Радиационно-индуцированные состояния в кристаллах с ионно-ковалентными связями

На основании обзора литературных данных и результатов систематического исследования воздействия разных видов радиации на ряд кристаллов с ионно-ковалентными связями (КСИКС) описаны механизмы и закономерности формирования радиационно-индуцированных структурных состояний. Дана классификация этих состояний, их характеристики и модели. Предложен проверенный на специально отобранных соединениях критерий неустойчивости структуры по высокотемпературному типу, завершаемый реализацией структурного состояния, по симметрии и параметрам элементарной ячейки близкого к высокотемпературной модификации необлученного кристалла. За основу отбора приняты термодинамические параметры, определяющие характер термического фазового перехода. Показано, что помимо аморфизации и распада исходного соединения это изменение структуры является единственным типом полного изменения структуры во всем объеме КСИКС. Сделан вывод, что для большинства КСИКС, в которых наблюдается изменение кристаллической структуры, решающую роль играют изолированные точечные дефекты радиационного происхождения. Рассмотрено влияние примесей, условий роста и облучения на радиационную стойкость структуры. В заключении указаны факторы, определяющие структурные состояния в облученных КСИКС, и проанализированы причины расхождения экспериментальных данных разных авторов по воздействию радиации на структуру одного и того же вещества. Табл. 2. Ил. 8. Библиогр. ссылок 99.