Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Успехи физических наук, 1987, том 152, номер 4, страницы 703–704
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0152.198708o.0703
(Mi ufn7999)
 

СОВЕЩАНИЯ И КОНФЕРЕНЦИИ

Низкотемпературные исследования поверхностей некоторых полупроводников

В. А. Гражулис
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 1987, Volume 30, Issue 8, Pages 745
DOI: https://doi.org/10.1070/PU1987v030n08ABEH002949
Тип публикации: Статья
PACS: 68.35.Bs, 68.47.Fg, 68.43.-h, 79.60.Bm, 68.49.Jk, 61.14.Hg
Образец цитирования: В. А. Гражулис, “Низкотемпературные исследования поверхностей некоторых полупроводников”, УФН, 152:4 (1987), 703–704; Phys. Usp., 30:8 (1987), 745
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Gra87}
\by В.~А.~Гражулис
\paper Низкотемпературные исследования поверхностей некоторых полупроводников
\jour УФН
\yr 1987
\vol 152
\issue 4
\pages 703--704
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn7999}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0152.198708o.0703}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 1987
\vol 30
\issue 8
\pages 745
\crossref{https://doi.org/10.1070/PU1987v030n08ABEH002949}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn7999
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v152/i4/p703
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024