В. Д. Кулаковский, В. Г. Лысенко, В. Б. Тимофеев, “Экситонные молекулы в полупроводниках”, УФН, 147:1 (1985), 3–47; Phys. Usp., 28:9 (1985), 735

Эта публикация цитируется в следующих 33 статьяx:

С. И. Садовников, “Полупроводниковые нанокристаллические сульфиды”, УФН, 195:3 (2025), 223–244
Karl W. Böer, Udo W. Pohl, Semiconductor Physics, 2023, 529
Karl W. Böer, Udo W. Pohl, Semiconductor Physics, 2022, 1
S. V. Andreev, “Spin-orbit-coupled depairing of a dipolar biexciton superfluid”, Phys. Rev. B, 103:18 (2021)
Karl W. Böer, Udo W. Pohl, Semiconductor Physics, 2020, 1
M. Van der Donck, F. M. Peeters, “Spectrum of exciton states in monolayer transition metal dichalcogenides: Angular momentum and Landau levels”, Phys. Rev. B, 99:11 (2019)
С. Н. Николаев, В. С. Кривобок, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, “Видимое излучение плотного биэкситонного газа в SiGe/Si квантовых ямах в условиях внешней анизотропной деформации”, Письма в ЖЭТФ, 107:6 (2018), 371–377 ; S. N. Nikolaev, V. S. Krivobok, V. S. Bagaev, E. E. Onishchenko, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, “Visible emission from a dense biexciton gas in SiGe/Si quantum wells under external anisotropic strain”, JETP Letters, 107:6 (2018), 358–363
Karl W. Böer, Udo W. Pohl, Semiconductor Physics, 2018, 485
M. Van der Donck, F. M. Peeters, “Interlayer excitons in transition metal dichalcogenide heterostructures”, Phys. Rev. B, 98:11 (2018)
M. Van der Donck, M. Zarenia, F. M. Peeters, “Excitons, trions, and biexcitons in transition-metal dichalcogenides: Magnetic-field dependence”, Phys. Rev. B, 97:19 (2018)
M. Van der Donck, F. M. Peeters, “Excitonic complexes in anisotropic atomically thin two-dimensional materials: Black phosphorus and TiS3”, Phys. Rev. B, 98:23 (2018)
S. N. Nikolaev, V. S. Krivobok, E. T. Davletov, V. S. Bagaev, E. E. Onishchenko, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, “Strain-Induced Intrinsic Splitting of the Biexciton Ground State in SiGe/Si Quantum Wells”, J Russ Laser Res, 39:1 (2018), 90
Н. Н. Сибельдин, “Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках и низкоразмерных структурах”, УФН, 187:11 (2017), 1236–1270 ; N. N. Sibeldin, “Electron–hole liquid in semiconductors and low-dimensional structures”, Phys. Usp., 60:11 (2017), 1147–1179
M. Van der Donck, M. Zarenia, F. M. Peeters, “Excitons and trions in monolayer transition metal dichalcogenides: A comparative study between the multiband model and the quadratic single-band model”, Phys. Rev. B, 96:3 (2017)
Karl W. Böer, Udo W. Pohl, Semiconductor Physics, 2017, 1
N. N. Sibeldin, “Electron–hole liquid in low-dimensional silicon–germanium heterostructures”, J. Exp. Theor. Phys., 122:3 (2016), 587
A. Chaves, Tony Low, P. Avouris, D. Çak{\i}r, F. M. Peeters, “Anisotropic exciton Stark shift in black phosphorus”, Phys. Rev. B, 91:15 (2015)
Karl W. Böer, Udo W. Pohl, Semiconductor Physics, 2015, 1
A. N. Ipatov, L. G. Gerchikov, “Stability and properties of finite Fermi systems of particles with different masses”, J. Exp. Theor. Phys., 118:1 (2014), 93
Т. М. Бурбаев, Д. С. Козырев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, “Люминесценция квазидвумерной электронно-дырочной жидкости и экситонных молекул в гетероструктурах Si/SiGe/Si при двухэлектронных переходах”, Письма в ЖЭТФ, 98:12 (2013), 926–932 ; T. M. Burbaev, D. S. Kozyrev, N. N. Sibel'din, M. L. Skorikov, “Luminescence of a quasi-two-dimensional electron-hole liquid and excitonic molecules in Si/SiGe/Si heterostructures upon two-electron transitions”, JETP Letters, 98:12 (2013), 823–828