Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций

Обзор применений метода сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) для изучения характера электронных свойств чистых поверхностей, изменения электронных свойств при адсорбции и поверхностных химических реакциях, а также для выяснения роли электронных свойств поверхности в формировании химических связей в процессе реакции и при образовании поверхностных структур. Показано влияние локальной плотности электронных состояний на СТМ-изображение адсорбированных атомов тех или иных элементов. Дано описание электронных свойств и атомной структуры реконструированной поверхности Si (111)-(7 $\times$ 7). На примере химической реакции NH$_3$ с поверхностью Si (111)-(7 $\times$ 7) показано, что реакционная способность различных атомов непосредственно связана с наличием локализованных “болтающихся связей”.