Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 1988, том 156, номер 4, страницы 683–717
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0156.198812c.0683 (Mi ufn7885) 		 
Эта публикация цитируется в 32 научных статьях (всего в 32 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов

Н. А. Тяпунина, Э. П. Белозерова

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
PDF полного текста (1351 kB) Список цитирования (32)
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0156.198812c.0683
Аннотация: Обзор теоретических и экспериментальных работ по заряженным дислокациям в щелочногалоидных кристаллах. Описана тонкая структура краевой дислокации с дефектами на линии дислокации. Дается последовательное изложение теории стационарной заряженной дислокации от рассмотрения ее в виде бесконечно длинной заряженной нити до учета тонкой структуры дислокационной линии. Изложены феноменологические модели, рассматривающие заряд на движущейся дислокации. Рассмотрены силы, действующие на дислокацию, и особенности ее движения при приложении внешней механической нагрузки и электрического поля. Описаны прямой и обратный дислокационные пьезоэффекты в кристалле, содержащем подвижные заряженные дислокации. При изложении экспериментальных работ особое внимание уделено исследованиям, позволяющим дать количественную оценку линейной плотности заряда на дислокации. Ил. 13. Библиогр. ссылок 116.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 1988, Volume 31, Issue 12, Pages 1060–1084
DOI: https://doi.org/10.1070/PU1988v031n12ABEH005660
Тип публикации: Статья
УДК: 538.911
PACS: 61.72.Bb, 61.72.Hh, 72.50.+b
Образец цитирования: Н. А. Тяпунина, Э. П. Белозерова, “Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов”, УФН, 156:4 (1988), 683–717; Phys. Usp., 31:12 (1988), 1060–1084
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TyaBel88}
\by Н.~А.~Тяпунина, Э.~П.~Белозерова
\paper Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов
\jour УФН
\yr 1988
\vol 156
\issue 4
\pages 683--717
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn7885}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0156.198812c.0683}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 1988
\vol 31
\issue 12
\pages 1060--1084
\crossref{https://doi.org/10.1070/PU1988v031n12ABEH005660}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn7885
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v156/i4/p683
    • Эта публикация цитируется в следующих 32 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024