гайнутдиновa, С. Дюшармb a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН
b Department of Physics and Astronomy, Nebraska Center for Materials and Nanoscience, University of Nebraska, Lincoln, Nebraska, USA
Аннотация:
Поведение наноразмерных сегнетоэлектриков привлекло к себе большое внимание из-за возросшего интереса к фундаментальным свойствам и природе наноразмерных, спонтанно поляризованных сегнетоэлектрических структур и перспектив их практического применения в качестве электромеханических датчиков, инфракрасных фоточувствительных сред и элементов памяти. В последние годы отмечается повышенное внимание исследователей к выращиванию и изучению сегнетоэлектрических нанокристаллов. Несмотря на ограниченное количество публикаций, мы надеемся, что этот обзор окажется своевременным и полезным.
Поступила: 14 сентября 2009 г.
Образец цитирования:
В. М. Фридкин, Р. В. Гайнутдинов, С. Дюшарм, “Сегнетоэлектрические нанокристаллы и их переключение”, УФН, 180:2 (2010), 209–217; Phys. Usp., 53:2 (2010), 199–207
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn889 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v180/i2/p209
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 366 | PDF полного текста: | 127 | Список литературы: | 44 | Первая страница: | 1 |
|