|
Эта публикация цитируется в 53 научных статьях (всего в 53 статьях)
ИЗ ТЕКУЩЕЙ ЛИТЕРАТУРЫ
Эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниках
П. И. Никитинa, А. И. Савчукb a Институт общей физики АН СССР, г. Москва
b Черновицкий государственный университет
Аннотация:
Обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных исследованию эффекта Фарадея и в новом классе материалов — полумагнитных полупроводниках (ПМП). Обсуждаются механизмы возникновения гигантского эффекта Фарадея в ПМП, в основе которых лежат s, p-d-обменные взаимодействия экситонов, электронов, дырок с магнитными ионами. Рассмотрены особенности проявления фарадеевского вращения (ФВ) в зависимости от длины волны излучения, концентрации магнитной компоненты, температуры, напряженности магнитного поля для кристаллов A$^2$B$^6$, A$^2_{1-x}$Mn$_x$B$^6$ и других ПМП (GaAs, CdP$_2$, Pb$_{1-x}$Mn$_x$I$_2$). Уделено внимание вопросам использования ФВ для излучения перехода парамагнетик-спиновое стекло, выяснения роли релаксационных процессов с участием магнитных ионов Mn$^{2+}$, экситонов, поляронов в прямом и обратном эффектах Фарадея, специфики ФВ в тонких пленках ПМП и спиновых сверхрешетках. Проанализированы возможности практического применения эффекта Фарадея в ПМП для разработки магнитооптических устройств (оптических изоляторов, волоконнооптических датчиков магнитного поля). Табл. 3. Ил. 25. Библиогр. ссылок 82.
Образец цитирования:
П. И. Никитин, А. И. Савчук, “Эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниках”, УФН, 160:11 (1990), 167–196; Phys. Usp., 33:11 (1990), 974–989
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn7591 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v160/i11/p167
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 13 |
|