Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$

В обзоре изложены результаты экспериментальных и теоретических работ, посвященных обнаружению и исследованию глубоких уровней, связанных с примесями и собственными дефектами в полупроводниках типа A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$. Наиболее детально обсуждаются примеси III группы. Эксперименты (электрофизические, оптические, теплофизические) свидетельствуют о существовании локализованных и резонансных состояний в материалах, легированных индием и таллием, а также (менее однозначно) галлием и алюминием. При легировании индием особенно ярко проявляется стабилизация химического потенциала, приводящая к исключительно высокой электрической однородности образцов, обнаружена долговременная релаксация концентрации неравновесных электронов. Уровень Ферми существенно изменяется с составом материала, температурой, давлением. При легировании таллием обнаружены сильное резонансное рассеяние дырок, электронная примесная теплоемкость и сверхпроводимость, обусловленные наличием резонансных состояний. Сделан обзор теоретических и экспериментальных данных о локализованных и резонансных состояниях, связанных с вакансиями и комплексами собственных дефектов, а также с примесями переходных металлов, висмута, кадмия, олова, германия. Обсуждаются генезис уровней, энергия взаимодействия электронов на примесном центре, механизмы релаксации, сверхпроводимости. Табл. 1, ил. 18, библиогр. ссылок 121 (133 назв.).