Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Успехи физических наук, 1990, том 160, номер 11, страницы 167–196
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0160.199011f.0167
(Mi ufn7591)
 

Эта публикация цитируется в 53 научных статьях (всего в 53 статьях)

ИЗ ТЕКУЩЕЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниках

П. И. Никитинa, А. И. Савчукb

a Институт общей физики АН СССР, г. Москва
b Черновицкий государственный университет
Аннотация: Обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных исследованию эффекта Фарадея и в новом классе материалов — полумагнитных полупроводниках (ПМП). Обсуждаются механизмы возникновения гигантского эффекта Фарадея в ПМП, в основе которых лежат s, p-d-обменные взаимодействия экситонов, электронов, дырок с магнитными ионами. Рассмотрены особенности проявления фарадеевского вращения (ФВ) в зависимости от длины волны излучения, концентрации магнитной компоненты, температуры, напряженности магнитного поля для кристаллов A$^2$B$^6$, A$^2_{1-x}$Mn$_x$B$^6$ и других ПМП (GaAs, CdP$_2$, Pb$_{1-x}$Mn$_x$I$_2$). Уделено внимание вопросам использования ФВ для излучения перехода парамагнетик-спиновое стекло, выяснения роли релаксационных процессов с участием магнитных ионов Mn$^{2+}$, экситонов, поляронов в прямом и обратном эффектах Фарадея, специфики ФВ в тонких пленках ПМП и спиновых сверхрешетках. Проанализированы возможности практического применения эффекта Фарадея в ПМП для разработки магнитооптических устройств (оптических изоляторов, волоконнооптических датчиков магнитного поля). Табл. 3. Ил. 25. Библиогр. ссылок 82.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 1990, Volume 33, Issue 11, Pages 974–989
DOI: https://doi.org/10.1070/PU1990v033n11ABEH002659
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
PACS: 78.20.Ls, 71.70.Gm, 71.35.-y, 75.50.Pp, 78.66.Li, 85.70.Sq
Образец цитирования: П. И. Никитин, А. И. Савчук, “Эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниках”, УФН, 160:11 (1990), 167–196; Phys. Usp., 33:11 (1990), 974–989
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NikSav90}
\by П.~И.~Никитин, А.~И.~Савчук
\paper Эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниках
\jour УФН
\yr 1990
\vol 160
\issue 11
\pages 167--196
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn7591}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0160.199011f.0167}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 1990
\vol 33
\issue 11
\pages 974--989
\crossref{https://doi.org/10.1070/PU1990v033n11ABEH002659}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn7591
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v160/i11/p167
  • Эта публикация цитируется в следующих 53 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024