Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Успехи физических наук, 2020, том 190, номер 11, страницы 1121–1142
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2019.10.038663
(Mi ufn6642)
 

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 15 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Коллективные состояния экситонов в полупроводниках

М. М. Глазов, Р. А. Сурис

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
Список литературы:
Аннотация: Дан обзор многочастичных эффектов в ансамблях экситонов в полупроводниках с акцентом на двумерные системы: структуры с одиночными и двойными квантовыми ямами и с квантовыми микрорезонаторами. Обсуждается эффект конденсации Бозе–Эйнштейна — накопления макроскопического числа экситонов в основном состоянии системы. Известный запрет на конденсацию в низкоразмерных системах может быть снят за счёт беспорядка, обусловленного хаотическим потенциалом. Анализируются проявления конечного времени жизни экситонов и соответственно неравновесности системы, обусловленной процессами прихода и ухода экситонов в конденсатное состояние. Кратко описываются другие коллективные фазы экситонов: двумерный кристалл диполярных экситонов и электронно-дырочная жидкость, возникающие в результате взаимодействия между частицами.
Поступила: 14 августа 2019 г.
Одобрена в печать: 1 октября 2019 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2020, Volume 63, Issue 11, Pages 1051–1071
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNe.2019.10.038663
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 03.75.Hh, 03.75.Kk, 71.35.-y, 71.35.Lk, 71.36.+c, 72.15.Rn
Образец цитирования: М. М. Глазов, Р. А. Сурис, “Коллективные состояния экситонов в полупроводниках”, УФН, 190:11 (2020), 1121–1142; Phys. Usp., 63:11 (2020), 1051–1071
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GlaSur20}
\by М.~М.~Глазов, Р.~А.~Сурис
\paper Коллективные состояния экситонов в полупроводниках
\jour УФН
\yr 2020
\vol 190
\issue 11
\pages 1121--1142
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn6642}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.2019.10.038663}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2020PhyU...63.1051G}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46751475}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2020
\vol 63
\issue 11
\pages 1051--1071
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNe.2019.10.038663}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000613920600001}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85101540805}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn6642
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v190/i11/p1121
  • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:202
    PDF полного текста:33
    Список литературы:26
    Первая страница:5
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024